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移動通信、車聯(lián)網(wǎng)為什么越來越需要Connect-SOI?

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃晶晶 ? 2022-07-26 18:26 ? 次閱讀

每次通信時代更迭都對前端模塊的設(shè)備數(shù)量與性能提出越來越高的要求。智能手機出現(xiàn)以來,從4G5G時代無線網(wǎng)絡(luò)速率不斷提升,其射頻前端的復(fù)雜度、信號完整性更面臨挑戰(zhàn)。而如今,世界上所有的智能手機都離不開Soitec的RF-SOI 技術(shù)。最近Soitec移動通信部門高級業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理LuisAndia向包括電子發(fā)燒友網(wǎng)在內(nèi)的媒體們分享了Soitec在Connect-SOI方面的技術(shù)和市場情況。

Soitec一直致力于三大戰(zhàn)略市場,包括移動通信市場、汽車和工業(yè)市場、智能設(shè)備市場。在移動通信市場領(lǐng)域,Soitec的產(chǎn)品主要包括目前總稱為Connect-SOI的RF-SOI、FD-SOI。此外還包括用于濾波器的POI和用于高功率產(chǎn)品的GaN。這些產(chǎn)品主要是應(yīng)用于5G毫米波、5G sub-6 GHz、移動蜂窩以及WiFi、超寬帶UWB等的應(yīng)用。

LuisAndia表示,Soitec在這個戰(zhàn)略市場的產(chǎn)品不僅覆蓋手機和通信基礎(chǔ)設(shè)施,還覆蓋所有無線連接的需求,比如來自于汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)等。

射頻前端的需求變化


RF-SOI最早在2020年被應(yīng)用于智能手機的射頻開關(guān)和一些射頻前端控制器當(dāng)中。隨著后來4G LTE的技術(shù)演進(jìn)出現(xiàn)天線調(diào)諧器,以及前端模塊更復(fù)雜,RF-SOI也被應(yīng)用到越來越多的天線調(diào)諧器以及開關(guān)當(dāng)中。

5G的到來,手機需要更加復(fù)雜的模塊和更高的集成度,例如5G 毫米波對于高集成度有著更強烈的需求。這時,LNA被集成到開關(guān)當(dāng)中。

據(jù)介紹,目前,超過80%的集成低噪聲放大器都是基于RF-SOI開發(fā)的,接近100%的天線調(diào)諧器在用Soitec的SOI技術(shù)。接近100%的射頻開關(guān)都是基于Connect-SOI技術(shù)開發(fā)。


現(xiàn)在,RF-SOI已經(jīng)被用在不同的5G毫米波基礎(chǔ)設(shè)施當(dāng)中,包括在5G手機上。例如Google的Pixel 6手機就采用了Soitec的FD-SOI優(yōu)化襯底。不僅應(yīng)用于手機,RF- SOI還用于廣泛的物聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備上,像智能耳機、手表等等。


另外,由于汽車對于連接性的需求和依賴程度越來越高。目前的遠(yuǎn)程通信包括蜂窩、V2X、WiFi、藍(lán)牙等等。而這幾種不同的射頻系統(tǒng)需要在內(nèi)部共存,并且不能對彼此產(chǎn)生干擾,那么對于射頻系統(tǒng)模塊的設(shè)計要求也更高。

以一個集成的網(wǎng)聯(lián)車?yán)锏牟煌漕l系統(tǒng)模塊來看,在TCU及內(nèi)部射頻系統(tǒng)詳解圖中能夠看到藍(lán)色的都是建立在Soitec的SOI產(chǎn)品之上。Soitec的SOI產(chǎn)品能夠確保優(yōu)秀的信號完整性(signal integrity),給汽車的連接帶來極高的可靠性和穩(wěn)定性,因此Soitec的SOI產(chǎn)品已經(jīng)非常成功地用于滿足汽車的需求。


5G 毫米波也面臨著相似的困擾,它需要極高的集成度,解決非常具有挑戰(zhàn)性的波形問題。近期格芯和意法半導(dǎo)體在法國合建了新的晶圓廠,致力于提升FD-SOI的產(chǎn)能。其中一個將使用該晶圓廠產(chǎn)能的客戶就是高通,它將FD-SOI用于5G毫米波。


RF-SOI襯底的獨特優(yōu)勢


RF- SOI之所以能夠獲得認(rèn)可并廣泛應(yīng)用,是因為RF-SOI能夠保證非常高的信號的線性度和信號完整性。

Luis Andia分析,在對SOI+低電阻率晶圓、SOI+高電阻率晶圓、RFeSI SOI富陷阱+高電阻率晶圓這三類進(jìn)行比較,可以發(fā)現(xiàn)在這三種材料中,RFeSI SOI富陷阱+高電阻率晶圓的信號失真度(distortion)是最低的,線性度是最高的。


他指出,通過富陷阱層,能夠捕捉氧化埋層以及高電阻操作層中游離的寄生電荷(parasitic charge)。這樣保證了襯底非常高的電阻率,進(jìn)而帶來極高的線性度,不僅僅是為晶體管,也為其他的無源器件的提供高線性度。

這樣極高的線性度能夠幫助實現(xiàn)WiFi系統(tǒng)和蜂窩系統(tǒng)的共存,減少相鄰頻段的干擾。比如在幻燈片中展示的,Band的干擾和WiFi信號的相鄰?fù)ǖ佬孤抖急粶p少。



“由于富陷阱層,我們能實現(xiàn)非常好的隔離,不管是數(shù)字信號還是模擬信號,即便是在這個非常復(fù)雜的5G 毫米波的射頻前端,我們也能夠?qū)崿F(xiàn)隔離,從而防止信號串?dāng)_。”他說道。

可持續(xù)性發(fā)展與擴產(chǎn)規(guī)劃


在可持續(xù)發(fā)展的戰(zhàn)略方向上,Soitec致力于減少全球的碳足跡,助力全球到2026年實現(xiàn)1.5度以內(nèi)的溫升控制目標(biāo)。

首先是生產(chǎn)創(chuàng)新性的優(yōu)化襯底產(chǎn)品,比如說SmartSiC。與傳統(tǒng)的碳化硅相比,每生產(chǎn)50萬片的SmartSiC的晶圓,可以減少2萬噸的二氧化碳排放量。

其次,Soitec在法國總部的工廠實現(xiàn)100%的可持續(xù)能源的使用。此外還致力于在法國和新加坡的工廠實現(xiàn)每單位產(chǎn)量減少12%的水消耗。

在實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)的同時,Soitec也在致力于提升產(chǎn)能。


據(jù)介紹,Soitec最近的兩項新產(chǎn)能提升計劃,一是位于法國的生產(chǎn)200mm碳化硅的工廠,目標(biāo)是每年生產(chǎn)50萬片。二是位于新加坡的年產(chǎn)100萬/片的300mm晶圓廠,可以用于生產(chǎn)不同類型的優(yōu)化襯底產(chǎn)品,比如RF-SOI和FD-SOI。以此進(jìn)一步豐富Soitec的產(chǎn)品組合。另外,Soitec還重視全面生產(chǎn)碳化硅的產(chǎn)品,滿足客戶在工業(yè)、汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。

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