將電阻、電感、電容、傳輸線、功率分配器/功率合成器和金屬互連線等無源元件集成在一個芯片上，從而形成集成無源元件（IPD）。

集成無源元件的制備工藝與集成電路制造工藝兼容，主要包括薄膜工藝和光刻刻蝕工藝。集成無源元件可以減小產品尺寸，提高產品性能。 集成電阻形式多樣，通常可分為非金屬電陽和金屬電阻兩種。傳統意義上，非金屬電阻主要用于硅基集成電路工藝，金屬電阻在化合物半導體工藝中較為常用。但是，隨著硅基集成電路的發展，引入高k金屬柵工藝后，金屬電阻也被用于硅基集成電路中。非金屬電阻是指用半導體材料或多晶硅制備而成的電阻，因半導體材料或多晶硅的摻雜濃度的不同，其電阻率也不同。根據這一特性，利用擴散工藝、離子注人及退火工藝，可以改變半導體材料或多晶硅的摻雜濃度，并通過版圖設計得到合適的形狀和尺寸，制作所需要的電阻。金屬電阻是指利用蒸發或濺射鍍膜技術，在絕緣介質上沉積一層金屬薄膜，通過光刻刻蝕或剝離（Lift-otf）技術去除多余的金屬，從而形成合適電阻值的電阻。常用的金屬電阻材料有鎳鉻合金（NiCr）、氮化鉭（TaN）和氮化鈦（TiN）等。

集成電容通常分為金屬-氧化物-半導體（MOS） 電容、金屬-絕緣層-金屬（MIM） 電容、pn結電容、叉指結構電容等，可采用半導體加工工藝制備而成。

集成電感分為單匝線圈、多匝線圈、傳輸線電感。其中，多匝線圈又分為螺旋型和直角型兩種。電容、電感通過沉積金屬-電鍍加厚-濕法刻蝕或干法刻蝕工藝制作，步驟簡單，但是需要比較精確的控制，高質量的電容和電感對于濾波、去耦及匹配電路中降低相位噪聲起著直接作用。

利用互連線和傳輸線可以實現芯片上元器件的連接。為了提高芯片的集成度，減小奇生效應，互連線在滿足電流密度要求的條件下應盡量窄和短，小電流的互連線制作應選擇工藝上能提供的最小線寬，長互連線設計時應考慮互連線帶來的延遲效應。當工作領率在微波和毫米波范國時，互連線不可當作純電阻看待，需要考感寄生參數利趨膚效應的影響。