一前言
在浪涌和靜電的過壓防護(hù)中,使用TVS管已經(jīng)是一個(gè)非常普遍的解決方式,有時(shí)候在前期測(cè)試沒有什么問題,但是在實(shí)際使用中會(huì)因?yàn)閭€(gè)別TVS管失效導(dǎo)致產(chǎn)品異常的情況。這個(gè)問題如果只是去模擬失效環(huán)境來驗(yàn)證,問題復(fù)現(xiàn)概率極低,此時(shí)我們可以通過分析失效器件來推斷失效環(huán)境。
二案例
產(chǎn)品使用一段時(shí)間出現(xiàn)異常,經(jīng)過排查確認(rèn)為充電口TVS管防護(hù)失效短路,將失效品在X-RAY下可看到晶圓已經(jīng)擊穿失效。
內(nèi)部晶圓有明顯擊穿
這種情況已經(jīng)基本知道因?yàn)殡娦阅軗舸┚A導(dǎo)致產(chǎn)品失效,但是還不清楚擊穿點(diǎn)貫穿大小(這對(duì)推斷失效環(huán)境很重要),將異常品去掉塑封觀察晶圓。
晶圓邊緣有擊穿點(diǎn)
通過去除塑封體可以清楚看到晶圓正反兩面擊穿破碎點(diǎn)在邊緣,且貫穿點(diǎn)較小,這種現(xiàn)象一般是超出器件本身承受能力但是并沒有過大,因此擊穿點(diǎn)在邊緣薄弱處。此TVS標(biāo)稱功率為400W,隨機(jī)取19PCS驗(yàn)證器件承受能力。
器件浪涌功率測(cè)試
器件標(biāo)稱功率為400W,通過單獨(dú)器件測(cè)試可以得出:
(1)器件均能達(dá)到標(biāo)稱的400W,有余量。
(2)器件的余量不是固定的,會(huì)有差異。
由此分析認(rèn)為,客戶產(chǎn)品失效在使用一段時(shí)間后出現(xiàn),超出器件所承受的能量處于破壞的臨界值,但是器件本身因?yàn)榱粲杏嗔浚У漠a(chǎn)品推斷為余量較低的產(chǎn)品,改善對(duì)策可以把器件余量加大,將器件更換為600W的TVS管。
三總結(jié)
產(chǎn)品因?yàn)門VS失效異常很多時(shí)候沒法準(zhǔn)確模擬出失效環(huán)境,但是基于現(xiàn)有的失效產(chǎn)品來分析可以通過器件本身的信息來推斷失效的大致原因,這對(duì)于需要快速確定問題避免更多的損失非常有幫助。
———— / END / ————
溫馨提示
如果你喜歡本文,請(qǐng)分享到朋友圈,想要獲得更多信息,請(qǐng)關(guān)注我。
更多精彩推薦,請(qǐng)關(guān)注我們 ▼ 韜略科技
原文標(biāo)題:基于TVS管分析產(chǎn)品失效環(huán)境
文章出處:【微信公眾號(hào):韜略科技EMC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
審核編輯:湯梓紅
-
TVS
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
800瀏覽量
60826 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
4973瀏覽量
128315 -
器件
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
324瀏覽量
27946
原文標(biāo)題:基于TVS管分析產(chǎn)品失效環(huán)境
文章出處:【微信號(hào):TLTECH,微信公眾號(hào):韜略科技EMC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
EBSD失效分析策略

材料失效分析方法匯總

FIB技術(shù):芯片失效分析的關(guān)鍵工具

塑封器件絕緣失效分析

環(huán)境因素對(duì)晶振失效的影響及建議措施
IGBT器件失效模式的影響分析

電子元器件失效分析技術(shù)

評(píng)論