4月5日,華為公開了3D堆疊芯片封裝專利技術,引發熱議。該項技術是基于舊節點,采用混合3D堆疊方式,相對現有的2.5D和3D封裝技術更具有通用性。這也是華為被美國制裁后,為保持自身競爭力,在封裝領域的又一技術突破。由此可見,先進封裝技術無疑將會成為全球巨頭廠商角逐的重要戰場。
一、芯片行業背景
隨著5G、高性能運算、人工智能(AI)和物聯網技術的迅速發展,數字化進程加快,芯片市場需求提高顯著。
另一方面,疫情爆發催生出了“宅經濟”效應,遠程辦公及學習人數劇增,數碼設備需求加大也推動著芯片需求上升。
根據半導體產業協會公布數據,2021年全球芯片銷售額達到5559美元。中國芯片總銷售額為1925億美元,同比增長27.1%;美洲同比增長27.4%,歐洲增長27.3%;亞太地區/其他國家增長了25.9%;日本則增長了19.8%。
二、先進封裝技術
隨著終端應用如手機、電腦、AI等更加智能化、精密化發展,其對高算力、高集成化芯片的需求提升,傳統封裝集成技術已不能滿足市場需求,隨之以FlipChip(倒裝)、2.5D/3D IC(立體封裝)、WLP(晶圓級封裝)、Sip(系統級封裝)為代表的先進封裝技術將成為未來發展趨勢。
傳統封裝技術效率較低,封裝體積大。先進封裝技術能實現更高密度的集成,減少面積浪費,縮小芯片間的連接距離,提高元器件的反應速度,極大降低成本。
被業界稱為“芯片高級樂高游戲”的先進封裝,不斷吸引大廠爭相投入。無論是臺積電、三星、英特爾,還是傳統的OSAT廠商日月光、安靠、長電科技等都加大先進封裝產業布局、在技術對決上形成強烈競爭。
臺積電:
TSMC(臺積電)目前已將其先進封裝相關技術2.5/3D, 整合為"3D Fabric"集成化技術,可以應用到不同類型的芯片(例如處理器、內存或傳感器)堆疊,能實現芯片尺寸更小、性能更強,降低成本。
三星:
三星現以I-Cube(2.5D)、X-Cube(3D)兩種封裝技術為主,其立足于自身存儲技術優勢,運用2.5/3D堆疊封裝技術協助客戶降低設計成本,這很大程度上確保其封裝產能規模穩定擴充。
英特爾:
英特爾擁有可實現邏輯計算芯片高密度的3D 堆疊封裝技術 Foveros;融合了2D 和 3D 封裝技術的Co-EMIB;未來會進一步開發“全新全方位互連(ODI)技術”,為多芯片封裝中的小芯片之間的全方位互連通信提供更高的靈活性。
三、市場規模及投資
根據半導體分析機構Yole數據顯示,2021年全球封裝市場規模約達777億美元,其中全球先進封裝市場規模約為 321億美元,約占比41.3%。Yole預測,先進封裝在全部封裝的占比將從2021年的41.3%增長到2025年的49.4%,已成為封裝技術迭代的主要動力。
投資方面,2021年,全球半導體廠商在先進封裝領域的投資約為119億美元。其中,英特爾投入35億美元,以支持Foveros3D封裝技術和EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)技術的發展;臺積電投入30.5億美元,為3D片上系統組件定義新的系統級路線圖和技術;日月光投入20億美元,進一步推進Chip Last FOCoS先進封裝量產及技術升級;三星作為3D堆疊內存解決方案的領導者,在先進封裝領域的資本支出為15億美元。
四、先進封裝設備升級
芯片先進封裝市場潛力巨大,相應的先進封裝設備賽道也十分明朗。
但隨著先進封裝技術向更高密度集成發展,其對封裝設備在更小線寬處理、顆粒控制、工藝精度控制、機臺穩定性等方面提出了更高的要求。芯片封裝過程中使用高精度、高穩定性、高效率的貼片機等設備,可以極大地提高封裝效率和出品良率。因此,芯片貼裝設備升級是封測廠商在未來投資重點。
可編程高精力控,降低損耗
國奧直線旋轉電機帶有“軟著陸”功能,可實現±1g以內的穩定力度控制,支持速度、加速度及力度控制的程序化設定,使貼裝頭能夠以非常精準的壓力觸碰芯片表面,降低損耗;
采用中空Z軸設計,預留氣管接口,真空吸取、即插即用,并可根據元件結構及特性提供定制化服務。
高精度對位、貼片,保證良率
微米級位置反饋,獲取精準數據,±0.01N力控精度,±2μm直線重復定位精度,±0.01°旋轉重復定位精度,徑向偏擺小于10μm,編碼器分辨率標準1μm,可在高速運行狀態下仍穩定輸出,提升良率及可靠性。
“Z+R”軸集成設計,提升速度
創新性的雙軸集成化解決方案,將傳統“伺服馬達+滾珠絲桿”合二為一,解決了Z軸自重負載問題,高速、精準完成元件Pick & Place,貼裝等動作,推力曲線平滑,峰值推力8-50N,有效行程10-50mm ,超高循環壽命,實現高效生產。
體積小,重量輕,可電機組合排列
直線旋轉電機LRS2015重量僅605g,輕巧的機身重量大大減輕了設備高速運動中負載帶來的影響。電機厚度僅為20mm,在設備有限的內部空間中可以并排安裝多組電機,減少芯片貼裝往復運動過程,提升設備貼裝效率。
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