ESD二極管原理：

將ESD靜電保護二極管并聯(lián)于電路中，當電路正常工作時，它處于截止狀態(tài)（ 高阻態(tài) ），不影響線路正常工作，當電路出現(xiàn)異常過壓并達到其 擊穿 電壓時，它迅速由高阻態(tài)變?yōu)?低阻態(tài) ，給瞬間電流提供低 阻抗 導通路徑，同時把異常高壓箝制在一個安全水平之內(nèi)，從而保護被保護IC或線路；當異常過壓消失，其恢復至高阻態(tài)，電路正常工作。

ESD測試時的放電信號特征為：

加入ESD二極管后的測試圖以及測試效果如下圖所示：

test sample（二極管）并聯(lián)于電路

可以看到，過壓峰值在50ns內(nèi)有明顯下降。

這個舉例器件的技術參數(shù)如下：

CVR1005RS18001T-1

特征：

1.Lead free type.

2.Compact size for

3.Insulator over coat keeps excellent low and stableleakage current.

4.Quick response time(<1ns).

5.Low Clamping Voltage.

6.Meet IEC 61000-4-2 standard.--Contact discharge mode:typical ±15kv--Air discharge mode:typical ±20kv

應用于PCB板級，電腦手機。Application for Mother Board,Notebook, cellularPhone,PDA,handheld device,DSC,DV,Scanner,andSet-Top Box etc.

技術規(guī)格：

關于選型：

ESD靜電二極管選型指南

1）ESD靜電二極管的截止電壓要大于電路中最高工作電壓；

2）脈沖峰值電流IPP 和最大箝位電壓VC 的選擇，要根據(jù)線路上可能出現(xiàn)的最大浪涌電流來選擇合適IPP的型號，需要注意的是，此時的VC 應小于被保護晶片所能耐受的最大峰值電壓；

3）用于信號傳輸電路保護時，一定要注意所傳輸信號的頻率或傳輸速率，當信號頻率或傳輸速率較高時，應選用低電容系列的ESD靜電二極管；

4）根據(jù)電路設計布局及被保護線路數(shù)選擇合適的封裝。ESD封裝的大小從一定程度上可以反應器件的防護等級大小，一般封裝越大的器件可容納的ESD芯片面積也越大，防護等級也越高，反之亦然。

ESD靜電二極管參數(shù)詳解

? VRWM：反向截止電壓、通俗地講，就是ESD允許施加的最大工作電壓，在該電壓下ESD處于截止狀態(tài)，此時ESD的漏電流很小，為幾微安甚至更低。

? VBR：擊穿電壓，擊穿電壓是ESD要開始動作（雪崩擊穿）的電壓，一般在規(guī)定的電流下測量，通常在大小為1mA的 電流下測量。

? IR：反向漏電流，即在ESD器件兩端施加VRWM電壓下測得ESD的漏電流。

? IPP：峰值脈沖電流，一般采用8/20μs的波形測量。

? VC：鉗位電壓，在給定大小的IPP下測得ESD兩端的電壓。大部分ESD產(chǎn)品VC與VBR及IPP成正比關系。

? C J：結電容，ESD的結電容與ESD的芯片面積、工作電壓有關系。對于相同電壓ESD產(chǎn)品，芯片面積越大結電容越大；對于相同芯片面積的ESD，工作電壓越高結電容就越低。

ESD靜電二極管選型事項

1）ESD一般用于各類通信端口靜電防護，在一些高速數(shù)據(jù)線路，比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口，ESD靜電保護二極管的結電容應盡量選擇小的，以避免影響通信質量；

2）ESD有單向（A）和雙向（C）之分，根據(jù)工作的信號進行選擇，單極性的信號可以選擇單向的 ESD或雙向的ESD， 雙極性的信號要選擇雙向的ESD；

3）具體選擇什么型號的ESD靜電二極管做靜電防護，還需要在專業(yè)的電子工程師指導下選擇。