碳化硅 （SiC） 是一種下一代材料，計劃顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性，從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構(gòu)。

與過去幾十年相比，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長，到 2020 年，預(yù)計空中交通量將以每年 5% 的速度增長。新的航空航天世界在用于電源和電機控制的 SiC 器件中找到了新的電源管理解決方案。

碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET 在更高工作溫度下的穩(wěn)定可操作性吸引了研究人員對高功率密度功率轉(zhuǎn)換器的興趣。

用于飛機的 SiC 器件 More Electric Aircraft （MEA） 是 10 多年來專注于航空工業(yè)的研發(fā)課題，它代表了電子系統(tǒng)設(shè)計和生產(chǎn)的一場革命。結(jié)果導(dǎo)致新的電源解決方案從主要的輔助支持網(wǎng)絡(luò)擴展到顯著更高的能源需求，不僅為飛行娛樂系統(tǒng)（后部平面屏幕）供電，還為環(huán)境控制設(shè)備、電動機和無數(shù)安全系統(tǒng)供電和整個飛機的傳感器。

使用 SiC 和氮化鎵 （GaN） 等材料開發(fā)能夠承受高電壓和電流的新型半導(dǎo)體器件，為電力電子技術(shù)帶來了決定性的積極變化。SiC具有寬帶隙、高導(dǎo)熱性和高抗電場破壞能力，有助于降低功率損耗。除航空航天領(lǐng)域外，一個特定的應(yīng)用領(lǐng)域是電動汽車，其中對更緊湊、高功率密度和高溫運行的需求至關(guān)重要。

硅一直是許多應(yīng)用中的主要技術(shù)，但隨著這些新型寬帶功率半導(dǎo)體（特別是 SiC MOSFET 和 SiC 二極管）的出現(xiàn)，與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，電力電子設(shè)計人員可以利用新的更高開關(guān)速度并降低損耗。

此外，SiC MOSFET 技術(shù)有望顯著減小航空電子電源開關(guān)的尺寸和重量，顯著降低燃料消耗和排放，符合各國政府的目標。航空業(yè)已經(jīng)認識到 SiC 的潛在優(yōu)勢，它對電源系統(tǒng)的所有領(lǐng)域都有明顯的影響。

在飛機上，我們可以識別各種使用電源組件的電子系統(tǒng)。AC/DC 和 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換器用于高壓和低壓 （28 V） 的各種解決方案。

使用 SiC 器件的電力電子和電機驅(qū)動電路的關(guān)鍵設(shè)計問題之一是柵極驅(qū)動調(diào)節(jié)電路的管理。管理門控時序是一項嚴峻的挑戰(zhàn)。一種方法是平衡 SiC 器件的速度，以確保將損耗保持在最低水平，這可以通過精確的柵極驅(qū)動器設(shè)計來實現(xiàn)。

在過去幾年中，市場上來自多家供應(yīng)商的 1，200-V SiC MOSFET 在高溝道遷移率、氧化物壽命和閾值電壓穩(wěn)定性方面達到了出色的質(zhì)量水平。

飛機解決方案例如，Microchip Technology Inc. 通過其 Microsemi 子公司推出的新一代 1，200-V SiC MOSFET 和 1，200-V SiC 肖特基勢壘二極管 （SBD） 適用于開關(guān)電源和控制應(yīng)用商業(yè)航空和汽車領(lǐng)域的模式。一個例子是 40-mΩ MSC040SMA120B MOSFET，它提供高短路電阻以實現(xiàn)可靠運行。

SiC MOSFET 和 SiC SBD 的設(shè)計具有在額定電流下非鉗位感應(yīng)開關(guān) （UIS） 的高重復(fù)能力，不會出現(xiàn)退化或故障。在車載充電和 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中集成 SiC 器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和更低的損耗（圖 1）。

評估 SiC MOSFET 的一個重要參數(shù)是雪崩耐用性，它通過 UIS 測試進行評估。雪崩能量顯示了 MOSFET 在驅(qū)動感性負載時有時會發(fā)生瞬變的能力。

圖 1：Microsemi 的 MSC040SMA120B MOSFET 的動態(tài)特性。

SiC MOSFET 的故障時間 （FIT） 速度比 IGBT 低 10 倍。它們提供相似的標稱電壓，而 SBD 完善了 SiC MOSFET 的穩(wěn)健性，其 UIS 值比其他典型解決方案高 20%。與 IGBT 相比，它們還可以在更高的開關(guān)頻率下提供更好的效率、減小的系統(tǒng)尺寸和重量、高溫運行穩(wěn)定性 （175°C），并顯著節(jié)省冷卻成本。

由于碳化硅具有比硅更高的臨界破裂場，因此 SiC MOSFET 可以在比硅 MOSFET 更小的封裝中實現(xiàn)相同的額定電壓。Solid State Devices Inc. （SSDI）的 SFC35N120就是一個例子。1，200-V SiC 功率 MOSFET 提供低于 30 ns 的典型快速開關(guān)速度。該器件在 150°C 時的最大電阻為 190 mΩ，有助于并行配置并減少對風扇和散熱器等熱管理硬件的需求。

Analog Devices Inc. 與 Microsemi 之間的合作將首款用于 SiC 半橋電源模塊 的高功率評估板推向市場，其開關(guān)頻率高達 1，200 V 和 50 A @ 200 kHz。該卡旨在提高設(shè)計的可靠性，同時減少創(chuàng)建額外原型的需要以節(jié)省時間，以及降低成本和上市時間。大功率評估板適用于電動汽車 （EV） 充電、車載 EV/HEV 充電、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源、大功率電機控制和驅(qū)動系統(tǒng)、航空、磁共振和X 射線。

來自 Cree 公司 Wolfspeed的 1，200-V CAS325M12HM2 SiC 電源模塊采用 SiC 半橋拓撲結(jié)構(gòu)，代表了采用高性能 62-mm 封裝的新一代全 SiC 電源模塊。該模塊使用 1，200-V C2M SiC MOSFET 和 1，200-V 肖特基二極管。SiC 器件卓越的熱特性以及設(shè)計和封裝材料使該模塊能夠在 175°C 下運行，這對于許多工業(yè)、航空航天和汽車應(yīng)用來說是一個至關(guān)重要的優(yōu)勢。

結(jié)論與硅 MOSFET 和 IGBT 解決方案相比，SiC MOSFET 和 SiC SBD 產(chǎn)品線提高了電源系統(tǒng)的效率，同時降低了總擁有成本，允許擴展系統(tǒng)以及更小、更便宜的冷卻。

基于 SiC 的開關(guān)器件的主要優(yōu)勢之一是在惡劣環(huán)境 （600°C） 中運行，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機、車輛、通信設(shè)備和航天器。

今天，SiC MOSFET 是長期可靠的功率器件。未來，預(yù)計多芯片電源或混合模塊將在 SiC 領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。