我國智能網聯汽車行業最高規格的國際交流平臺——2021世界智能網聯汽車大會，在北京中國國際展覽中心（新館）舉辦。大會同期舉辦新能源汽車產業發展成果展，比亞迪半導體攜6款“高精尖”功率器件產品亮相盛會，成為該會的亮點之一。

本次成果展由工業和信息化部主辦，中國國際貿易促進委員會汽車行業分會承辦，以“禮贊‘新’時代 加快推動新能源汽車產業高質量發展”為主題，全面展示新能源汽車產業發展取得的成就。

展會期間，比亞迪半導體集中展示了6款功率器件產品：V-215、V-305（SiC模塊）、V-SSDC（SiC模塊）、V-DUAL1、IGBT晶圓、FRD晶圓。產品向大眾全方位展現了公司功率半導體領域的“高精尖”領先技術、智能制造的精湛工藝，紛紛引來賓駐足觀看，并受到業界同行廣泛關注。

本次重點展示了兩款碳化硅功率模塊：V-305（SiC模塊）、V-SSDC（SiC模塊）。其中，305封裝 1200V 840A規格三相全橋碳化硅功率模塊，在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中已實現規模化應用，助力漢車型百公里加速達到3.9s，降低了能耗，累計裝車量目前居于行業領先地位，引領了行業發展。

該SiC模塊采用納米銀燒結工藝，AMB活性金屬釬焊。根據實驗室測試可知，相較先前傳統焊接工藝及DBC覆銅工藝，使用壽命更長，可靠性更高。除此之外，其使用銅夾互連工藝，極大提升芯片過電流能力，模塊輸出功率可達200KW，以致功率密度提高一倍、體積縮小一半。

比亞迪半導體憑借多年的功率器件設計經驗和集團汽車級應用平臺資源，率先進軍SiC功率器件研發領域。經過不懈努力，成為國內首批自主研發及實現SiC器件產業化的半導體公司。在SiC器件領域，比亞迪半導體已實現SiC模塊在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用，其自主研發制造的高性能碳化硅功率模塊，是全球首家、國內唯一實現在電機驅動控制器中大批量裝車的SiC三相全橋模塊。

本次成果展也重點展示了V-DUAL1 IGBT模塊，其采用自主研發的IGBT4.0（復合場終止）技術。IGBT4.0具備車規級可靠性大電流性能，解決了大電流IGBT易失效難題，應用于新能源汽車主電機驅動系統，對整車降低能耗起到有力地推動作用。

V-DUAL1在輸出電流特性、運行高溫損耗、異常耐受性、溫度循環壽命等關鍵性能與可靠性指標上對比行業同類產品，整體指標達到行業先進水平，部分指標達到領先水平。

比亞迪半導體是一家擁有芯片設計、晶圓制造、模塊封裝與測試全產業鏈一體化經營能力的IGBT芯片量產裝車IDM廠商。2018年12月，公司正式發布全新車規級“IGBT 4.0”技術。相比當前市場主流產品，其電流輸出能力高15%、綜合損耗降低約20%、溫度循環壽命提高約10倍，樹立了國內中高端車規級IGBT新標桿。搭載比亞迪IGBT4.0后，整車百公里電耗能夠降低0.6kWh，能耗和用車成本大大降低。

目前，比亞迪半導體基于高密度TrenchFS的IGBT5.0技術已實現量產，同時正在積極布局新一代IGBT技術，致力于進一步提高IGBT芯片的電流密度，提升功率半導體的可靠性，降低產品成本，提高應用系統的整體功率密度，已批量應用于內、外部新能源汽車以及國內知名商業空調、變頻空調領域。

FRD芯片在IGBT模塊中與IGBT芯片并聯使用，起反向恢復作用，是IGBT模塊中必不可少的功率芯片之一。該款FRD芯片首創了基于異晶面鍵合的壽命控制方法并得到了載流子軸向壽命分布，降低了FRD反向恢復損耗，研發了具有注入效率自調節功能的控制復合發射極技術，攻克了FRD VF負溫度系數導致多芯片并聯均流差的關鍵技術難題，填補了國內VF非負溫度系數FRD技術空白。

比亞迪半導體人充分利用公司平臺提供的優勢資源，致力“把產品做到極致”，無不體現術業專攻下一絲不茍的工匠精神。

“好產品經得起時間的考驗”，披沙揀金，終見珍品。在當前行業普遍“缺芯”的趨勢下，比亞迪半導體立足于“高精尖”產品要求，不斷給自身制定高指標，尋求核心技術的突破，持續推進先進工藝研發；挖掘更優質的人才，以更先進的材料、更尖端的設備、更前沿的技術，造就卓越不凡的產品，進而加快相關產品的國產化進程，助力整個半導體行業奔涌向前。

原文標題：比亞迪半導體6款“高精尖”功率器件產品亮相2021新能源汽車產業發展成果展

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