1 原理圖

以全NMOS管為例：

從上圖可看出，此電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路由4個(gè)NMOS管構(gòu)成，形如H型，故名全H橋電路。通過(guò)控制4個(gè)MOS管的導(dǎo)通與截止達(dá)到對(duì)中間電機(jī)的不同控制效果。NMOS管的柵極為高電平時(shí)導(dǎo)通，低電平時(shí)截止。

2 H橋工作模式

正轉(zhuǎn)模式

當(dāng)Q1、Q4的柵極為高電平，Q2、Q3為低電平時(shí)，Q1，Q4導(dǎo)通，如下圖所示，電機(jī)正向旋轉(zhuǎn)。

反轉(zhuǎn)模式

當(dāng)Q2、Q3的柵極為高電平，Q1、Q4為低電平時(shí)，Q2，Q3導(dǎo)通，如下圖所示，電機(jī)反向旋轉(zhuǎn)。

電流衰減模式

所謂衰減模式，可簡(jiǎn)單理解為如何使電機(jī)停下：如果控制電機(jī)一直向一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)不會(huì)產(chǎn)生問題。但是如果這是想讓電機(jī)停下，那么問題就來(lái)了。由于電機(jī)是感性負(fù)載，電流不能突變。在斷開電機(jī)兩端所加的電壓時(shí)，電機(jī)產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì)很有可能損壞FET。因此想讓電機(jī)停下，除了斷開供電，還要形成一個(gè)續(xù)流的回路，釋放掉電機(jī)上的能量。 驅(qū)動(dòng)和衰減模式圖：

圖中添上了FET的寄生二極管。 以左側(cè)正向旋轉(zhuǎn)的圖為例：

首先電機(jī)正向旋轉(zhuǎn)，電流流向如①線所示;

如果此時(shí)采取滑動(dòng)/快衰減模式：四個(gè)MOSFET關(guān)斷，電機(jī)上的電流會(huì)通過(guò)Q2和Q3的寄生二極管繼續(xù)流動(dòng)，如②線所示。可發(fā)現(xiàn)，此時(shí)電流的流向是與電源電壓相反的，因此電流衰減很快，當(dāng)電流衰減為0時(shí)，由于FET是關(guān)斷的，電源電壓不會(huì)加在電機(jī)上，電機(jī)會(huì)逐漸停下。

如果采取制動(dòng)/慢衰減模式：Q2、Q4導(dǎo)通，Q1、Q3關(guān)斷。電機(jī)上的電流通過(guò)Q2和Q4繼續(xù)流動(dòng)，如③線所示，電機(jī)上的能量會(huì)逐漸消耗在電機(jī)本身和Q2、Q3上，這樣的電流衰減相對(duì)較慢。

有一點(diǎn)需要特別注意： 快慢衰減指的是電流，而不是電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度。

控制直流電機(jī)時(shí)，在快衰減模式下，由于電流迅速下降，那么電感電機(jī)上儲(chǔ)存的能量就會(huì)釋放很慢，簡(jiǎn)單理解E=I^2R，電機(jī)會(huì)逐漸停止，因此該模式又叫滑動(dòng);

而在慢衰減模式下，電機(jī)的兩端類似于短接，電流很大且衰減慢，儲(chǔ)存的能量被瞬間釋放，此時(shí)電機(jī)會(huì)瞬間停止，因此該模式又叫制動(dòng)。

審核編輯：湯梓紅