為了能更加清晰透徹的掌握ESD保護電路的設計，今天就用實際的例子進行一遍電路的計算選型，假定C ESD = 330pF，V ESD = 8kV，我們的任務是計算需要安裝在IC引腳邊上的陶瓷電容器的容值值，并且IC的引腳只能承受 200V 的浪涌電壓，這意味著我們ESD保護電容需要確保出現在IC引腳上的電壓不能超過200V。

1.計算過程如下：

IC引腳上的最大電壓不能超過200V，我們考慮留有40%的余量，不能直接拿200V來計算，根據經驗，我們僅使用 200V 的 60%，也就是120V，這意味著靜電放電后電容上的電壓為120V，Vfinal=120V。

那么電容的容值可以用下面的公式進行計算：

C1=(Cesd*Vesd)/Vfinal-Cesd=(330pF*8kV)/120V-330pF=21.67nF;

那么最接近計算值的電容的標準值為22nF。我們再正向計算一下22nF的C1電容值將在IC引腳上產生電壓為：

Vfinal=(Cesd*Vesd)/(Cesd+C1)=(330pF*8kV)/(22nF+330pF)=118.23V;

因此，我們需要使用額定電壓為200V的22nF陶瓷電容器才能實現ESD防護的目的。

2.注意事項：

電容器作為ESD保護器件，成本低應用廣泛，需要注意的是對于不需要非?？焖夙憫碾娐窇檬怯行У?，然而，由于電容存在著充放電，這會導致電路在正常工作時，信號會有一定的延時，對于需要非?？焖夙憫膽茫缍搪?a target="_blank">檢測、過壓檢測等，我們采用較大值的電容去做ESD防護可能就不適合了，因為這會給引腳信號引入明顯的延遲，這個時候可能就需要考慮成本更高的TVS了。

審核編輯：湯梓紅