據相關消息報道,現階段臺積電正在研發更先進的2nm制程工藝,采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術,計劃將會在 2025年實現量產。
在先前,臺積電也公布了關于N2工藝技術的相關信息,官方稱此工藝技術將會成為首個使用GAAFET晶體管的制程節點。
據了解,N2工藝和N3工藝相比較芯片上的晶體管數量增加一倍,芯片密度增加約1.1倍,隨之芯片的性能也會隨之翻倍提升。
此前有消息透露稱,臺積電2nm第一期廠預計將會在2024年底前進行投入生產。在2024年進行風險試產,預計將會在在2025年進行實現量產。
審核編輯:郭婷
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