為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備或固態(tài)硬盤 （SSD） 非常復(fù)雜。性價(jià)比比較沒有多大用處，因?yàn)樾枨篁?qū)動(dòng)的績效定義取決于許多因素。

當(dāng)涉及到標(biāo)準(zhǔn)IT應(yīng)用程序時(shí)，每GB價(jià)格是閃存的一個(gè)非常好的購買標(biāo)準(zhǔn)。在某些情況下，還考慮了寫入和讀取速度。但是，如果您需要用于工業(yè)應(yīng)用的閃存設(shè)備，或者您需要用于戶外電信應(yīng)用的存儲卡，那么您的優(yōu)先事項(xiàng)將有所不同。如果像通常的情況一樣，容量不是真正的問題，那么堅(jiān)固性和耐用性肯定是問題。耐久性（即閃存介質(zhì)壽命）和保留（即保存數(shù)據(jù)的持久性）是復(fù)雜的問題。存儲介質(zhì)固件和體系結(jié)構(gòu)都在這里發(fā)揮作用，應(yīng)用程序的性質(zhì)也是如此。數(shù)據(jù)將如何寫入？還是更強(qiáng)調(diào)閱讀？如果您對閃存有特殊要求，那么您需要確切地知道要問哪些問題。

背景：衰老跡象

通常，NAND閃存設(shè)備的單元僅允許有限數(shù)量的刪除。這是因?yàn)槊看萎a(chǎn)生隧道效應(yīng)時(shí)，通常阻止電子從浮柵流出的氧化層由于熄滅電壓而積累高能電子。結(jié)果，閾值電壓隨時(shí)間變化，最終電池不再可讀。

老化的另一個(gè)影響是在氧化層中形成導(dǎo)電路徑，導(dǎo)致電池逐漸失去電荷 - 隨之而來的是保持位。這種效應(yīng)通過暴露在高溫下而加速，特別是在允許的程序/擦除（P / E）周期數(shù)減少的情況下，往往會發(fā)生，從而導(dǎo)致保留率急劇下降。因此，雖然新的單級和多級單元（SLC和MLC）NAND都能可靠地提供10年的保留期，但這一數(shù)字在其使用壽命結(jié)束時(shí)下降到只有一年。但是使用MLC NAND，在3，000個(gè)P / E周期后達(dá)到這一點(diǎn)，而使用SLC則在100，000個(gè)P / E周期后達(dá)到。這就解釋了為什么SLC是復(fù)雜應(yīng)用的首選解決方案，以及為什么低成本的三級單元（TLC）NAND芯片不能用于長期存儲。要使用這種技術(shù)為每個(gè)電池寫入三位，您需要八種不同的電荷狀態(tài)，這就是為什么退化變得明顯得多的原因。在TLC中，最初的一年保留水平在僅500個(gè)P / E周期后下降到三個(gè)月。

緩解措施

使用各種機(jī)制減輕了對芯片的物理損壞的影響。鑒于當(dāng)一個(gè)單元發(fā)生故障時(shí)，整個(gè)塊需要標(biāo)記為“壞”，磨損均衡可確保所有物理存儲地址經(jīng)歷相同級別的使用。但閱讀錯(cuò)誤不僅僅指向磨損。每次寫入數(shù)據(jù)時(shí)，程序化細(xì)胞周圍的細(xì)胞都會經(jīng)歷壓力（即它們變得更有活力）——這種現(xiàn)象被稱為“程序干擾”。隨著時(shí)間的推移，電池電壓閾值增加，導(dǎo)致讀取錯(cuò)誤 - 一旦相關(guān)塊被擦除，這些錯(cuò)誤就會修復(fù)。閱讀還會導(dǎo)致一種稱為“閱讀干擾”的壓力形式，即相鄰的頁面累積電荷。由于所涉及的電壓相對較低，這種影響遠(yuǎn)不如寫入明顯 - 然而，讀取容易出現(xiàn)位錯(cuò)誤，必須通過糾錯(cuò)碼（ECC）進(jìn)行糾正，并通過刪除相關(guān)塊來修復(fù)。有趣的是，這種效果在重復(fù)讀取相同數(shù)據(jù)的應(yīng)用程序中尤其明顯。這意味著即使在只讀內(nèi)存中，也需要?jiǎng)h除塊并重復(fù)寫入頁面以糾正錯(cuò)誤。

如何測量固態(tài)硬盤耐久性

制造商使用兩個(gè)指標(biāo)來衡量閃存設(shè)備的使用壽命：寫入 TB 數(shù) （TBW） 和每天驅(qū)動(dòng)器寫入數(shù) （DWPD）。TBW 表示在 SSD 的生命周期內(nèi)可以寫入的數(shù)據(jù)總量，而 DWPD 表示在保修期內(nèi)每天可以寫入的數(shù)據(jù)量。這些基準(zhǔn)測試的問題在于它們非常復(fù)雜，用戶別無選擇，只能依賴制造商的規(guī)格。此外，在為給定應(yīng)用選擇正確的數(shù)據(jù)介質(zhì)時(shí)，尚不清楚這些規(guī)范的實(shí)際相關(guān)性，因?yàn)楂@得的數(shù)字在很大程度上取決于測試工作負(fù)載。例如，對 Swissbit 480 GBP SSD 的測試得出 1360、912 或 140 TBW 的使用壽命，具體取決于所使用的測量方法。最引人注目的結(jié)果是通過測量順序書寫來實(shí)現(xiàn)的。第二個(gè)值 （912） 由客戶端工作負(fù)荷生成，而第三個(gè)值 （140） 派生自企業(yè)工作負(fù)荷。這兩個(gè)負(fù)載測試都構(gòu)成 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。客戶端工作負(fù)載基于計(jì)算機(jī)用戶的行為，并且主要生成順序訪問。另一方面，企業(yè)工作負(fù)載在多用戶環(huán)境中模擬服務(wù)器的性能，該環(huán)境可生成高達(dá) 80% 的隨機(jī)訪問。

雖然從理論上講，這些標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)該允許可比性，但問題是許多制造商根本不指示底層工作負(fù)載，而是將其產(chǎn)品信息基于順序?qū)懭胫怠６遥缡纠荆捎诤笳邔τ谄髽I(yè)工作負(fù)載的差異可能相差十倍，因此在涉及顯著且未明確指定的高耐久性值時(shí)，需要格外小心。

寫入放大因子 （WAF） 降低

邏輯到物理映射系統(tǒng)、ECC 和用于清除塊的稱為垃圾回收的過程都是理解和排名閃存功能和性能的相關(guān)機(jī)制。此域中的一個(gè)關(guān)鍵術(shù)語是寫入放大因子或 WAF，它是從主機(jī)派生的用戶數(shù)據(jù)與寫入閃存設(shè)備的實(shí)際數(shù)據(jù)量之間的比率。降低 WAF（衡量閃存控制器效率的指標(biāo)）是提高 SSD 耐用性的關(guān)鍵。影響 WAF 的工作負(fù)載因素包括順序訪問、順序訪問和隨機(jī)訪問之間的差異，或者相對于頁面和數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)塊大小。必須滿足兩個(gè)基本條件：頁面需要一個(gè)接一個(gè)地編寫，塊需要作為整個(gè)單元?jiǎng)h除。在標(biāo)準(zhǔn)過程中，邏輯地址和物理地址之間的映射與塊相關(guān)。這對于順序數(shù)據(jù)非常有效，因?yàn)榻o定塊的頁面可以按順序?qū)懭搿＿@種機(jī)制的一個(gè)例子是連續(xù)積累的視頻數(shù)據(jù)。但是，對于隨機(jī)數(shù)據(jù)，頁面被寫入許多不同的塊中，因此頁面的每次內(nèi)部覆蓋都需要?jiǎng)h除整個(gè)塊。這會導(dǎo)致更高的 WAF 和更短的生存期。因此，基于頁面的映射對于非順序數(shù)據(jù)是優(yōu)選的。換句話說，固件確保來自不同來源的數(shù)據(jù)可以按順序?qū)懭雴蝹€(gè)塊的頁面。這減少了刪除次數(shù)，從而延長了生存期并增強(qiáng)了寫入性能。這種方法的缺點(diǎn)是它會導(dǎo)致閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）的分配表更大，盡管這可以通過集成的DRAM進(jìn)行補(bǔ)償。

另一個(gè)增加 WAF 的因素是內(nèi)存使用率。閃存設(shè)備上存儲的數(shù)據(jù)越多，固件從一個(gè)地方移動(dòng)到另一個(gè)地方所需的位就越多。基于頁面的映射在這里也是有利的。制造商還有另一種稱為過度配置的調(diào)整機(jī)制（即僅保留用于后臺活動(dòng)的閃存設(shè)備的空間）可供他們使用。SSD的7%（千兆字節(jié)數(shù)字的二進(jìn)制值和十進(jìn)制值之間的差異）通常用于此目的。但是，為過度配置保留 12% 而不是 7% 是非常有效的。例如，從MLC NAND芯片衍生的兩個(gè)相同SSD的耐久性比較（即企業(yè)工作負(fù)載的TBW）表明，60 GB Swissbit F-60硬腦膜比特的價(jià)值比同一公司的64位F-50設(shè)備高出6.6倍。實(shí)際上，對于240 GB和265 GB版本，該值要高出10倍。

結(jié)論和要問的九個(gè)關(guān)鍵問題

SLC閃存器件在很多方面都是工業(yè)應(yīng)用以及斷電保護(hù)的最穩(wěn)健的解決方案。然而，在許多情況下，高端MLC閃存介質(zhì)同樣適用于此類目的。除了符合軍用標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械性能外，在尋找SSD解決方案時(shí)，應(yīng)特別注意制造商在通過固件減少WAF和延長產(chǎn)品使用壽命方面所付出的努力。其他起作用的因素是“數(shù)據(jù)維護(hù)管理”措施，以更好地保留，并且不要忘記已針對給定應(yīng)用程序精心限定的模塊的長期可用性。

應(yīng)用程序要求決定了在選擇 SSD 時(shí)需要特別注意哪些因素。根據(jù)要求，Swissbit為其客戶提供終身監(jiān)視器，該工具通過分析其讀取和寫入來計(jì)算給定SSD的耐用性。如前所述，即使價(jià)格不是決定因素，了解您是否真的需要八倍昂貴的SSD，或者M(jìn)LC是否足以滿足您的目的也很有用。

為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備時(shí)要問的關(guān)鍵問題：

我對振動(dòng)、阻力和溫度范圍有特定的物理要求嗎？工業(yè)閃存器件應(yīng)通過應(yīng)用適當(dāng)?shù)蔫b定工藝，能夠證明材料質(zhì)量的優(yōu)良性和良好的生產(chǎn)加工性能。

內(nèi)存存儲是否長時(shí)間暴露在高溫下？由于高溫會更快地削弱電池的可讀性，因此應(yīng)選擇具有數(shù)據(jù)維護(hù)功能的產(chǎn)品，該產(chǎn)品會定期刷新數(shù)據(jù)。

是否打算在很長一段時(shí)間內(nèi)在數(shù)據(jù)載體上寫入和存儲大量數(shù)據(jù)？如果是這樣，則應(yīng)選擇SLC產(chǎn)品。

應(yīng)用程序是否主要需要讀取訪問權(quán)限？ –如果是，則應(yīng)選擇具有數(shù)據(jù)維護(hù)功能的產(chǎn)品，該產(chǎn)品會定期刷新數(shù)據(jù)。

應(yīng)用程序是否主要需要寫入功能？ –然后，具有基于塊映射的產(chǎn)品適用于順序?qū)懭牍δ堋τ陔S機(jī)請求，應(yīng)選擇具有基于頁面映射的產(chǎn)品。

內(nèi)存的容量是否得到充分利用？對于密集型應(yīng)用，控制器需要空間用于內(nèi)部操作，而過度配置可能會延長耐用性。

提供商為 TBW 或 DWPD 指定了什么工作負(fù)載？只有通過指示工作負(fù)載基準(zhǔn)才能對數(shù)據(jù)載體進(jìn)行比較。

是否需要針對數(shù)據(jù)丟失提供更高級別的保護(hù)？對于特別關(guān)鍵的應(yīng)用，數(shù)據(jù)維護(hù)管理和電源故障保護(hù)至關(guān)重要。

幾年后，這種媒介還會可用嗎？制造商應(yīng)保證長期可用性，以便無需重新認(rèn)證即可更換內(nèi)存存儲。

審核編輯：郭婷