芯片的制作過程是相當復雜的，芯片制造是一層層向上疊加的，最高可達上百次疊加。每一次的疊加，都必須和前一次完美重疊，重疊誤差要求是1~2納米。而晶圓從傳送模組放置在晶圓平臺上，會產生一定的機械誤差，而精密機械的誤差是微米等級（1微米=1，000納米）。每次曝光之前，必須針對每片晶圓做精密的量測，截取到晶圓每一個區塊納米等級的微小誤差。在曝光階段實時校正，達到納米等級的準度。

DUV是深紫外線，EUV是極深紫外線。從制程工藝來看，DUV只能用于生產7nm及以上制程芯片。而只有EUV能滿足7nm晶圓制造，并且還可以向5nm、3nm繼續延伸。

晶振的制作方法：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個對應面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構成了晶振器，常見的有DIP（插腳類）和SMD（插片類）。

光刻機以極高的加速度進行掃描曝光，在不到0.1秒的時間，又要急停并回頭往反方向掃描，這么大的力量如果不做控制，會讓整機產生振動，是不可能達到完美成像的。ASML光刻機利用所謂的balance mass來吸收平衡晶圓平臺所施加于機座的反作用力，使整座機臺完全靜止。

本文整合自：半導體行業聯盟、CSDN

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