光刻機的曝光方式主要有三種,分別是接觸式曝光、非接觸式曝光和投影式曝光。
接觸式曝光就是將掩膜與還沒加工基片的光膠層直接接觸并進行的曝光;
非接觸式曝光是指掩膜和基片的光膠層不直接接觸來實現圖形復印的曝光;
投影式曝光是指掩膜與基片不直接接觸,但用投影儀分方式來實現圖形轉移。
審核編輯:姚遠香
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
曝光
+關注
關注
0文章
23瀏覽量
18351 -
光刻機
+關注
關注
31文章
1157瀏覽量
47579
發布評論請先 登錄
相關推薦
如何提高光刻機的NA值
本文介紹了如何提高光刻機的NA值。 為什么光刻機希望有更好的NA值?怎樣提高? ? 什么是NA值? ? 如上圖是某型號的光刻機配置,每代光刻機的NA值會比上一代更大一些。NA,又名
組成光刻機的各個分系統介紹
? 本文介紹了組成光刻機的各個分系統。 光刻技術作為制造集成電路芯片的重要步驟,其重要性不言而喻。光刻機是實現這一工藝的核心設備,它的工作原理類似于傳統攝影中的曝光過程,但精度要求極高
用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術介紹
? 本文介紹了用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術。 芯片制造:光刻技術的演進 過去半個多世紀,摩爾定律一直推動著半導體技術的發展,但當光刻機的光源波長卡在193nm,芯片制程縮小至6
光刻機的工作原理和分類
? 本文介紹了光刻機在芯片制造中的角色和地位,并介紹了光刻機的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機:芯片制造的關鍵角色 ? ? 光刻機在芯片制造中占據著至關重要的地位,被譽為芯片制
一文看懂光刻機的結構及雙工件臺技術
,光刻機作為IC制造裝備中最核心、技術難度最大的設備,其重要性日益凸顯。本文將從光刻機的發展歷程、結構組成、關鍵性能參數以及雙工件臺技術展開介紹。 一、光刻機發展歷程 光刻機的發展歷程
俄羅斯首臺光刻機問世
據外媒報道,目前,俄羅斯首臺光刻機已經制造完成并正在進行測試。 俄羅斯聯邦工業和貿易部副部長瓦西里-什帕克(Vasily Shpak)表示,已組裝并制造了第一臺國產光刻機,作為澤廖諾格勒技術生產線
荷蘭阿斯麥稱可遠程癱瘓臺積電光刻機
阿斯麥稱可遠程癱瘓臺積電光刻機 據彭博社爆料稱,有美國官員就大陸攻臺的后果私下向荷蘭和中國臺灣官員表達擔憂。對此,光刻機制造商阿斯麥(ASML)向荷蘭官員保證,可以遠程癱瘓(remotely
臺積電A16制程采用EUV光刻機,2026年下半年量產
據臺灣業內人士透露,臺積電并未為A16制程配備高數值孔徑(High-NA)EUV光刻機,而選擇利用現有的EUV光刻機進行生產。相較之下,英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-NA EUV光刻機。
光刻機的發展歷程及工藝流程
光刻機經歷了5代產品發展,每次改進和創新都顯著提升了光刻機所能實現的最小工藝節點。按照使用光源依次從g-line、i-line發展到KrF、ArF和EUV;按照工作原理依次從接觸接近式光刻機發展到浸沒步進式投影
發表于 03-21 11:31
?6788次閱讀
ASML 首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 完成安裝
3 月 13 日消息,光刻機制造商 ASML 宣布其首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 已完成安裝,新機型將帶來更高的生產效率。 ▲ ASML 在 X 平臺上的相關動態
淺談不同階段光刻機工作方式
在曝光過程中,掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1,分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復接觸和分離,隨著曝光
發表于 03-08 10:42
?1425次閱讀
評論