佳能計劃上半年發售3D半導體光刻機 格科半導體正式搬入光刻機
佳能將于2023年上半年發售3D半導體***
據報道，佳能正在開發用于半導體3D技術的***。在尖端半導體領域，3D技術可以通過堆疊多個芯片來提高半導體的性能。佳能新的***產品最早將于2023年上半年上市。曝光面積擴大至現有產品的約4倍，可支持AI使用的大型半導體生產。
格科半導體正式搬入***
從2022年3月7日開始，格科半導體順利搬入***主要廠商之一——ASML的相關設備。3月24日，格科半導體再次迎來了重要階段性成果，成功實現整套ASML***中的關鍵設備——先進ArF***的搬入。
目前，格科半導體潔凈室已按計劃分階段順利驗收，相關廠務系統配備進展順利，共有六十一臺設備已經搬入。
HigH NA EUV***首度亮相！
在一場CNBC對全球***龍頭ASML的采訪視頻中，不僅ASML的EUV***工廠映入眼簾，還展示了ASML新一代高數值孔徑 （High-NA） EUV***EXE:5000系列。
目前能夠制造7nm以下先進制程的EUV***，一臺售價約2億美元，只有ASML一家能夠供應，且產能有限。而可以制造2nm先進制程的ASML的新一代高數值孔徑 （High-NA） EUV***EXE:5500的售價將更是高達3億美元。
文章綜合36氪、財聯社、張通社
編輯：黃飛
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
佳能
+關注
關注
2文章
391瀏覽量
39653 -
光刻機
+關注
關注
31文章
1158瀏覽量
47583 -
格科微電子
+關注
關注
1文章
40瀏覽量
12726
發布評論請先 登錄
相關推薦
半導體設備光刻機防震基座如何安裝？
半導體設備光刻機防震基座的安裝涉及多個關鍵步驟和考慮因素，以確保光刻機的穩定運行和產品質量。首先，選擇合適的防震基座需要考慮適應工作環境。由于半導體設備通常在潔凈的環境下運行，因此選擇
如何提高光刻機的NA值
本文介紹了如何提高光刻機的NA值。 為什么光刻機希望有更好的NA值？怎樣提高？ ? 什么是NA值？ ? 如上圖是某型號的光刻機配置，每代光刻機的NA值會比上一代更大一些。NA，又名
組成光刻機的各個分系統介紹
? 本文介紹了組成光刻機的各個分系統。 光刻技術作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機是實現這一工藝的核心設備，它的工作原理類似于傳統攝影中的曝光過程，但精度要求極高，能夠達到
用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術介紹
? 本文介紹了用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術。 芯片制造：光刻技術的演進 過去半個多世紀，摩爾定律一直推動著半導體技術的發展，但當光刻機
光刻機的工作原理和分類
，是半導體產業皇冠上的明珠。芯片的加工過程對精度要求極高，光刻機通過一系列復雜的技術手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖
半導體產業競速:Hyper-NA EUV光刻機挑戰與機遇并存
。在這場技術競賽中，光刻機作為半導體制造的核心設備，其重要性不言而喻，而荷蘭巨頭阿斯麥（ASML）無疑是這一領域的領航者。
俄羅斯首臺光刻機問世
的一部分，目前正在對其進行測試，該設備可確保生產350nm的芯片。什帕克還指出，到2026年將獲得130nm的國產光刻機，下一步將是開發90nm光刻機，并繼續向下邁進。 此前，俄羅斯曾表示，計劃到2026年實現65nm的芯片節點
臺積電A16制程采用EUV光刻機，2026年下半年量產
據臺灣業內人士透露，臺積電并未為A16制程配備高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機，而選擇利用現有的EUV光刻機進行生產。相較之下，英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-NA EUV
光刻機的發展歷程及工藝流程
光刻機經歷了5代產品發展，每次改進和創新都顯著提升了光刻機所能實現的最小工藝節點。按照使用光源依次從g-line、i-line發展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機發展到浸沒步進式投影
發表于 03-21 11:31
?6795次閱讀
ASML光刻機技術的領航者，挑戰與機遇并存
ASML在半導體產業中扮演著舉足輕重的角色，其光刻機技術和市場地位對于全球半導體制造廠商來說都具有重要意義。
發表于 03-05 11:26
?1428次閱讀
工商網監
評論