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SiTime MEMS硅晶振工業應用解決方案

SiTime樣品中心 ? 2022-02-09 16:10 ? 次閱讀

關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及,讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢,SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費樣品申請,小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務,更多信息請訪問www.sitimechina.com,客戶服務熱線400-888-2483。

工廠自動化

單端、差分和擴頻振蕩器

SiT8918/SiT8919 | SiT9366/SiT9367 | SiT9005

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  • 高溫操作:-55℃ ~ +105°C

  • 典型振動:0.1 ppb/g

  • EMI降低:降低30dB


智能電網

MHz TCXO和32 KHz振蕩器

SiT5356/SiT5357 | SiT1630

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  • 高達105°C的高精度振蕩器:±100 ppb

  • 氣流和抗熱、震:1 ppb/°C

  • 低功耗,可延長電池壽命,100 KHz時為4.5μA


全球導航衛星系統精密定位

OCXO和TCXO

SiT5711 | SiT5356/SiT5357

228753b16f7db5037dfcbd2b65fa9756.jpg

  • 高精度:±5 ppb至±100 ppb

  • 典型振動:0.1 ppb/g

  • 高可靠性:>10億小時平均無故障時間(MTBF)


測試和測量

OCXO、TCXO、差分、單端振蕩器

SiT5711 | SiT5356/SiT5357 | SiT9366/SiT9367 | SiT8008/SiT8009

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  • 老化率:20年以上不超過±500ppb

  • 編程性:寬范圍內的任何頻率、穩定性、電壓

  • 縮小尺寸:Stratum 3E OCXO


工業物聯網

TCXO和32KHz振蕩器

SiT5356/SiT5357 | SiT1532/SiT1533/SiT1630

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  • 高精度:±100 ppb,3e-11 ADEV

  • 低功耗,延長電池壽命

  • 最小尺寸32KHz TCXO:1.5 mm x 0.8 mm


關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及,讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢,SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費樣品申請,小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務,更多信息請訪問www.sitimechina.com,客戶服務熱線400-888-2483。


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