上期主要對三極管H參數的四個參數從物理意義上進行了說明，但是求得的三極管等效H參數模型比較復雜，需要對其進行簡化，而動態電阻rbe就可以進行簡化。

關鍵詞：動態電阻rbe;

01簡化三極管動態電阻

三極管的結構示意圖如圖1-1所示：

圖1-1 晶體管的結構示意圖

如圖1-1可以看出，三極管b-e間電阻由基區體電阻rbb’、發射結電阻rb’e’和發射區體電阻re三部分組成，rbb’與re僅與雜質濃度以及制造工藝有關，由于基區很薄且多子濃度很低，rbb’數值較大，對于小功率管，多在幾十歐到幾百歐，可以通過查閱手冊得到。 由于發射區多數載流子濃度很高，re數值很小，只有幾歐姆，與rbb’和rb’e’相比可以忽略不計。 因此，晶體管輸入回路的等效回路如圖1-2所示：

圖1-2 晶體管等效電路

由圖1-2可知，流過rbb’的電流為Ib，而流過rb’e’的電流為Ie，所以滿足：

同時，發射結的總電流為：

式(1.2)中u為發射結所加總電壓。

所以將式(1.2)和式(1.1)合并可以求得基區體電阻為：

但是由于發射結處于正向偏置，u大于開啟電壓(硅管的開啟電壓約為0.5V)，而常溫下UT≈26mV，因此可以認為：

將式(1.4)代入式(1.3)可得：

當用以Q點為切點的切線取代Q點附近的曲線時：

根據rbe的定義：

由此得出rbe的近似表達式：

式(1.8)進一步表明，Q點越高，即IEQ越大，rbe越小。

三級管H參數等效模型如圖1-3所示：

圖1-3 H參數等效模型

由以上分析，在輸入回路中，內反饋系數H12很小，即內反饋很弱，近似分析可以忽略不計，故晶體管的輸入回路可近似等效為只有一個動態電阻rbe; 在輸出回路由于H22很小，即rce很大，說明在近似分析中該支路的電流可忽略不計，故晶體管的輸出回路可近似等效為只有一個受控電流源Ic=βIb，所以簡化后的三極管H參數等效模型如圖1-4所示：

圖1-4 簡化的H參數等效模型

同時電阻rbe也可以由上述分析進行簡化計算。