在這篇博客中，我們將介紹SiC肖特基二極管的特性和性能，包括回顧肖特基二極管的不同之處以及它們的工作原理。

肖特基二極管有何不同

在典型的二極管中，p-n結由p型和n型半導體組合而成。然而，肖特基二極管是不同的：使用金屬代替p型半導體。然后，你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結，而不是p-n結（這是這些二極管得名的地方）。

肖特基二極管的工作原理

肖特基二極管的工作原理取決于它是處于無偏置、正向偏置還是反向偏置狀態。當肖特基二極管處于無偏態時，自由電子將從n型半導體移動到金屬。這形成了正電子和負電子相遇的屏障，任何自由電子都需要其內置電壓以外的能量才能成功克服這一屏障。

在正向偏置狀態的情況下，如果電壓大于0.2 V，電子可以穿過勢壘。另一方面，在反向偏置狀態下，勢壘實際上被擴大并防止電流。但有一個問題：如果反向偏置電壓不斷增加，它可能會擊穿勢壘并造成損壞。

肖特基二極管的優點

肖特基二極管最廣為人知的優點之一是它比標準二極管消耗更少的電壓，從而產生較低的正向壓降，并留下更多的電壓來實際為負載供電。由于這些二極管消耗的功率更少，因此它們在低壓應用中工作得非常好。它們還以其高開關速度而聞名，因為二極管內存儲的少量電荷有助于更快的恢復時間。最后但并非最不重要的一點是，肖特基二極管在開關過程中產生的EMI噪聲更少。

碳化硅肖特基二極管性能

將 SiC 與 MPS（合并 PiN 肖特基）設計結合使用，利用 SiC 的自然耐用性，為傳統 Si 設計提供更堅固、可靠和堅固的替代方案。碳化硅肖特基二極管比硅二極管具有更好的導電性（電和熱）。這些綜合特性使得在二極管的整個工作溫度范圍內實現低正向壓降成為可能，而不僅僅是在一小部分。SiC支持的MPS設計可以實現更高的正向載流能力。與硅型號相比，SiC 肖特基二極管還具有更高的擊穿電壓和更好的浪涌能力。

SiC肖特基二極管有許多不同的應用，主要是在電力電子領域。它們可以在與太陽能電池、電動和混合動力汽車電源系統、射頻檢測器、功率整流器電路和工業電源相關的應用中找到。Wolfspeed 專門從事 SiC 肖特基二極管的開發，其第 6 代設計已準備好供您在自己的設計中實施。

審核編輯：郭婷