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實現(xiàn)7nm芯片的國產(chǎn)化 將滿足國內(nèi)超過90%需求

要長高 ? 來源:農(nóng)村創(chuàng)業(yè)經(jīng) ? 作者:農(nóng)村創(chuàng)業(yè)經(jīng) ? 2022-04-21 10:54 ? 次閱讀

實現(xiàn)7nm產(chǎn)能,國內(nèi)90%芯片需求將無限供應(yīng)!

在芯片成型的整個過程中,最關(guān)鍵、最難的在于制程工藝上,雖然全球范圍內(nèi)也有很多芯片制造廠商,但能夠?qū)崿F(xiàn)7nm以下工藝的,卻只有臺積電以及三星。

在摩爾定律極限之下,雖然兩家公司都將實現(xiàn)3nm制程工藝,但卻也伴隨著發(fā)熱嚴重、功耗大等等問題,導致在性能的提升上也極其地有限。

雖然臺積電此前表態(tài),將會在2025年實現(xiàn)2nm的工藝,但其中存在著諸多的不確定性,傳統(tǒng)的硅基芯片時代,也即將走向終點,需要新技術(shù)和新工藝的誕生,才能夠讓芯片產(chǎn)業(yè)持續(xù)地發(fā)展下去。

目前臺積電也調(diào)整了技術(shù)方向,后續(xù)將會把重心放在先進封裝工藝上,不僅能夠擺脫對***的依賴,還能夠有效地縮減成本,而基于封裝工藝的“雙芯疊加”技術(shù),目前已經(jīng)得到了市場的認證,這也是后續(xù)華為的方向。

國產(chǎn)工藝水平

由于國內(nèi)工業(yè)制造水平較為薄弱,導致了華為海思設(shè)計的尖端芯片,難以完成本土自主化制造,華為所面臨的芯片供應(yīng)問題,同樣也是整個中國芯片領(lǐng)域的縮影。

現(xiàn)階段中國能夠?qū)崿F(xiàn)的量產(chǎn)工藝為14nm,雖然在良品率上等同于臺積電,但依然要高度依賴于ASML的DUV***,而中芯國際利用現(xiàn)有的資源,利用特殊的工藝也算是實現(xiàn)了不亞于7nm性能的芯片!

目前中芯國際初代的N+1工藝芯片,已經(jīng)成功實現(xiàn)了小規(guī)模的量產(chǎn),目前已經(jīng)在推進N+2工藝的研發(fā)了,在成功實現(xiàn)之后,在邏輯面積上將無限接近于臺積電的7nm芯片,目前已經(jīng)進入風險試產(chǎn)的狀態(tài)了。

而一旦能夠?qū)崿F(xiàn)7nm芯片的國產(chǎn)化,就意味著國內(nèi)超過90%的需求已經(jīng)能夠滿足了,芯片的供應(yīng)也不會再中斷。

而7nm及以上的制程芯片,也占據(jù)了全球市場90%以上的份額,5nm及以下的芯片,就目前而言,市場需求量并不是很大,基本只用于手機、電腦等等智能電子產(chǎn)品上,傳統(tǒng)工業(yè)依然依賴于成熟的制程工藝。

成熟工藝的重要性

華為除了手機業(yè)務(wù)之外,對芯片的需求基本維持在7nm以上,華為本身就是一家通訊企業(yè),只要能夠保證5G業(yè)務(wù)的正常開展,就能夠很好地在國際市場上保持競爭力,也能夠擁有足夠多的營收,維持研發(fā)經(jīng)費的投入。

鴻蒙系統(tǒng)誕生之后,萬物互聯(lián)時代常被提及,而在這個范圍內(nèi),對于芯片的需求,基本維持在14nm左右,包括目前處于風口的智能汽車領(lǐng)域,芯片需求也基本維持在這個水平。

因此只要國內(nèi)能夠完成,對于7nm芯片的完全自主化,那么就不用擔心受到相關(guān)限制的困擾了,國內(nèi)超過九層的芯片都能夠?qū)崿F(xiàn)無限制生產(chǎn)。

而這樣的數(shù)據(jù)也不是毫無根據(jù)的,據(jù)統(tǒng)計2021年芯片消耗量達到了1.15萬億元,其中有80%是來自14nm及以上芯片,而7nm芯片則占據(jù)了10%的市場份額,也就意味著超過90%的市場需求,來源于7nm及以下芯片。

而正是因為我們使用的手機,才造成了5nm芯片需求量大的假象,實則除了數(shù)碼產(chǎn)品之外,基本找不到使用這么高端芯片的領(lǐng)域了。

芯片領(lǐng)域正在面臨轉(zhuǎn)型

臺積電并沒有預定ASML最新的***,其中就釋放出了一定的信號,在后續(xù)幾年芯片領(lǐng)域?qū)l(fā)生很大的變革。

臺積電此前就聯(lián)合英特爾成立了“小芯片聯(lián)盟”,目前包括三星、高通、蘋果等等企業(yè),都已經(jīng)加入了這個聯(lián)盟內(nèi),而成立這個聯(lián)盟的目的,就是利用先進的封裝技術(shù),在降低芯片成本的同時,還能夠有效地提升芯片性能。

目前“芯片堆疊”方式已經(jīng)取得了初步成效,在蘋果的M1 Ultra芯片上實驗成功,將兩顆芯片堆疊在一起,成功實現(xiàn)了性能的翻倍,如果將此項工藝用于7nm芯片上,則可以有效提升芯片40%的性能。

而目前國內(nèi)即將完成對于14nm芯片的完全自主化,屆時再利用上“雙芯疊加”工藝,就可以利用兩顆14nm芯片,實現(xiàn)不亞于7nm芯片性能的芯片,基本上能夠滿足國內(nèi)的需求了,屆時就能夠真正實現(xiàn)九層芯片的無限制生產(chǎn)了。

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