佳能將于2022年8月初發售KrF※1半導體光刻機“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產能升級配件包（以下簡稱“Grade10”升級包）。KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a” 自發售至今，已經在生產存儲器和邏輯電路的大型半導體器件制造廠商中收獲良好口碑，此次發布的“Grade10”升級包將助力該設備在300mm晶圓規格基礎上，以每小時高達300片※2晶圓的加工能力實現半導體光刻行業內的更高水平※3。

隨著市場對半導體器件需求的持續增長，半導體器件制造廠商也在不斷尋求具備更高生產能力的半導體光刻設備。自2012年4月推出KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a”以來，佳能在提升設備生產能力的過程中不斷實現產品的升級與迭代，并在市場中贏得了客戶群體的廣泛認可和高度信賴。

新發布的“Grade10”升級包能夠在300mm晶圓規格基礎上，實現每小時300片晶圓的高效率生產。此外，這一升級包將于2023年在KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a”的200mm兼容設備上得到應用。

實現行業更高水準的生產效率

“Grade10”升級包通過加快工作臺和傳送系統的驅動，縮短了曝光時間和傳輸時間，以每小時300片晶圓的產能，實現半導體光刻行業的更高水準生產。同時，這是佳能在半導體光刻設備上首次搭載基于人工神經網絡※4的工作臺控制系統，減少高速驅動產生的振動，以保持高精度光刻水準。此外，通過選取套刻精度（Overlay）配件，在提升產能的同時，更可實現高達4nm※5的套刻精度。

支持現有設備的升級

對于已經在半導體器件制造廠商中投入使用的KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a”※6，無需更換設備即可通過使用“Grade10”升級包進一步提高生產效率。

未來，佳能將繼續帶來多樣化的解決方案，并提供能夠有效提升生產效率的配件升級，更好地滿足半導體光刻設備市場的需求。

*1 使用波長248nm，由氪（Kr）氣體和氟（F）氣體產生的激光的半導體光刻機。1納米（納米）是10億分之一米。*2在300mm晶圓規格基礎上和96次曝光條件下，每小時的晶圓曝光處理數量。

*3在支持300mm晶圓規格的KrF半導體曝光設備中；統計時間截至2022年6月12日（佳能調查顯示）。

*4 模仿腦神經結構的機器學習算法之一。

*5 單機自身的套刻精度。

*6 需要應用于KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a”的Plus機型。

**為方便讀者理解，本文中佳能可指代：佳能光學設備（上海）有限公司，佳能（中國）有限公司，佳能股份有限公司，佳能品牌等