比亞迪IGBT，IPM，F(xiàn)RD,SIC的參數(shù)及電路拓補(bǔ)圖
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
比亞迪
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2329瀏覽量
54354 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1269文章
3834瀏覽量
250080
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管
?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動(dòng)下，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的變革。隨著對(duì)高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長，BASiC基本公司
SiC MOSFET的參數(shù)特性
碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特
Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工
儲(chǔ)能產(chǎn)品的“守護(hù)者”——IPM
應(yīng)用中。IPM內(nèi)部集成了IGBT或其他類型的功率開關(guān)，以及保護(hù)電路如過流、過熱等保護(hù)功能。 這種集成設(shè)計(jì)有助于簡化系統(tǒng)的整體設(shè)計(jì)，提高可靠性，并減少外部元件的數(shù)量。在工業(yè)驅(qū)動(dòng)、白色家電、汽車電子等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。而在儲(chǔ)能系統(tǒng)中
正激電路拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)的分類及比較
1． 引 言 在各種間接直流變流電路中，正激DC/DC變換器具有電路拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)簡單，輸入輸出電氣隔離，電壓升、降范圍寬，易于多路輸出等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場合，尤其在供電電源要求
華芯邦智能功率模塊IPM革新戴森平替高速吹風(fēng)機(jī)應(yīng)用消費(fèi)家電領(lǐng)域應(yīng)用
IPM模塊通常包括一個(gè)功率MOSFET、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）或SiC（碳化硅）等開關(guān)器件，以及一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，用于控制這些開關(guān)器件的導(dǎo)通和截止。此外，
博微BW-4022A 半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試針對(duì)Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等高精度靜態(tài)參數(shù)包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏
IGBT IPM的短路電流保護(hù)功能
短路電流保護(hù)功能（SCP）是通過在IPM外部連接分流電阻并將電阻產(chǎn)生的電壓反饋至CIN引腳電路的功能。
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IG
為什么逆變器這個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?b class='flag-5'>IGBT IPM的需求很大？
ROHM于2021年4月宣布推出600V耐壓IGBT IPM（Intelligent Power Module）新產(chǎn)品“BM6337x系列”，隨后又新增了“BM6357x系列”。
一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
IGBT IPM的優(yōu)點(diǎn)有哪些
IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護(hù)特性，其優(yōu)點(diǎn)可以總結(jié)如下： 集成度高： IGBT
什么是IGBT IPM 有什么特點(diǎn)
IPM代表“Intelligent Power Module”，它是一種集合了IGBT、MOSFET等分立的功率半導(dǎo)體器件，以及它們的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路于一體的模塊。這種設(shè)計(jì)使得
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論