Open RAN(O-RAN)發展勢頭強勁,在全球迅速普及,恩智浦通過打造增強型參考設計,助力5G O-RAN的快速部署。這包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解決方案(稱為“SL系列”)將射頻功能集成到客戶的設計中。
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恩智浦第2代RapidRF前端參考板可節省電路板空間,降低整體復雜性,并為TDD蜂窩應用提供完整的即用型電路。與前幾代一樣,第二代RapidRF參考板實現完全匹配的放大器50歐姆輸入和50歐姆輸出。這樣可構成完整的產品系列,無需調整即可輕松使用。
![71ba7ed0-a2a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A0/5E/wKgaomToLx6AdsPaAAClpdAhxq4450.jpg)
RapidRF參考電路展示了恩智浦的PA、預驅動器、帶T/R開關的Rx低噪聲放大器以及環形器的完整布板。
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RapidRF Smart LDMOS前端設計
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第2代RapidRF參考板還搭載了自偏置控件的PA模塊,該模塊出廠時預置了最佳偏置點,也可以針對不同應用通過可編程串行接口進行調整。該集成自偏置控件具有新穎的閉環反饋電路,它調節LDMOS柵極電壓,保持約束靜態偏置電流,用于連續溫度跟蹤。該集成式精密溫度傳感器可通過串行接口接入,能夠精確監測PA的工作溫度。板上已經安裝了恩智浦完整的TX/RX系列,尺寸更小,重量更輕,可簡化5G mMIMO射頻設計。該系列適用于mMIMO射頻單元(64T64R)、室外小蜂窩以及大功率宏基站的驅動器。
![720adee8-a2a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A0/5E/wKgaomToLx6AAndxAABZ7-8wpnk331.jpg)
RapidRF Smart LDMOS前端設計框圖
性能不打折
RapidRF整體設計緊湊,但仍提供卓越的性能。它集成的Doherty功率放大器采用10mm x 8mm封裝,在額定功率下能效提高了40%。該設計還包含一個線性預驅動器、帶T/R開關的Rx低噪聲放大器和一個環行器。
![722bff74-a2a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A0/5E/wKgaomToLx6AbdufAACEq44VOog370.jpg)
RapidRF系列的近距離視圖,展示了模塊和附加組件。
對于要求天線平均發射功率為2.5至8W(34-39 dBm)的5G射頻單元,RapidRF參考板是上佳選擇。用于多個頻段的多種型號采用通用的PCB布板,簡化了設計和制造,加快了產品面市速度。
![724b91fe-a2a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A0/5E/wKgaomToLx6AQLx5AADOV7o8M_M414.jpg)
RapidRF參考板的主要性能有優勢
全新RapidRF板可在恩智浦網站訂購。網站上提供覆蓋了3.4~4.0GHz的廣泛的參考電路。
了解RapidRF SL前端設計的更多信息
請訪問nxp.com/RapidRFSL
![728b1892-a2a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A0/5F/wKgaomToLx-AGyQEAABOXjNSZR0228.jpg)
本文作者
Megan Faust,恩智浦半導體射頻功率解決方案戰術營銷人員。Megan Faust曾與恩智浦射頻移動通信基礎設施和多市場領域團隊合作。恩智浦RP應用包括SiGe、LDMOS和GaN射頻解決方案設計,適用于移動和通信基礎設施以及消費電子、工業和航空航天/國防領域。恩智浦射頻功率營銷團隊致力于使射頻更易于使用,為客戶提供支持,并應對新的細分市場中的問題。Megan負責射頻器件和評估板的物流、運營和分銷支持,同時支持恩智浦射頻功率的創新和市場開發。Megan獲得了亞利桑那州立大學(Arizona State University)的商業文學學士學位和應用商業數據分析認證。
原文標題:加速5G設計:恩智浦第2代RapidRF前端參考板,為你助力!(附白皮書下載)
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