20 世紀60年代初期的半導體激光器是同質結型激光器，它是在一種材料上制作的 pn 結二極管。在正向大電流注入下電子不斷地向 p區注入，空穴不斷地向n區注入。于是 ，在原來的pn結耗盡區內實現了載流子分布的反轉， 由于電子的遷移速度比空穴的遷移速度快， 在有源區發生輻射、復合，發射出熒光，在一定的條件下發生激光 ，這是一種只能以脈沖形式工作的半導體激光器。半導體激光器發展的第二階段是異質結構半導體激光器， 它是由兩種不同帶隙的半導體材料薄層 ，如GaAs， GaAlAs 所組成， 最先出現的是單異質結構激光器(1969 年)。單異質結注入型激光器(SHLD)GaAsP -N 結的 p 區之內 ，以此來降低閥值電流密度， 其數值比同質結激光器降低了一個數量級， 但單異質結激光器仍不能在室溫下連續工作 。

從20世紀70年代末開始，半導體激光器明顯向著兩個方向發展 ， 一類是以傳遞信息為目的的信息型激光器，另一類是以提高光功率為目的的功率型激光器 。在泵浦固體激光器等應用的推動下，高功率半導體激光器(連續輸出功率在100mw以上，脈沖輸出功率在 5W 以上，均可稱之謂高功率半導體激光器)。

在 20 世紀90年代取得了突破性進展，其標志是半導體激光器的輸出功率顯著增加，國外千瓦級的高功率半導體激光器已經商品化，國內樣品器件輸出已達到 600W。如果從激光波段的被擴展的角度來看，先是紅外半導體激光器，接著是 670nm 紅光半導體激光器大量進入應用，接著，波長為650nm、635nm的問世 ，藍綠光、藍光半導體激光器也相繼研制成功，10mW 量級的紫光乃至紫外光半導體激光器，也在加緊研制中。20世紀90年代末，面發射激光器和垂直腔面發射激光器得到了迅速的發展，且已考慮了在超并行光電子學中的多種應用。980nm、850nm和780nm的器件在光學系統中已經實用化。目前，垂直腔面發射激光器已用于千兆位以太網的高速網絡。

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