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Integrity 3D-IC 的特色功能

Cadence楷登 ? 來源:Cadence楷登 ? 作者:Cadence楷登 ? 2022-09-06 14:19 ? 次閱讀

Integrity 3D-IC 平臺

提供了一系列三維堆疊設計流程,通過將二維芯片網(wǎng)表分解成雙層的三維堆疊結構,用戶可以探索三維堆疊裸片系統(tǒng)相對于傳統(tǒng)二維設計的性能優(yōu)勢,改善內存延遲,實現(xiàn)性能突破。

從二維設計中分離出存儲單元,并自動將其劃分為兩個工藝層,上層放置存儲單元 Macro Cells,下層放置邏輯運算單元 Standard Cells。該流程可以實現(xiàn)兩個裸片同時進行的時序驅動單元擺放。用戶還可以進一步運行標準的實現(xiàn)步驟,如時鐘樹綜合、時序優(yōu)化、布線等,將其作為傳統(tǒng)布局布線流程來完成三維堆疊設計實現(xiàn)。

今天我們來介紹 Integrity 3D-IC 的特色功能之一:

Memory-on-Logic 三維芯片堆疊設計流程

What is Memory-on-Logic?

Memory 指的是記憶存儲單元;Logic 指的是運算單元或處理單元。

Memory-on-logic(MoL)堆疊顧名思義,就是將存儲單元通過三維堆疊的設計方式,放置在運算單元所在裸片的上層裸片中,從而實現(xiàn)三維集成電路的三維堆疊結構。

Why is Memory-on-Logic?

我們現(xiàn)在正處于高速發(fā)展的人工智能時代,對計算機算力的需求日益旺盛,同時也對相關的集成電路芯片提出了更高的性能要求。

然而算力需求的快速增長和有限的算力提升速度形成了尖銳的矛盾,其具體表現(xiàn)在兩個方面:一是如今的摩爾定律越來越難以維系,器件尺寸微縮越來越困難;二個是現(xiàn)有的計算機架構——馮諾依曼存算分離架構的缺陷開始凸顯,出現(xiàn)了所謂的內存墻限制(Memory Wall Limitation)。

MoL 三維堆疊結構為上述瓶頸提供了解決思路。對于后摩爾時代背景下的工藝瓶頸,三維堆疊可以有效提升單位投影面積中晶體管的數(shù)目,3D-IC 從方法學角度提供了一種延續(xù)摩爾定律的可能;對于存算分離所引起的內存墻限制,通過把存儲單元通過三維堆疊放置到邏輯運算單元的正上方,盡可能縮短數(shù)據(jù)傳輸距離,從而進一步提升芯片性能,降低數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓摹4送猓ㄟ^ 3D-IC Memory-on-Logic 結構還可以對上下裸片采用不同的工藝制程,從而降低整體芯片的制造成本。

How to do Memory-on-Logic?

后端實現(xiàn)流程如下圖所示,對比傳統(tǒng)二維芯片,三維 MoL 芯片基于 3D-IC 專用物理后端實現(xiàn)平臺——Integrity 3D-IC,從 floorplan 階段開始就加入 3D-IC 的設計方法,通過 3D Mixed Placer 引擎同時進行 Macro Cells 和 Standard Cells 的自動布局,建立 Pseudo-3D 時序收斂流程,從而實現(xiàn) 3D-IC MoL 的迭代優(yōu)化、時鐘樹綜合、自動繞線等步驟,在簽核階段還可以通過 Integrity 3D-IC 平臺來調用各類 Signoff 工具實現(xiàn)各項簽核。

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1. 3D Mixed Placement

規(guī)劃 Floorplan 是傳統(tǒng)數(shù)字后端實現(xiàn)流程早期的一個重要階段,主要目標之一便是 Macro Cells 的放置。傳統(tǒng) Floorplan 的規(guī)劃需要經(jīng)過設計工程師多次的設計迭代,從而獲得一個互連線長盡量短、時序盡量收斂的 Floorplan 以供之后階段進行自動布局布線。如今,采用 Mixed Placement 實現(xiàn)流程,Macro Cells 和 Standard Cells 通過由擁塞、互連線長和時序驅動的 Mixed Placer 引擎同時進行放置,與傳統(tǒng)流程相比,Mixed Placement 可以大量減少設計工程師的手動工作量,從而實現(xiàn)更短的項目實現(xiàn)時間,并達到相當甚至更好的性能質量。而在最新的 Integrity 3D-IC 實現(xiàn)平臺,Mixed Placement 功能可以完美繼承到 3D-IC MoL 實現(xiàn)流程中,在進行 3D-IC Placement 的過程中幫助工程師用盡可能短的時間,獲得滿足要求的 Floorplan。3D-IC MoL Mixed Placement 引擎同樣由時序驅動,同時擺放 Macro Cells 和 Standard Cells,同時如圖中所示,還能支持在上層裸片中 80% 以上的高密度放置。

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2. Pseudo-3D Timing Closure Flow

在完成初步的 3D-IC MoL Floorplan 之后,可以在 Integrity 3D-IC 平臺中通過命令來建立 Pseudo-3D 時序收斂流程,完成 3D-IC MoL 的版圖實現(xiàn)。主要分為 3D 層次化結構的重建、Bump 物理位置分配、Pseudo-3D 自動布局布線、以及 3D-IC 數(shù)據(jù)庫的建立。

01 重建 3D 層次化結構

相較于傳統(tǒng)芯片的設計,3D-IC 設計的層次化結構的不同是顯而易見的。3D-IC 設計由于會將芯片分為上下兩個裸片—— Top Die 和 Bottom Die,天生就需要建立兩個單元模塊。工具會根據(jù)用戶的設定,建立兩個新的 Top-Level hInsts,隨后將所有設計中的 Macro Cells 歸入 Top hInst 中;剩下所有的 Standard Cells,在保留原有的層次化結構的基礎上,全部歸入Bottom hInst 中,其下級可繼承保持原始設計中的所有層次化結構。

02 分配 Bump 物理位置

從結構層面上實現(xiàn)三維分組之后,三維堆疊的互連問題也必須考慮。為了將上下裸片連接起來,最常用的方式是在頂部金屬層上通過微米量級尺寸的 Micro Bump 實現(xiàn)上下層“面對面”(Face-to-Face)的堆疊連接,由此實現(xiàn)數(shù)據(jù)和電源電信號跨層傳輸。在 Pseudo-3D 流程中,所選用的 Bump Cells 的物理位置需要在做實際繞線之前就固定好,并記錄其坐標信息。設計者不需要手動分配規(guī)劃 Bump 的位置,Integrity 3D-IC 可以自動地將 Bump 邏輯連接關系插入跨層的時序路徑中,并能根據(jù)設計師提供的 Floorplan 中單元的已有位置,同時在上下兩個裸片上,智能地分配和優(yōu)化 Bump Cells 的物理位置,做到高效的流程,自動的實現(xiàn),智能的優(yōu)化。

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03 Pseudo-3D 自動布局布線

工作準備就緒后,我們就可以利用帶有 Bump Cells 信息的 Pseudo-3D Floorplan 進行自動布局布線,Integrity 3D-IC 平臺可以調用各種相應的傳統(tǒng)二維布局布線引擎,完成 Placement、CTS、Routing 以及相應的設計優(yōu)化。同時,Integrity 3D-IC 也可以支持跨層的時序路徑的報告分析,支持顯示例化單元 Instances 和路徑所在的結構層級,幫助工程師完成靜態(tài)時序分析。此外,Integrity 3D-IC 還支持跨層路徑的并行時序優(yōu)化,確保 3D-IC 設計的時序收斂。

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04 建立 3D-IC 數(shù)據(jù)庫

最后一步,根據(jù)優(yōu)化后的自動布局布線結果,建立 3D-IC 專用數(shù)據(jù)庫——Hierarchical Database(HDB)。這個數(shù)據(jù)庫中就包含了包括整個設計的工藝庫信息,3D-IC 的堆疊信息,Bump 坐標信息,物理布局布線等設計信息等等。在通過Integrity 3D-IC 創(chuàng)建好用以明確 3D-IC 的堆疊對應信息的 Stacked Config 文件之后,需要將完成了布局布線的 pseudo-3D 數(shù)據(jù)庫進行 Partition 拆分操作,將它按照上下裸片拆分成兩個數(shù)據(jù)庫,即 Top Die Database 和 Bottom Die Database。

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將這兩個完成 Partition 拆分的數(shù)據(jù)庫以及 Stacked Config 文件讀入 Integrity 3D-IC 中,合成創(chuàng)建 HDB 數(shù)據(jù)庫。在 Integrity 3D-IC 平臺中加載此數(shù)據(jù)庫,就可以實現(xiàn) 3D-IC 設計的查看,包括可以實現(xiàn)在工具中上下兩層 Floorplan 視圖的切換,觀察每層中的單元擺放、繞線等后端實現(xiàn)細節(jié);也可以對包含三維堆疊信息的整體 3D Floorplan 視圖進行直接查看;此外傳統(tǒng)的時序調試器(Timing Debugger)也支持在 3D-IC HDB 中高亮跨層的時序路徑,幫助工程師完成時序檢查和設計調整,也可以進一步調用其他 Signoff 工具,完成后續(xù)簽核工作。

存算一體和近存計算是解決 CPU / GPU / NPU 總線和大規(guī)模片上網(wǎng)絡擁塞的有效手段。

通過 Integrity 3D-IC 特有的內存單元邏輯單元三維布局優(yōu)化,芯片設計師可以更容易的實現(xiàn)高性能高帶寬的系統(tǒng)設計,從而或者縮小原有系統(tǒng)封裝面積或者進一步提高原有系統(tǒng) PPA。

Cadence Integrity 3D-IC 平臺提供了一個高效的解決方案,用于部署 3D 設計和分析流程,以實現(xiàn)強大的硅堆疊設計。該平臺是 Cadence 數(shù)字和簽核產(chǎn)品組合的一部分,支持 Cadence 公司的智能系統(tǒng)設計戰(zhàn)略(Intelligent System Design),旨在實現(xiàn)系統(tǒng)驅動的卓越 SoC 芯片設計。

審核編輯:彭靜
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:3D-IC 設計之 Memory-on-Logic 堆疊實現(xiàn)流程

文章出處:【微信號:gh_fca7f1c2678a,微信公眾號:Cadence楷登】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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