全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)的第3代SiC肖特基二極管(以下簡稱“SBD”)成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的產(chǎn)品上。Murata Power Solutions是電子元器件、電池、電源領(lǐng)域的日本著名制造商——村田制作所集團旗下的一家企業(yè)。ROHM的高速開關(guān)SiC SBD產(chǎn)品“SCS308AH”此次成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的數(shù)據(jù)中心電源模塊“D1U系列”,并且為該系列產(chǎn)品的性能提升和尺寸的小型化做出了貢獻。

近年來,隨著以AI(人工智能)和AR(增強現(xiàn)實)等技術(shù)為代表的IoT領(lǐng)域的發(fā)展,全球數(shù)據(jù)通信量正在不斷增長。特別是對于負責(zé)進行通信管理的數(shù)據(jù)中心而言,其服務(wù)器的小型化和效率提升已經(jīng)成為困擾各制造商的技術(shù)難題。在這種背景下,SiC功率器件因其有助于實現(xiàn)電源部分的小型化和高效化而備受期待。

Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions表示:“通過使用SiC功率器件,可以開發(fā)出效率更高、功率密度更高的電源產(chǎn)品。同時,SiC功率器件還可以提高開關(guān)頻率,因而可以減少無源元件和散熱件的體積。村田制作所集團內(nèi)部設(shè)有專門負責(zé)對SiC器件制造商及其產(chǎn)品進行評估的部門,我們此次之所以選擇ROHM,除了ROHM產(chǎn)品的可靠性高以外,還在于ROHM的服務(wù)支持非常迅速,從試制階段開始就能提供樣品。此外,我們正在開發(fā)的三相逆變器中也使用了ROHM的SiC MOSFET,相關(guān)產(chǎn)品可以滿足我們的性能要求。”

Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示:“能夠為電源系統(tǒng)等工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)——Murata Power Solutions提供支持,我由衷地感到高興。ROHM是SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè),在業(yè)內(nèi)率先提供先進的元器件技術(shù)和驅(qū)動IC等產(chǎn)品相結(jié)合的電源解決方案,并取得了驕人的業(yè)績。今后,ROHM將繼續(xù)與Murata Power Solutions攜手,通過面向工業(yè)以及數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域盡可能地深挖SiC技術(shù)潛力,從而進一步提升電源系統(tǒng)的能效。”

<關(guān)于Murata Power Solutions>

Murata Power Solutions是一家設(shè)計、制造和銷售DC-DC電源、AC-DC電源、磁性器件、數(shù)字式面板儀表、數(shù)據(jù)中心解決方案的企業(yè)。產(chǎn)品陣容涵蓋標準品、半定制品和定制品。Murata Power Solutions的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信、計算機、工業(yè)控制設(shè)備、醫(yī)療保健、能源管理系統(tǒng)等全球主要市場領(lǐng)域的電子設(shè)備。

<關(guān)于Murata Power Solutions的數(shù)據(jù)中心電源模塊>

Murata Power Solutions的AC-DC電源“1U前端”系列產(chǎn)品陣容中新增了高效率功率因數(shù)校正型前端電源模塊“D1U54P-W-2000-12-HB3C”和“D1U54P-W-1200-12-HC4PC”等產(chǎn)品,可以實現(xiàn)多個電源模塊并聯(lián)工作。另外,“1U前端”系列還支持熱插拔,具有過熱、過電流、過電壓等異常檢測和保護功能。該系列產(chǎn)品不僅可以為服務(wù)器、工作站、存儲系統(tǒng)等12V電源系統(tǒng)提供高可靠性、高效率的電源,而且產(chǎn)品還具有薄型尺寸(1U),有助于削減系統(tǒng)的安裝面積。

<關(guān)于ROHM的SiC功率器件>

ROHM于2010年在全球開始SiC MOSFET的量產(chǎn)以來,作為SiC功率元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),一直在推動先進產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)。Murata Power Solutions所采用的第3代SiC SBD新產(chǎn)品具有總電荷量(QC)小、損耗低且開關(guān)速度高的特點。而且,與第2代SBD相比,其抗浪涌電流能力更出色,VF值更低。

<支持信息>

ROHM在官網(wǎng)特設(shè)網(wǎng)頁中,介紹了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模塊等SiC功率元器件的概況,同時,還發(fā)布了用于快速評估和引入第4代SiC MOSFET的各種支持資料,歡迎瀏覽。

第4代SiC MOSFET相關(guān)的支持資料:

?概要介紹視頻、產(chǎn)品視頻

?應(yīng)用指南(產(chǎn)品概要和評估信息、牽引逆變器、車載充電器、開關(guān)電源)

?設(shè)計模型(SPICE模型、PLECS模型、封裝和Foot Print等的3D CAD數(shù)據(jù))

?主要應(yīng)用中的仿真電路(ROHM Solution Simulator)

?評估板信息

審核編輯黃宇