那曲檬骨新材料有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

淺談超級(jí)結(jié)MOSFET的效率改善和小型化

周臻庸 ? 來(lái)源:羅姆 ? 作者:羅姆 ? 2023-02-17 11:37 ? 次閱讀

- 您已經(jīng)介紹過(guò)BM2Pxxx系列對(duì)高效率、低功耗、低待機(jī)功耗、小型這4個(gè)課題的貢獻(xiàn),多次提到“因?yàn)閮?nèi)置超級(jí)結(jié)MOSFET,……”。接下來(lái)請(qǐng)您介紹一下超級(jí)結(jié)MOSFET(以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”)。
首先,重新整理一下SJ MOSFET做出貢獻(xiàn)的課題。

第一個(gè)是效率改善,第二個(gè)是小型化

- 那么先從效率開(kāi)始談。為什么使用SJ-MOSFET可以改善效率?

先稍微介紹一下SJ MOSFET。傳統(tǒng)型號(hào)的MOSFET是平面結(jié)構(gòu),而SJ MOSFET僅僅是結(jié)構(gòu)不同。當(dāng)然,還有雜質(zhì)濃度等細(xì)小差異。SJ MOSFET因結(jié)構(gòu)不同,導(dǎo)通電阻RDS(ON)(ON)與柵極電荷量Qg顯著降低。

pYYBAGPtjI6AB_y8AABw1NIQdaU795.png

SJ MOSFET本身其他公司也有生產(chǎn),但是ROHM在推進(jìn)獨(dú)自開(kāi)發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實(shí)現(xiàn)了650V的高耐壓,還實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,開(kāi)關(guān)速度也非常快。這將大大改善開(kāi)關(guān)即MOSFET的導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗。這兩方面的損耗少與效率改善密切相關(guān)。另外,損耗少的話,發(fā)熱就會(huì)少,因此也與可使用的IC封裝種類和尺寸等息息相關(guān)。

- 這涉及到第二個(gè)課題小型化對(duì)吧。

進(jìn)一步講,一般MOSFET的導(dǎo)通電阻很大程度地依賴于元件尺寸。這一點(diǎn)平面MOSFET和SJ MOSFET一樣。也就是說(shuō),要想降低導(dǎo)通電阻,只要增加元件尺寸就可以。話雖如此,然而增大尺寸在如今的背景下卻不是可行的處理方法。

前面提到過(guò)SJ MOSFET的導(dǎo)通電阻小,準(zhǔn)確地說(shuō)應(yīng)該是單位面積的導(dǎo)通電阻小,也就是說(shuō)如果與平面MOSFET面積相同則導(dǎo)通電阻小,或者說(shuō)如果導(dǎo)通電阻相同則面積會(huì)小。按可處理的功率講,相同面積的話可以處理大功率,相同功率的話則面積–即尺寸更小。這些可根據(jù)要求和目的來(lái)具體區(qū)分使用。

- 也就是說(shuō)可根據(jù)處理的功率選用更小的封裝。

是的。ROHM的SJ MOSFET相對(duì)元件尺寸的導(dǎo)通電阻非常小,因此就能以采用小型SOP8封裝的芯片尺寸,實(shí)現(xiàn)4Ω這樣非常小的導(dǎo)通電阻。由此,于業(yè)界首家以SOP8實(shí)現(xiàn)了8W高功率密度。

poYBAGPtjJCATKaTAAB6H5odBCI707.jpg


覆蓋到8W的其他公司的IC都是DIP7或者DIP8封裝,與到25W的封裝一樣。一般來(lái)說(shuō),8W以下的應(yīng)用多比25W的應(yīng)用小巧。在功率小的應(yīng)用中希望采用更小封裝的IC是很自然的愿望。SJ MOSFET在滿足該需求方面功不可沒(méi)。

- 但是,AC/DC轉(zhuǎn)換器的其他元器件可能比較大。

關(guān)于這點(diǎn)在前面也稍微提到過(guò)一些,SJ MOSFET的高速開(kāi)關(guān)性能可發(fā)揮作用。

基本上提高開(kāi)關(guān)頻率,就能夠使用更小值的電感/變壓器、輸出電容器了。

如果值變小了,那么一般情況物理尺寸也會(huì)變小。簡(jiǎn)單地說(shuō),提高開(kāi)關(guān)頻率,外置元器件會(huì)呈反比變小。實(shí)際上DC/DC轉(zhuǎn)換器中,有高達(dá)10MHz的高速開(kāi)關(guān)IC,結(jié)構(gòu)極其精小,被作為小型便攜設(shè)備的電源使用。

- 那么,如果BM2Pxxx系列也能實(shí)現(xiàn)兆赫茲級(jí)別的開(kāi)關(guān)是不是更好。

確實(shí)該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了小型化,但如果提高開(kāi)關(guān)速度,效率就會(huì)下降。剛才舉例提到的DC/DC轉(zhuǎn)換器是處理的功率很小、更重視小型化因而可多少犧牲些效率的應(yīng)用。也就是大家常說(shuō)的“權(quán)衡”。

效率下降是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)損耗。但是內(nèi)置的SJ MOSFET與其說(shuō)可以高速開(kāi)關(guān),倒不如說(shuō)是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)損耗小所以可以高速使用。實(shí)現(xiàn)了處理較大功率的同時(shí),維持必要的效率,用適當(dāng)?shù)拈_(kāi)關(guān)速度使用小型外置元器件。該IC以65kHz為最合適。

- 照片上的評(píng)估板就是由相應(yīng)尺寸的元器件組成的…

poYBAGPtjJGAS1PBAAFNng2zUlM644.jpg

這是稱為“BM2P094FEVK-001”的評(píng)估板,使用了稱為“BM2P094F”的SO-8封裝機(jī)型。輸出為5V/1A,5W。在表面的左中央處安裝的SO-8封裝就是BM2P094F。實(shí)際上,作為通用輸入的5W輸出產(chǎn)品已經(jīng)相當(dāng)小。當(dāng)然,外置元器件需要數(shù)百伏的耐壓,因此形成現(xiàn)在的尺寸。拿來(lái)和DC/DC轉(zhuǎn)換器相比,稍微有點(diǎn)不合理。

- 關(guān)于小型化已經(jīng)了解得很詳細(xì)了。關(guān)于效率方面,還希望您再稍微具體介紹一下。

是啊!在效率方面,可滿足Energy Star標(biāo)準(zhǔn)也是BM2Pxxx系列的特點(diǎn),后續(xù)將結(jié)合Energy Star新版標(biāo)準(zhǔn)具體介紹。

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電阻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    86

    文章

    5561

    瀏覽量

    172745
  • 轉(zhuǎn)換器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    27

    文章

    8745

    瀏覽量

    148061
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7242

    瀏覽量

    214280
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    127

    文章

    7997

    瀏覽量

    143416
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能

    基于最近的趨勢(shì),提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo),為了獲得更好的EMI而采用慢開(kāi)關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級(jí)結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率
    發(fā)表于 04-17 11:24 ?1459次閱讀

    三分鐘讀懂超級(jí)結(jié)MOSFET

    基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on),同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在
    發(fā)表于 08-09 17:45

    超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)

    :介于平面和超結(jié)型結(jié)構(gòu)中間的類型超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)是高壓MOSFET技術(shù)的重大發(fā)展并具有顯著優(yōu)點(diǎn),其RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時(shí)得到降低。為充分利用這些快速和高效器件,設(shè)計(jì)工程師需要非常注意
    發(fā)表于 10-17 16:43

    超級(jí)結(jié)MOSFET

    。如下面的波形圖所示,基本上超級(jí)結(jié)MOSFET的PN結(jié)面積比平面MOSFET大,因此與平面MOSFET
    發(fā)表于 11-28 14:28

    高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類與特征

    上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)
    發(fā)表于 12-03 14:27

    使分立結(jié)構(gòu)集成為IC實(shí)現(xiàn)高精度、高效率小型化

    電壓,從而成為可通過(guò)以往的分立結(jié)構(gòu)很難實(shí)現(xiàn)的高精度來(lái)控制DC風(fēng)扇電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度的業(yè)界首款*電源IC。集成為IC后使控制進(jìn)一步優(yōu)化,不僅效率大幅提升,還可減少部件數(shù)量、提高開(kāi)關(guān)速度,實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化
    發(fā)表于 12-04 10:18

    SJ MOSFET效率改善小型化

    首先,重新整理一下SJ MOSFET做出貢獻(xiàn)的課題。第一個(gè)是效率改善,第二個(gè)是小型化- 那么先從效率開(kāi)始談。為什么使用SJ-
    發(fā)表于 04-29 01:41

    效率AC/DC轉(zhuǎn)換器IC的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)介紹

    轉(zhuǎn)換器IC的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn):?內(nèi)置ROHM獨(dú)有的650V超級(jí)結(jié)MOSFET→高效率小型化?電流模式PWM控制、逐周期過(guò)電流限制功能→提高負(fù)載瞬
    發(fā)表于 07-11 04:20

    怎樣去解決小型化DC/DC應(yīng)用設(shè)計(jì)的問(wèn)題?

    多芯片驅(qū)動(dòng)器加FET技術(shù)是如何解決小型化DC/DC應(yīng)用設(shè)計(jì)問(wèn)題的?
    發(fā)表于 04-21 06:50

    機(jī)載計(jì)算機(jī)電源的小型化設(shè)計(jì)

    機(jī)載計(jì)算機(jī)電源的小型化設(shè)計(jì)1概述隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,采用大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的機(jī)載計(jì)算機(jī)主機(jī)已越來(lái)越小型化,因而對(duì)其電源部件的體積和重量提出了進(jìn)一步小型化的要求,然而現(xiàn)有的機(jī)載計(jì)算機(jī)電源,已經(jīng)
    發(fā)表于 11-12 07:05

    基于加載技術(shù)在天線小型化設(shè)計(jì)

    基于加載技術(shù)在天線小型化設(shè)計(jì),加載技術(shù)是天線工程中常用的小型化與寬帶化方法,通過(guò)在天線的適當(dāng)位置加載電阻、電抗或?qū)w來(lái)改善天線中的電流分布,從而達(dá)到改變天線的諧振
    發(fā)表于 02-16 10:48 ?3080次閱讀
    基于加載技術(shù)在天線<b class='flag-5'>小型化</b>設(shè)計(jì)

    理解超級(jí)結(jié)技術(shù)

    基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on),同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在
    發(fā)表于 11-10 15:40 ?9次下載
    理解<b class='flag-5'>超級(jí)</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>技術(shù)

    傳統(tǒng)功率MOSFET超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別

    超級(jí)結(jié)又稱超結(jié),是制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種技術(shù),其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:38 ?7397次閱讀

    高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類與特征

    上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)
    發(fā)表于 02-10 09:41 ?1995次閱讀
    高耐壓<b class='flag-5'>超級(jí)</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的種類與特征

    【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn):超級(jí)結(jié)MOSFET(SJ-MOS)

    【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn):超級(jí)結(jié)MOSFET(SJ-MOS)
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:16 ?1113次閱讀
    【科普小貼士】<b class='flag-5'>MOSFET</b>性能改進(jìn):<b class='flag-5'>超級(jí)</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>(SJ-MOS)
    百家乐博赌场娱乐网规则| 闲和庄百家乐官网娱乐平台| 巨星百家乐的玩法技巧和规则| 网络百家乐官网软件真假| 江西老虎机遥控器| 百家乐官网园蒙特卡罗| 金木棉蓝盾在线娱乐| 杨筠松 24山| 黄金城百家乐官网游戏| 全讯网25900.com| 真人版百家乐官网试玩| 阜新市| 全讯网新| 金道百家乐游戏| 百家乐官网是如何骗人的| 大发888下载 17| 最好的百家乐好评平台都有哪些 | 百家乐官网网络游戏平台| 新全讯网xb112| 关于百家乐概率的书| 七胜百家乐官网娱乐城总统网上娱乐城大都会娱乐城赌场 | 蒲江县| 威尼斯人娱乐场 送2688元礼金领取lrm64| 潘多拉百家乐官网的玩法技巧和规则 | 香港六合彩网址大全| 百家乐一柱擎天| 百家乐官网庄闲点| 香格里拉县| 水果机游戏机遥控器| 百家乐娱乐城有几家| 百家乐官网真人娱乐城陈小春| 金樽国际娱乐| 百家乐第三张规则| 百家乐怎样做弊| 至尊百家乐官网娱乐场开户注册| 贵阳市| 德州扑克俱乐部| 百家乐博娱乐网赌百家乐| 24山入宅择日| 王牌百家乐官网的玩法技巧和规则 | 百家乐赌场论坛博客|