肖特基二極管以發明人肖特基博士(Schottky)命名。

SBD(Schottky Barrier Diode)是肖特基勢壘二極管的縮寫。

不同于一般二極管的P半導體和N半導體接觸形成，肖特基二極管是利用金屬和半導體接觸形成。

肖特基的兩個主要特點，一個是正向導通壓降比較低，一般在0.15~0.5V之間，導通壓降低可以提高系統的效率。

另一個特點是反向恢復時間短，一般在幾個納秒。

所以肖特基二極管一般用作高頻、大電流整流、低壓、續流二極管、保護二極管等。

二極管從正向導通到反向截止有一個反向恢復的過程，而不是立即由導通到截止。

對上述的肖特基二極管上加電壓。

在0-t1時間內，給二極管加正的VF電壓，二極管導通，流過二極管的電流IF=(VF-VD)/RL，VD是二極管的導通壓降。

在t1后，將V1由VF改為-VR，理想條件下，二極管會立刻截止，反向電流IR很小。

但實際情況是，二極管并不是立刻截止，而是由正向IF變為一個很大的反向電流IR=VR/RL，維持Ts時間后，IR再慢慢降低到一個很小的值，差不多是0.1倍IR，時間為Tt，這時的二極管才進入反向截止狀態。

通常把二極管從正向導通轉為反向截止所經過的轉換過程稱為反向恢復過程。

其中Ts稱為存儲時間，Tt稱為渡越時間，Ts+Tt稱為反向恢復時間。

由于反向恢復時間的存在，使二極管的開關速度受到限制。

審核編輯：湯梓紅