本文的關(guān)鍵要點(diǎn)

?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。

?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以提高導(dǎo)通速度。

在上一篇文章中，作為介紹驅(qū)動(dòng)器源極引腳效果的前提，我們了解了在沒(méi)有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的以往封裝MOSFET（以下稱(chēng)“以往MOSFET”）中的開(kāi)關(guān)工作期間的電壓。在本文中，我們將一起了解具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的工作情況和驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。

有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異及其效果

左下圖是以往MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路，右下圖是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路。不同的是驅(qū)動(dòng)電路的回流線的連接方式，以往MOSFET是連接到源極（Source）引腳，而具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET是連接到驅(qū)動(dòng)器源極引腳（Driver Source）引腳，其源極是一個(gè)單獨(dú)的電源（Power Source）引腳。此外，每個(gè)藍(lán)色箭頭表示開(kāi)關(guān)工作中的電壓。

如藍(lán)色箭頭所示，兩者在開(kāi)關(guān)工作中的電壓是相同的。再次提一下，MOSFET被施加VG并導(dǎo)通后，ID增加，LSOURCE沿圖中（I）的方向產(chǎn)生VLSOURCE。由于電流IG流入柵極引腳，因RG_EXT產(chǎn)生壓降VRG_EXT(I)。

如上所述，兩者產(chǎn)生的電壓是一樣的，但在以往MOSFET的情況下，VLSOURCE和VRG_EXT(I)被包含在導(dǎo)通時(shí)的驅(qū)動(dòng)電路網(wǎng)中，因此MOSFET的導(dǎo)通工作所需的芯片上的電壓VGS_INT會(huì)減少，最終導(dǎo)致導(dǎo)通速度降低。而在具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的情況下，ID會(huì)流向電源（Power Source）引腳，不流向驅(qū)動(dòng)器源極（Driver Source）引腳，這部分不包含在驅(qū)動(dòng)電路網(wǎng)中，因此可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。

如果具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，則可以去掉 項(xiàng)（＝VLSOURCE），可以看出這部分電壓不會(huì)影響VGS_INT。這就是驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果，可以提高導(dǎo)通速度。

在下一篇文章中，我們將通過(guò)工作波形來(lái)了解驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。

審核編輯：湯梓紅