那曲檬骨新材料有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新建的300mm晶圓工廠是博世未來(lái)芯片制造的關(guān)鍵

SAE International ? 來(lái)源:SAE International ? 作者:SAE International ? 2022-12-13 11:28 ? 次閱讀

目前新建的半導(dǎo)體工廠是博世集團(tuán)122年歷史上最大的單筆投資項(xiàng)目。在遭遇供應(yīng)短缺和瓶頸之后,這家位于德國(guó)德累斯頓的工廠對(duì)專注于區(qū)域化電子生產(chǎn)的汽車制造商來(lái)說(shuō)是個(gè)利好消息。這也是讓博世成為全球芯片龍頭的最新戰(zhàn)略舉措。

博世聲稱,2017年開始建設(shè)的德累斯頓新工廠是1999年以來(lái)歐洲第一家300mm晶圓生產(chǎn)工廠(也稱為晶圓廠)。工廠的建設(shè)愿景符合2022年2月頒布的《歐洲芯片法案》(European Chips Act)的目標(biāo)。該法案的目標(biāo)之一是到2030年將歐洲在全球半導(dǎo)體生產(chǎn)中的份額從10%提高到20%。

一個(gè)300mm芯片包含上千個(gè)相同的半導(dǎo)體元件。生產(chǎn)半導(dǎo)體需要將三維的集成布局轉(zhuǎn)移到晶圓上。據(jù)博世的工程師介紹,這個(gè)流程需要重復(fù)27次,涉及約500道工序。根據(jù)所需電路系統(tǒng)的復(fù)雜性,這一過(guò)程有時(shí)甚至長(zhǎng)達(dá)數(shù)月之久。

研發(fā)中心的側(cè)重點(diǎn)

博世已對(duì)德累斯頓工廠投資10億歐元,其中部分資金來(lái)自IPCEI(歐洲共同利益重要項(xiàng)目)的特別補(bǔ)貼。工廠目前擁有350名員工,2022年底員工數(shù)量將增至400人,工廠竣工時(shí)將達(dá)到700人。新晶圓廠是博世在德國(guó)的兩個(gè)生產(chǎn)基地之一,另一家工廠位于斯圖加特附近的羅伊特林根,生產(chǎn)半導(dǎo)體已經(jīng)超過(guò)半個(gè)世紀(jì),主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)150mm(5.9英寸)和200mm(7.87英寸)晶圓上的半導(dǎo)體。

一項(xiàng)新的歐洲資助計(jì)劃——IPCEI 2目前正在實(shí)施。在IPCEI 2框架內(nèi),博世計(jì)劃到2026年在半導(dǎo)體技術(shù)和系統(tǒng)方面投資30億歐元。其中超過(guò)1.7億歐元將用于建設(shè)位于羅伊特林根和德累斯頓的兩個(gè)新研發(fā)中心。德累斯頓的研發(fā)中心預(yù)計(jì)于2023年投入運(yùn)營(yíng),屆時(shí)將成為半導(dǎo)體和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS傳感器的新研發(fā)中心。

此外,博世計(jì)劃于2026年起在300mm晶圓上生產(chǎn)MEMS傳感器。在未來(lái)一年內(nèi),博世還計(jì)劃追加投入2.5億歐元用于擴(kuò)建德累斯頓工廠的無(wú)塵室設(shè)施。

氮化鎵研究

電力電子技術(shù)是滿足電動(dòng)汽車需求的關(guān)鍵所在。博世聲稱,借助碳化硅(SiC)芯片技術(shù)公司已經(jīng)能夠?qū)㈦妱?dòng)汽車的續(xù)航里程增加6%。博世預(yù)計(jì)到2030年之前,碳化硅芯片市場(chǎng)的年均增速將達(dá)到30%。這引發(fā)了人們對(duì)高效率、低成本芯片的追逐。

為此,博世已經(jīng)開始對(duì)氮化鎵(GaN)芯片的研究。這種芯片已經(jīng)應(yīng)用于智能手機(jī)和筆記本電腦的充電器,但由于電動(dòng)汽車的充電電壓較高,最高可達(dá)1200V,因此在氮化鎵芯片滿足電動(dòng)汽車應(yīng)用的生產(chǎn)條件之前,還需要進(jìn)行更多研究。

據(jù)博世集團(tuán)管理委員會(huì)主席Stefan Hartung博士介紹:“總之,芯片在汽車總價(jià)值中的份額將在十年內(nèi)翻兩番。從不到200歐元增加到800歐元以上。”

最近,博世在德累斯頓工廠向SAE以及部分媒體展示了一些半導(dǎo)體應(yīng)用,其中包括重新設(shè)計(jì)的電動(dòng)汽車充電電纜。歐洲的電動(dòng)汽車通常配備兩根獨(dú)立電纜,一根用于230V歐標(biāo)家用電源插座;另一根配備了TYPE 2型充電插座,可用于7kW的壁式家用交流充電箱,或11kW或22kW的三相充電器。

博世對(duì)電纜進(jìn)行了重新設(shè)計(jì),使一根電纜就能滿足所有需求。這需要將兩種電纜的控制電子元件集成在一起,以適應(yīng)車輛端的TYPE 2型充電插座。此外,還需要將溫控和漏電保護(hù)裝置集成在插頭中。這意味著可以去除通常集成在230V家用充電電纜上的控制盒,將電纜重量減少約40%。只要在電纜的另一端裝上可互換的家用或TYPE 2型插頭,車輛就可以通過(guò)家用插座、壁式交流充電箱或交流三相電源進(jìn)行充電。

博世還展示了其先進(jìn)駕駛模塊(ADM),在“Rolling Chassis”中的預(yù)集成系統(tǒng)解決方案。該模塊被設(shè)計(jì)為一個(gè)電動(dòng)汽車研發(fā)平臺(tái),可將驅(qū)動(dòng)、轉(zhuǎn)向和制動(dòng)等多個(gè)獨(dú)立系統(tǒng)集成到一個(gè)靈活統(tǒng)一的系統(tǒng)中。

在降低部件復(fù)雜性的同時(shí),簡(jiǎn)化的接口和一致的軟件架構(gòu)確保了部件之間的通信優(yōu)化。這種模塊化方案讓OEM能夠?qū)DM模塊與他們的需求相結(jié)合。Rolling Chassis原型由博世與底盤及車身系統(tǒng)一級(jí)供應(yīng)商Benteler組成的工程團(tuán)隊(duì)聯(lián)合打造。

大幅提高產(chǎn)能

博世需要新機(jī)器來(lái)提高半導(dǎo)體產(chǎn)能,但半導(dǎo)體短缺也同時(shí)影響了機(jī)器的供應(yīng)。博世半導(dǎo)體生產(chǎn)與供應(yīng)鏈運(yùn)營(yíng)高級(jí)副總裁Patrick Leinenbach指出:“這個(gè)問(wèn)題很嚴(yán)重,一方面是供應(yīng)鏈產(chǎn)能萎縮,另一方面是龐大的產(chǎn)能需求(疫情加大了需求),現(xiàn)在我們首先考慮的是為客戶提供服務(wù),確保滿足客戶需求。此外,公司的團(tuán)隊(duì)也在努力工作,為產(chǎn)品尋找買家。”

盡管碳化硅芯片有助于增加電動(dòng)汽車的續(xù)航里程,但這種材料也帶來(lái)了新問(wèn)題。Leinenbach說(shuō):“原材料變了。當(dāng)我們說(shuō)使用硅作為原材料,通常指的就是整塊硅,將其切割成晶圓后再制作芯片。但這對(duì)碳化硅來(lái)說(shuō)行不通。”

這也限制了使用碳化硅生產(chǎn)的晶圓的尺寸。目前,博世可以生產(chǎn)150mm的碳化硅晶圓。Leinenbach表示:“現(xiàn)在也可以買到200mm的晶圓,但質(zhì)量不是很好,所以還需要時(shí)間來(lái)改進(jìn)工藝、提高質(zhì)量。”

作為一種替代材料,氮化鎵尤其適用于充電系統(tǒng)的電源管理。但正如Leinenbach所解釋的,“碳化硅讓我們有機(jī)會(huì)繼續(xù)使用硅,將原有產(chǎn)能升級(jí)后即可生產(chǎn)300mm晶圓。因此與氮化鎵相比,碳化硅在電氣系數(shù)等多個(gè)方面具有優(yōu)勢(shì);但是氮化鎵也可以生產(chǎn)300mm規(guī)格的晶圓,所以最終需要讓市場(chǎng)決定自己想要什么吧。”

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27705

    瀏覽量

    222643
  • 芯片制造
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    628

    瀏覽量

    28913
  • 晶圓工廠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    28

    瀏覽量

    8453

原文標(biāo)題:新建的300mm晶圓工廠是博世未來(lái)芯片制造的關(guān)鍵

文章出處:【微信號(hào):SAEINTL,微信公眾號(hào):SAE International】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    拋光在芯片制造中的作用

    ,作為芯片制造的基礎(chǔ)載體,其表面平整度對(duì)于后續(xù)芯片制造工藝的成功與否起著決定性作用。
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:06 ?299次閱讀

    制造及直拉法知識(shí)介紹

    第一個(gè)工藝過(guò)程:及其制造過(guò)程。 ? 為什么制造如此重要 隨著技術(shù)進(jìn)步,
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:59 ?283次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>制造</b>及直拉法知識(shí)介紹

    【「大話芯片制造」閱讀體驗(yàn)】+ 芯片制造過(guò)程和生產(chǎn)工藝

    。 光刻則是在上“印刷”電路圖案的關(guān)鍵環(huán)節(jié),類似于在表面繪制半導(dǎo)體制造所需的詳細(xì)平面圖。
    發(fā)表于 12-30 18:15

    為什么要減薄

    300mm的厚度為775um,200mm的度為725um,這個(gè)厚度在實(shí)際封裝時(shí)太厚了。前
    的頭像 發(fā)表于 12-24 17:58 ?471次閱讀

    氮化鎵在劃切過(guò)程中如何避免崩邊

    9月,英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸(300mm)功率氮化鎵(GaN)。12英寸與8英寸
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?853次閱讀
    氮化鎵<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>在劃切過(guò)程中如何避免崩邊

    SEMI報(bào)告:未來(lái)三年全球半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)劃在300mm晶圓廠設(shè)備上投資4000億美元

    2025年到2027年,全球300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4000億美元。強(qiáng)勁的支出是由半導(dǎo)體晶圓廠的區(qū)域化以及數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備對(duì)人工智能(AI)芯片日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)的。 2024年
    的頭像 發(fā)表于 09-29 15:20 ?486次閱讀
    SEMI報(bào)告:<b class='flag-5'>未來(lái)</b>三年全球半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)劃在<b class='flag-5'>300mm</b>晶圓廠設(shè)備上投資4000億美元

    英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù),推動(dòng)行業(yè)變革

    科技股份公司今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)
    的頭像 發(fā)表于 09-13 08:04 ?431次閱讀
    英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)<b class='flag-5'>300mm</b>氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù),推動(dòng)行業(yè)變革

    東芝宣布其300mm功率半導(dǎo)體制造工廠和辦公樓竣工

    近日,東芝電子器件與存儲(chǔ)株式會(huì)社(下簡(jiǎn)稱“東芝”)宣布其300mm功率半導(dǎo)體制造工廠和辦公樓竣工。目前將繼續(xù)進(jìn)行設(shè)備安裝,計(jì)劃在2024
    的頭像 發(fā)表于 05-29 18:05 ?1057次閱讀

    是什么東西 芯片的區(qū)別

    是半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的一種圓形硅片,它是制造集成電路(IC)或芯片的基礎(chǔ)材料。
    的頭像 發(fā)表于 05-29 18:04 ?7584次閱讀

    300毫米級(jí)平臺(tái)上的柔性光子芯片:應(yīng)用與制造技術(shù)詳解

    隨著技術(shù)的進(jìn)步,300毫米級(jí)平臺(tái)下的柔性光子芯片將進(jìn)一步提升其性能、降低成本,驅(qū)動(dòng)更多創(chuàng)新應(yīng)用的出現(xiàn)。同時(shí),研究者們也在探索新的材料體系和制造
    的頭像 發(fā)表于 05-27 12:52 ?1029次閱讀

    東芝300mm功率半導(dǎo)體工廠竣工,產(chǎn)能將增至去年的2.5倍

    5 月 24 日,日本東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置部于官網(wǎng)上發(fā)文稱,其 300mm 功率半導(dǎo)體制造廠與辦公室已于日前正式完工。
    的頭像 發(fā)表于 05-24 16:52 ?782次閱讀

    半導(dǎo)體工藝片的制備過(guò)程

    先看一些的基本信息,和工藝路線。 主要尺寸有4吋,6吋硅片,目前對(duì)8吋,12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴(kuò)大。這些直徑分別為100mm、1
    發(fā)表于 04-15 12:45 ?1416次閱讀
    半導(dǎo)體工藝<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>片的制備過(guò)程

    創(chuàng)新高!2027年300mm晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)1370億美元

    來(lái)源:SEMI,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 近日,SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠2027年展望報(bào)告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出,由于內(nèi)存市場(chǎng)復(fù)蘇
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:06 ?493次閱讀

    印度首家能夠加工300mm的商業(yè)設(shè)施誕生!

    美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料公司在印度班加羅爾開設(shè)了一個(gè)驗(yàn)證中心,標(biāo)志著印度首家能夠加工300mm的商業(yè)設(shè)施誕生。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:03 ?723次閱讀

    TC WAFER 測(cè)溫系統(tǒng) 儀表化溫度測(cè)量

    “TC WAFER 測(cè)溫系統(tǒng)”似乎是一種用于測(cè)量(半導(dǎo)體制造中的基礎(chǔ)材料)溫度的系統(tǒng)。在半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 03-08 17:58 ?1156次閱讀
    TC WAFER   <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>測(cè)溫系統(tǒng) 儀表化<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>溫度測(cè)量
    二八杠手法| 金银岛百家乐的玩法技巧和规则 | 百家乐官网贴| 龍城百家乐官网的玩法技巧和规则| 乐天堂百家乐娱乐| 红9百家乐官网的玩法技巧和规则| 清原| 百家乐正负计算| 百家乐有哪几种| 圣淘沙百家乐官网娱乐城| 大发888娱乐城官网lm0| 澳门百家乐是骗人的| 南京百家乐官网在哪| 澳门葡京赌场出台女| 百家乐筹码| 百家乐是多少个庄闲| 百家乐官网国际娱乐平台| 凤台县| 大发888娱乐场下| 博九百家乐游戏| 百家乐官网龙虎斗| 百家乐网址| 大发888方管下载| 线上百家乐技巧| 百家乐官网可以作假吗| 百家乐官网视频下栽| 大发888安装需要多久| 百家乐在线洗码| 百家乐官网用品| 百家乐官网清零| 旅游| 澳盈88投注| 威尼斯人娱乐城代理申请| 马牌百家乐官网的玩法技巧和规则 | 大发888手机真钱游戏| 利都百家乐国际娱乐场开户注册| 乐九百家乐现金网| 永利百家乐官网赌场娱乐网规则 | 蒙特卡罗线上娱乐| 大发888免费送奖金| 赌场百家乐的玩法技巧和规则|