HHI InP平臺能達到100GHz帶寬
HHI的那個InP平臺，這幾年更新了幾個版本，目前能達到100GHz帶寬
光學帶寬并不是整個電光轉換系統的帶寬瓶頸，而是光學集成度雖然越來越高，但電學才是真正讓整體帶寬受限的主要因素。
射頻信號長度導致射頻衰減增大，各個電路信號節點，阻抗失配、反射、行波速度等等，導致無法真正實現電光轉換帶寬提升。
在InP平臺上，各個光學器件也越來越密集，比如多個MZM的緊湊布局
可以達到25μm超窄間距布局
還有更緊湊的MZ相控布局
更緊湊的探測器陣列，基于InP平臺，并wafer反向用BCB膠粘貼在硅襯底上，做微米級的緊湊布局，比如用在Lidar上。
光學器件越來越小，集成度越來越高，對電芯片與光芯片的互相適配就更加重要了。之前寫過很多硅光集成與集成電路的晶圓級設計，那是有材料一致性的優勢。
但InP集成光學和硅（或鍺硅）集成電路，二者之間的鍵合有晶格不匹配的可靠性風險。常見的是BCB膠黏合，或者用親水界面的氧做原子鍵合。
這兩個都不算十分完美。
這次ECOC的workshop，TUE介紹了NXP的鍺硅集成電路上鍵合3吋HHI InP集成晶圓，做wafer級密集互聯，提高帶寬。
從示意圖與歐洲這幾個廠的傳統工藝來看，大概率用薄層BCB做的鍵合層（回頭等確認了這個材料，再補上）。
審核編輯：劉清
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原文標題：Y8T269 HHI 100GHz InP平臺
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