Robert Dobkin
已經開發出新的RS232接口芯片,與1488和1489等舊設備相比具有顯著優勢。與舊器件相比,新型 RS232 接口 IC 提高了速度、功率、電壓電源要求和保護功能。此外,新芯片更易于使用,需要更少的外部元件,并且可以關閉到“零”電源電流條件,以用于電池供電系統。
新的RS232驅動器采用單片雙極技術實現。設計了一個獨特的輸出級,可提供較大的輸出擺幅,最大限度地降低電源電壓要求,同時保留出色的過載保護功能。輸出可以驅動到超過電源電壓,而不會吸收過多的電流或迫使電流回電源。當然,還包括電流限制以防止短路情況。
對實現RS232接口的技術的初步考慮可能包括CMOS作為此類應用的可能技術。電源要求低,輸出電壓擺幅高,并且提供更高電壓的CMOS技術,允許工作電壓高達±15V??紤]與CMOS相關的一些問題會降低其對RS232驅動器的吸引力。
CMOS結構固有的是CMOS器件的漏極和源極與電源之間的二極管,如圖1所示。RS232接口的一個要求是能夠承受施加到輸出引腳的電壓。對于CMOS輸出級,這是通過與輸出串聯的300Ω電阻來實現的。(電阻器類似于舊驅動器中包含的電阻器。它可以保護接口芯片,但仍允許損壞由相同電源供電的其他設備。
圖1.CMOS線路驅動器顯示電源的寄生二極管。
當由 5V 邏輯電源供電的驅動器的輸出連接到 RS12 規范允許的外部 15V 或 232V 電源時,會出現問題。外部電流流過300Ω限幅電阻,流過CMOS結構中的二極管,進入電源。這會迫使電源電壓降至 12V 和 15V,從而損壞連接到電源的 5V 邏輯。當外部RS232信號將電壓饋入電源時,如果邏輯電源關閉,則此問題甚至會導致閂鎖。這個問題在過去通常不存在,因為RS232接口由單獨的±12V電源供電。
ESD損壞可能是接口芯片故障的最常見原因。雙極器件相對堅固,但仍可能被ESD損壞,系統對ESD的要求可能高達20kV。沒有外部保護,任何IC都無法承受如此大的電壓。
RS232規范的要求是能夠承受±25V輸入信號。用作 RS1045 接收器的 CMOS LTC232 設計用于采用與輸入串聯的外部電阻器工作。這些電阻允許輸入引腳上的電壓擺幅非常大,并為IC提供ESD保護。使用片內電阻會妨礙使用最佳的ESD保護結構,因此CMOS器件可能對輸入端的ESD破壞更敏感。
雙極性驅動器的輸出級如圖2所示。相對的集電極NPN和PNP晶體管提供盡可能寬的輸出擺幅。PNP 晶體管的擺幅將擺幅在正電源的 200mV 以內,而 NPN 晶體管及其相關的肖特基二極管將在負電源的約 900mV 范圍內擺動。如果輸出電壓被迫高于正電源,則PNP晶體管的發射極基極結反向偏置,并且沒有電流流入電源。該器件不受外部電壓直至晶體管擊穿電壓的影響。如果輸出被迫低于負電源,肖特基二極管反向偏置并阻止永恒電流流入芯片。電容器 C1 用于控制輸出壓擺率,因此無需頻率補償元件即可滿足 RS232 規范 4V/μs 至 30V/μs。
圖2.新型雙極性驅動器輸出級。
通常,這些驅動器的壓擺率約為8-10V/μs。這使得它們可以成功使用到大約64k波特。雙極性驅動器的輸出壓擺率由內部電容器很好地控制,并且相對不受負載電阻或電容的影響。雙極性接收器相對簡單,利用具有遲滯的液位檢測器來設置跳變點。標稱跳變點設定為約1.5V,遲滯為200mV。接收器在輸入開路時進入高輸出狀態。接收器輸出與TTL和CMOS兼容。
驅動器和接收器的最新進展是片上電源生成。LT1080 和 LT1081 等器件包括一個振蕩器、容性倍壓器和容性逆變器,以從 9V 電源產生 ±5V。電荷泵電源發生器僅需 1 個 232μF 電容器即可從 5V 邏輯電源產生 RS3 通信電平。圖 1080 示出了 LT1080 的典型連接。片內電源發生器產生的功率超出 LT232 的要求,因此另一個 RS1039 通信器件 (如 LT1) 可由同一電源發生器供電。表 232 給出了用于 RS<> 通信的所有凌力爾特驅動器/接收器設備的典型性能。
圖3.5V 供電的 RS232 驅動器/接收器。
裝置 | DRVS | 記錄 | 關閉 | 電源發電機 | 言論 |
LT1030 | 4 | X | 低成本 | ||
LT1032 | 4 | X | 兼容 RS423 | ||
LT1039 | 3 | 3 | X | ||
LT1039N16 | 3 | 3 | 兼容MC145406 | ||
LTC1045 | 6 | X | 微功耗 | ||
LT1080 | 2 | 2 | X | X | |
LT1081 | 2 | 2 | X | ||
LT1130 LT1131 LT1132 LT1133 LT1134 LT1135 LT1136 |
5 5 5 3 4 5 4 |
5 4 3 5 4 3 5 |
X X |
X X X X X X |
|
LT1180 LT1181 |
2 2 |
2 2 |
X |
0.1μF 電容 0.1μF 電容 |
審核編輯:郭婷
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