IGBT、MOSFET和雙極晶體管的可持續供貨渠道
在諸多應用中，電源管理IC對于節能技術而言變得愈發重要。對IGBT、MOSFET和雙極晶體管的需求也隨之持續增長。雖然半導體供應鏈已逐漸趨于穩定，但對于許多分立器件而言，現貨采購仍然是一個挑戰。
隨著在工業、能源和國防等行業的廣泛應用，以及在汽車中的用量也不斷增長，諸如 IGBT、MOSFET 和雙極晶體管等分立器件仍面臨著交期延長的情況。
為客戶提供稀缺難求元器件的持續支持，羅徹斯特電子擁有超過20億片晶體管和柵極驅動器的現貨庫存，覆蓋2萬多種產品型號。庫存不僅包括停產元器件，還包括仍在量產的型號，其中40%產品的原廠交期已延長至20周以上。
羅徹斯特電子銷售的所有產品100% 原廠授權，可追溯，有認證，有保障。涵蓋眾多知名制造商，包括英飛凌(Infineon)、安世(Nexperia)、安森美(ONSEMI)和瑞薩(Renesas)等。此外，我們還備有大量相關的電源管理、二極管和保護器件。
豐富的MOSFET、IGBT和柵極驅動器產品，包括：
MOSFET
IGBT
IGBT模塊
柵極驅動器
審核編輯 ：李倩
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
147文章
7239瀏覽量
214247 -
IGBT
+關注
關注
1269文章
3833瀏覽量
250050 -
晶體管
+關注
關注
77文章
9745瀏覽量
138875
原文標題：IGBT、MOSFET和雙極晶體管的可持續供貨渠道
文章出處：【微信號：羅徹斯特電子，微信公眾號：羅徹斯特電子】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
IGBT輸出是交流還是直流
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種電力電子設備，廣泛用于各種電力轉換和控制應用中。IGBT本身是一種半導體器件，它可以在電路中起到開關的作用，控制電流的流動。IGBT的輸出可以是交流（
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMO
CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區別
CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領域中都扮演著重要角色，但它們在結構、工作原理和應用方面存在顯著的區別。以下是對兩者區別的詳細闡述。
真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接
IGBT，全稱絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT），是一種功率開關元件，綜合了電力晶體管（Giant Transistor）和
igbt模塊與mos的區別有哪些
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是兩種常見的功率半導體器件，它們在許多應用中都有廣泛的應用。 工作原理 I
降壓開關穩壓器如何使用串聯晶體管
（是絕緣柵雙極晶體管或 IGBT）作為其主要開關器件，如下所示。 降壓開關穩壓器 降壓開關穩壓器 我們可以看到，降壓轉換器的基本電路配置是串聯晶體管開關TR 1以及相關的驅動電路（使輸出電壓盡可能接近所需
發表于 06-18 14:19
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管
IGBT組成的H橋功率單元和級聯拓撲結構有什么不同？
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種電力電子設備中常用的高效能開關器件，它結合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導通壓降特點。
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵
發表于 04-10 12:31
?1477次閱讀
絕緣柵雙極晶體管的工作原理和結構
絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導體，具有MOSFET 的高速、電壓相關柵極開關特性以及 BJT 的最小導通電阻（低飽和電壓）特性。
IGBT場效應管的工作原理 IGBT場效應管的選擇方法
IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導體器件，它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的特性
為什么CIPOS? Mini更偏向于使用IGBT芯片，而非Si MOSFET？
英飛凌作為電力電子領域創新解決方案的領先企業，其取得的一大顯著成就是，開發了用于集成功率模塊（IPM）的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。這些
IGBT和MOSFET在對飽和區的定義差別
它們對飽和區的定義有一些差別。 首先，讓我們從基本原理開始理解飽和區。在晶體管中，飽和區是電流最大的區域，通常被用來實現開關操作。晶體管在飽和區工作時，處于最低的電壓狀態，導通電流較大。然而，飽和區的定義在IGBT和
IGBT過流故障和短路故障的區別
在電力電子技術領域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應用的半導體開關器件。它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極型
絕緣柵雙極晶體管的實用指南
這是絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的實用指南。您將從實際的角度學習如何使用它——而無需深入研究它內部的物理外觀。IGBT通常被描述為復雜而先進的東西。但是，當你剝離物理解釋并開始練習時，將其放入電路中是很簡單的。
工商網監
評論