1、MOS名稱

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。場效應晶體管(Field EffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。

所以全稱縮寫為：MOSFET,在正式的場合均用MOSFET(設計文稿、專業(yè)論壇、文章)而不用MOS。

2、MOS特點

由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10的8次方Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為三極管的強大競爭者。

場效應管(FET)是利用控制輸入回路(柵極控制)電場效應來控制輸出回路(IDS)電流的一種半導體器件，并以此命名.

3、MOSFET金屬氧化物半導體場效應晶體管的結構

4、MOSFET工作原理

N MOS工作原理：當VDS加正向電壓，VGS未加電壓時，兩個N型半導體材料中間有P型半導體，有一個PN結始終處于反偏狀態(tài)，所以MOS不導能。如下圖，在VGS加正向電壓時，金屬與半導體中間有絕緣層不導通，但形成的電場將P型半導體的多子(空穴)向下推開，吸引兩個N型半導體的多子(電子)在絕緣層下形成通道，兩個N型半導體導通。控制VGS大小(即形成的電場)即可控制溝道的寬度，從而控制IDS電流的大小。

P MOS工作原理：當VDS加反向電壓，VGS未加電壓時，兩個P型半導體材料中間有N型半導體，有一個PN結始終處于反偏狀態(tài)，所以MOS不導能。如下圖，在VGS加反向電壓時，金屬與半導體中間有絕緣層不導通，但形成的電場將N型半導體的多子(電子)向下推開，吸引兩個P型半導體的多子(空穴)在絕緣層下形成通道，兩個P型半導體導通。控制VGS大小(即形成的電場)即可控制溝道的寬度，從而控制IDS電流的大小。

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審核編輯：湯梓紅