PSFB電路中的ZVS工作成立條件是：當(dāng)組成開關(guān)的MOSFET的輸出電容COSS放電且正向電流流過Body Diode時(shí)，使該MOSFET導(dǎo)通。 圖中顯示了PSFB電路中Q1～Q4的漏極電流波形和流經(jīng)一次側(cè)變壓器的電流波形。

如果設(shè)PSFB電路中電流的正向是漏極→源極方向，則可以確認(rèn)Q1～Q4分別存在流過負(fù)向漏極電流的時(shí)間段，即正向電流流過MOSFET的Body Diode期間。例如，在Q3中，是Mode(7)部分。由于在此期間漏極電壓幾乎為0，因此通過在此期間導(dǎo)通來使PSFB電路中的ZVS工作成立。 您還可以看到，超前臂和滯后臂不會產(chǎn)生完全異相的相同形狀的電流波形。波形如此不同的原因可以通過該電流波形下方所示的Mode（1）～Mode（14）的電流路徑來理解。每種模式的編號和位置對應(yīng)于上面的時(shí)序圖。 Mode（1）～Mode（14）的工作和電流路徑如下：

	?Q1和Q4為ON，Q2和Q3為OFF。 ?當(dāng)Q2和Q3為OFF時(shí)，Q2的輸出電容COSS_Q2和Q3的輸出電容COSS_Q3被充電。 ?Vi被施加于一次側(cè)變壓器。 ?電流流過LS，所以能量被積蓄。
	?僅Q1關(guān)斷（OFF）。 ?由于Q1為OFF，因此輸出電容COSS_Q1被充電。這使得Q2漏極側(cè)的電位下降，同時(shí)COSS_Q2開始放電。
	?在COSS_Q1的充電和COSS_Q2的放電完成后，能量仍積蓄在LS中的情況下，電流會流過Q2的Body Diode（DQ2）并開始續(xù)流工作。 ?由于續(xù)流工作，所以不向二次側(cè)供給能量，但受LO的影響，電流會繼續(xù)流動。由于LO產(chǎn)生的電流對于D1和D2來說是正向的，因此電流會流過這兩個(gè)二極管。
	?Q2導(dǎo)通（ON）。在這個(gè)時(shí)間點(diǎn)DQ2是導(dǎo)通的，因此Q2的漏極-源極間電壓VDS_Q2幾乎為0V。即ZVS工作，因此不產(chǎn)生導(dǎo)通損耗。
	?Q4關(guān)斷（OFF）。 ?由于Q4的關(guān)斷，Q4的輸出電容COSS_Q4被充電。同時(shí)，由于Q3的源極側(cè)電位上升，輸出電容COSS_Q3放電。
	?在COSS_Q4的充電和COSS_Q3的放電完成后，能量仍積蓄在LS中的情況下，電流流過Q3的Body Diode（DQ3）并開始續(xù)流工作。
	?Q3導(dǎo)通（ON）。在這個(gè)時(shí)間點(diǎn)DQ3是導(dǎo)通的，因此Q3的漏極-源極間電壓VDS_Q3幾乎為0V，即ZVS工作，故不產(chǎn)生導(dǎo)通損耗。 ?通過Q3的導(dǎo)通，LS迅速釋放能量，電壓與Mode（1）～Mode（6）中的IL方向相反，因此電流的方向迅速反轉(zhuǎn)。
	?Q2和Q3為ON、Q1和Q4為OFF。 ?因此，COSS_Q1和COSS_Q4被充電。 ?Vi以與Mode（1）相反的方向被施加于一次側(cè)變壓器。 ?電流流過LS，所以能量被積蓄。
	?關(guān)斷Q2。 ?通過關(guān)斷Q2，COSS_Q2被充電，同時(shí)COSS_Q1放電。
	?在COSS_Q2的充電和COSS_Q1的放電完成后，能量仍積蓄在LS中的情況下，電流會流過Q1的Body Diode（DQ1）并開始續(xù)流工作。 ?由于續(xù)流工作，所以不向二次側(cè)供給能量，但受LO的影響，電流會繼續(xù)流動。由于LO產(chǎn)生的電流對于D1和D2來說是正向的，因此電流會流過這兩個(gè)二極管。
	?Q1導(dǎo)通（ON）。在這個(gè)時(shí)間點(diǎn)DQ1是導(dǎo)通的，因此Q1的漏極-源極間電壓VDS_Q1幾乎為0V，即ZVS工作，故不會產(chǎn)生導(dǎo)通損耗。
	?關(guān)斷Q3。 ?通過關(guān)斷Q3，COSS_Q3被充電，同時(shí)COSS_Q4放電。
	?在COSS_Q3的充電和COSS_Q4的放電完成后，能量仍積蓄在LS中的情況下，電流流過Q4的Body Diode（DQ4）并開始續(xù)流工作。
	?Q4導(dǎo)通（ON）。在這個(gè)時(shí)間點(diǎn)DQ4是導(dǎo)通的，因此Q4的漏極-源極間電壓VDS_Q4幾乎為0V，即ZVS工作， 故不會產(chǎn)生導(dǎo)通損耗。 ?LS迅速釋放能量，并施加電壓使電流按照與Mode（8）～Mode（13）中的IL相反的方向流動，因此電流的方向迅速反轉(zhuǎn)。

由于電流路徑的這種變化，尤其如Mode（7）和（14）的說明中所述，輸入電源和LS通過滯后臂上的MOSFET的導(dǎo)通而被串聯(lián)連接，LS中的能量迅速減少。這種情況不會發(fā)生在超前臂中，因此導(dǎo)致超前臂和滯后臂的電流波形產(chǎn)生差異。由于這種電流波形的差異，造成超前臂上的MOSFET和滯后臂上的MOSFET的損耗不同，所產(chǎn)生的熱量也不同，因此在進(jìn)行熱設(shè)計(jì)時(shí)需要注意。 如Mode（5）和（6）、（12）和（13）的說明中所述，在滯后臂中，積蓄在LS中的能量必須大于積蓄在MOSFET的COSS中的能量，否則MOSFET的充放電就不會完成，ZVS工作也就不成立。以Mode（5）為例，其條件可以用下列公式（1）來表示。IL1表示Mode（4）結(jié)束時(shí)的IL，EOSS_Q3和EOSS_Q4分別表示完成Q3和Q4的輸出電容的充放電所需的能量。 從公式（1）可以看出，由于IL1在輕負(fù)載時(shí)較小，因此ZVS工作很難成立，而隨著負(fù)載變重，ZVS工作變得容易成立。