本應用筆記概述了DS32X35系列產品。這些器件提供精確的實時時鐘和鐵電隨機存取存儲器（RTC + FRAM），不需要電池來維護其內容。

概述

隨著DS32X35系列產品的推出，Maxim提供了無需電池的非易失性存儲器。這些器件采用鐵電隨機存取存儲器 （FRAM） 技術。FRAM是非易失性的，像RAM一樣執行讀/寫周期。它提供超過 10 年的可靠數據保留，同時消除了由 EEPROM 和其他非易失性存儲器引起的復雜性、開銷和系統級可靠性問題。這是一項成熟的技術，自 1992 年以來就提供設備。

非易失性存儲器

主要的非易失性存儲器技術包括電池備份SRAM、EEPROM和閃存。FRAM以類似于傳統SRAM的速度提供非易失性存儲。功能操作類似于串行EEPROM，主要區別在于其在寫入和耐用性方面的卓越性能。存儲器以I2C接口的速度讀取或寫入。在寫入期間，無需輪詢設備以查找就緒條件。

表1按1（最佳）到4（最差）對非易失性存儲器技術進行了排名。

表 1.非易失性存儲器技術排名

FRAM相對于EEPROM的優勢

與類似數量的EEPROM相比，FRAM具有許多優點。第一個優點是FRAM以總線速度執行寫入操作，一旦數據傳輸，就沒有寫入延遲。此外，它不使用寫入頁，因此用戶可以簡單地寫入連續數據。數據傳輸的大小沒有限制，也沒有延遲。如果需要，系統可以在一次突發中寫入整個內存陣列。

第二個優點是寫入耐久性，允許多達一百億個寫入周期。大多數EEPROM最多只允許一百萬次寫入周期。FRAM幾乎無限的寫入周期數使其成為數據收集的理想存儲器類型。

第三個優勢是功耗和能耗。FRAM使用鐵電機制，使用本機V執行寫入操作抄送.EEPROM技術需要電荷泵或電壓升壓。因此，FRAM電流要求大大低于EEPROM的類似配置。

DS32X35 精確 RTC，帶 FRAM

DS32X35為溫度補償時鐘/日歷，在單封裝中集成32.768kHz晶體和一組非易失性存儲器。非易失性存儲器有兩種不同的密度：2048 x 8 位或 8192 x 8 位。該器件采用 20 引腳、300 mil SO 封裝。DS32X35包括一組FRAM，不需要備用電源來維護存儲器內容。此外，沒有讀取或寫入周期限制。在產品的整個生命周期內，可以以最大循環速率訪問存儲器陣列，沒有磨損機制。

其他器件特性包括兩個定時鬧鐘、一個提供中斷或可編程方波的可選輸出，以及一個經過校準的 32.768kHz 方波輸出。一個復位輸入/輸出引腳提供上電復位。此外，復位引腳作為按鈕輸入進行監視，用于在外部產生復位。RTC和FRAM通過I2C串行接口訪問。

地址要求

串行FRAM存儲器在邏輯上組織為2048 x 8位或8192 x 8位存儲器陣列，可通過I2C接口訪問。由于密度不同，每個版本的DS32X35的I2C尋址技術都不同。表2詳細說明了每個DS32X35版本的地址要求。

表 2.內存從屬地址

R = 讀/寫選擇位，X = 不在乎，AN= 地址位 N

結論

新的DS32X35系列產品提供精確的計時功能，將四個獨立的組件合二為一。圖1所示為DS32X35如何提供RTC、少量非易失性存儲器、系統復位和32.768kHz晶體。

圖1.DS32X35 集成優勢。

審核編輯：郭婷