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臺積電將2024年獲高NA EUV光刻機 助于2nm工藝量產

科技快訊 ? 來源:綜合超能網、天極網和I ? 作者:綜合超能網、天極 ? 2022-09-20 14:23 ? 次閱讀

最近,據報道,臺積電將于2024年收購下一代Asmail的最新極紫外光刻設備,為客戶開發相關基礎設施和架構解決方案。

據消息稱,臺積電可能會在2025年正式推出2nm工藝,而市場普遍樂觀地認為,臺積電的2nm工藝技術正在全面領先三星英特爾。根據數據,臺積電的2nm工藝將采用GAAFET架構,在相同功耗下,該架構比臺積電3nm工藝快10%至15%,在相同能耗下低25%至30%。應用包括移動計算、高性能計算和完整的小芯片集成解決方案。

根據之前公布的信息,High NA EUV光刻設備的單價估計為4億美元(約28億元人民幣),是現有EUV光印設備的兩到三倍。據報道,這種新型EUV系統可以實現0.55數值孔徑,與之前配備0.33數值孔徑透鏡(TWINSCAN NXE:3400B和NXE:3400C)的EUV系統相比,精度將得到提高,并且可以實現更高分辨率的圖形。

預計N2工藝將于2024年底準備好進行風險生產,并將于2025年底進入大規模生產,客戶將于2026年收到首批芯片。

綜合超能網、天極網和IT之家整合

審核編輯:郭婷

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