相信電子行業(yè)的伙伴們都知道三星和SK海力士，在存儲芯片領(lǐng)域中也是其中的佼佼者，在行業(yè)內(nèi)排名前兩位。據(jù)媒體報道，這兩家巨頭正在加速3D DRAM的商業(yè)化，以改變內(nèi)存行業(yè)的游戲規(guī)則。事實上，在DRAM行業(yè)排名第三的美光公司從2019年就開始了3D DRAM的研究，并獲得了三星和SK海力士的兩到三倍的專利。

據(jù)《韓國商業(yè)報》報道，業(yè)內(nèi)人士透露，三星和SK海力士高管在最近的一些官方活動中使用了3D DRAM，以此來克服DRAM的物理限制。三星表示，3D DRAM是未來半導體行業(yè)的增長動力。SK海力士認為，大約在明年，3D DRAM的電氣特性細節(jié)將被公開，從而確定其發(fā)展方向。

3D DRAM是一種具有新結(jié)構(gòu)的內(nèi)存芯片，它打破了原有的模型。目前，DRAM產(chǎn)品開發(fā)的重點是通過減小電路的行寬來提高密度。然而，當行寬進入10nm的范圍內(nèi)，物理約束，如電容泄漏和干涉顯著增加。為此，業(yè)界推出了高k材料和極紫外線（EUV）設(shè)備等新材料和新設(shè)備。但是，對于各個DRAM廠商來說，要做出10nm或者更先進的小芯片，仍然是一個巨大的挑戰(zhàn)。

與目前的DRAM市場不同，3D DRAM領(lǐng)域暫時沒有絕對的領(lǐng)導者。美光在3D DRAM技術(shù)競爭中起步較早，擁有更多的專利。三星和SK海力士可能會加快3D DRAM的商業(yè)化進程，盡快進入量產(chǎn)階段，從而更早搶占市場。

目前，三星和SK海力士生產(chǎn)的最先進的DRAM都采用了12nm左右的工藝。考慮到距離10nm越來越近，在未來三到四年內(nèi)，采用新結(jié)構(gòu)的DRAM芯片的商業(yè)化幾乎是必然的。而不是選擇。那么日后三星和SK海力士會不會成為DRAM芯片的主導者呢？讓我們拭目以待！

審核編輯黃宇