1.前言
假定我們設計電路中的功率MOSFET的總計算功耗為10W。該器件的最高結溫為150℃。考慮到結到外殼還存在溫差,那么MOSFET的實際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可靠運行。假定MOSFET的結到外殼的熱阻為3K/W,那么我們如何確定所需的最小散熱器尺寸呢?
2.解決方案
功率MOS的熱阻Rthjc在上面假定為3K/W。這里的熱阻Rthch表示的是MOSFET外殼和散熱器之間的熱阻,一般來說Rthch較小,可以忽略,所以在這個散熱器熱阻計算示例中,就不考慮MOSFET外殼和散熱器之間的熱阻的影響。但是,我們應該考慮余量,可以得到下面的等式。我們所追求的是術語Rth hsa,它是散熱器的熱阻。修改上面的方程我們得到
![poYBAGKG8IGAYnelAAAvMWeMrMw920.png](https://file.elecfans.com/web2/M00/44/B8/poYBAGKG8IGAYnelAAAvMWeMrMw920.png)
所以我們主要考慮的是Rth_hsa(散熱器自身熱阻):
![poYBAGKG9byAMpPCAACg-iz48as156.png](https://file.elecfans.com/web2/M00/44/B9/poYBAGKG9byAMpPCAACg-iz48as156.png)
需要注意的是我們忽略了MOSFET外殼到散熱器之間的熱阻,在進行散熱器熱阻選型時要選擇遠低于2K/W的散熱器,如果太大的話那就不能忽略了。需要注意的是上述的計算K表示開爾文,如果要轉換成攝氏度,可以通過下面的公式進行轉換。
![poYBAGKG9vaANvd-AAAgzqv36vA625.png](https://file.elecfans.com/web2/M00/44/BA/poYBAGKG9vaANvd-AAAgzqv36vA625.png)
審核編輯:湯梓紅
-
MOSFET
+關注
關注
147文章
7240瀏覽量
214257 -
散熱器
+關注
關注
2文章
1057瀏覽量
37753
發布評論請先 登錄
相關推薦
手機散熱器拆解
![](https://file.elecfans.com/web2/M00/AF/76/pYYBAGSivyuAXuUJAAvQBSk2OAY568.png)
IGBT模塊散熱器的應用
IGBT模塊散熱器選擇及使用原則
IGBT模塊散熱器的應用
選擇CPU散熱器常見的五大誤區盤點
散熱器大小尺寸的計算設計要滿足相應的散熱要求
![<b class='flag-5'>散熱器</b>大小<b class='flag-5'>尺寸</b>的計算設計要滿足相應的<b class='flag-5'>散熱</b>要求](https://file.elecfans.com/web1/M00/9D/08/pIYBAF0tNeCAG7y2AAALtcBbqmc640.png)
評論