隨著電子器件特別是第三代半導體的興起和應用,半導體器件越來越小型化、集成化、多功能化,對襯底封裝性能提出了更高的要求。陶瓷基板具有高導熱性和耐熱性、低熱膨脹系數、高機械和絕緣強度、耐腐蝕和抗輻射等優點,廣泛應用于電子器件封裝。
由于具有優異的硬度、機械強度和散熱性,氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板,同時它們也具有不同的性能和優勢。以下就是區別。
1、散熱差異
氮化硅陶瓷基板的導熱系數為75-80W/m-k,而鋁陶瓷基板則在170W/m-k以上,可見氮化鋁陶瓷基板的優勢。
2、電量差異
氮化硅陶瓷基板的電流容量為300A,鋁陶瓷基板為100-300A。
3、機械強度的差異
氮化硅陶瓷基板比氮化鋁陶瓷基板具有更好的斷裂韌性,不易斷裂。此外,氮化硅陶瓷基板具有更高的彎曲強度。氮化鋁陶瓷基板的抗折強度為365-420Mpa,氮化硅陶瓷基板為720Mpa。同時,氮化硅基板具有更高的硬度和更好的耐磨性,這將提高機械強度和抗沖擊性,使基板更加可靠。
4、應用上的區別
基于氮化硅陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板的性能差異,它們被用于不同的領域。氮化鋁陶瓷基板更適用于高導熱、高絕緣和大電流應用。
如大功率導熱器件、大功率LED模組、半導體模組電路等。氮化硅陶瓷基板機械強度高、導熱性好,常用于高強度、低密度、耐磨性好的產品,例如汽車逆變器、減速器和減震器。
【文章來源:展至科技】
審核編輯黃昊宇
-
陶瓷基板
+關注
關注
5文章
216瀏覽量
11482 -
氮化硅
+關注
關注
0文章
73瀏覽量
351
發布評論請先 登錄
相關推薦
揭示電子行業中氮化鋁的3個常見誤區

氮化鎵充電器和普通充電器有啥區別?
國產替代新材料 | 先進陶瓷材料

氮化硅薄膜的特性及制備方法

氮化硅薄膜制備方法及用途

華清電子擬在重慶建設半導體封裝材料和集成電路先進陶瓷生產基地
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應用 | 氮化硼高導熱絕緣片

碳化硅與氮化鎵哪種材料更好
氮化鋁封裝材料:讓電子設備更穩定、更可靠

氮化鋁AlN電阻器-厚膜AlN電阻

用于射頻功率應用的氮化鋁電阻元件

氮化鋁與氧化鈹用于大功率電阻器產品

日本旭化成氮化鋁基板技術突破:邁向更大面積與實用化
功率半導體器件陶瓷基板用氮化鋁粉體專利解析及DOH新工藝材料介紹

評論