參考設計的重要特性
高性能:Rx NF < 6dB (典型值); Tx輸出功率為15dBm (典型值)
小尺寸:17mm x 24.7mm
平臺設計適用于各種外形設計,例如:Card Bus和Compact Flash
圖2. WLAN參考設計框圖
實驗室測試數據
功耗指標
工作條件為:Vcc= 2.85V;V。.BAT = 3.3V; fRF = 2.437GHz; 根據工作模式設置RXTX和低電平有效SHDN; 低電平有效CS = 高電平; SCLK = D在 = 低電平; 發送器和接收器處于最大增益。 RF輸入端沒有輸入信號,基帶輸出開路。 發送模式下,100mV有效值、54Mbps IEEE 802.11g OFDM差分信號作用在發送器的基帶I、Q輸入端。
參數 | 測試條件 | 尊。 | 單位 |
---|---|---|---|
電源電流 | 關閉 | 微安 | |
待機;P將+ V一氧化碳+ 升或發電機 | 28 | 但 | |
接收活動 | 58 | 但 | |
Tx 有源(最線性模式),3.3V (PA V)抄送, P外= 15.7分貝 | 295 | 但 |
接收指標
工作條件為:Vcc= 2.85V;TA = +25°C;fRF= 2.437GHz;fBB = 4MHz;Rx V外= 112mV有效值;f裁判 = 40MHz; 低電平有效SHDN = 高電平; RXTX = 低電平; 低電平有效CS = 高電平; SCLK = D在 = 低電平。
參數 | 測試條件 | Meas。 | 單位 | |
---|---|---|---|---|
頻率范圍 | 2.4 到 2.5 | 千兆赫 | ||
總電壓增益 | 94 | 分貝 | ||
射頻增益階躍 | 相對最大增益 (B7:B6 = 11) | B7:B6 = 10 | -16 | 分貝 |
B7:B6 = 0X | -33 | |||
BB 增益范圍 | 最大與最小增益之比 | 61 | 分貝 | |
DSB NF | LNA輸入參考,基于I/Q基帶輸出端的10kHz至8.6MHz集成噪聲。 | 1. B7:B6 = 11,電壓增益 = 90dB | 6.0 | 分貝 |
2. B7:B6 = 11,電壓增益 = 62dB | 6.4 | |||
3. B7:B6 = 11,電壓增益 = 48dB | 7.0 | |||
直流附近的 I/Q 相位誤差 | 最大增益 | < ±1 | 你 | |
智商增益不平衡 | 最大增益 | < 0.1 | 分貝 | |
接收靈敏度 | EVM < 9% | 在 J1 處測量 | -73.6 | 分貝 |
在 J2 處測量 | -72.6 | |||
EVM | P在= -65分貝 | 4.2 | % | |
P在= -40分貝 | 2.2 | |||
P在= -10分貝 | 3.0 |
接收指標
工作條件為:Vcc= 2.85V;TA = +25°C;fRF= 2.437GHz;fBB = 4MHz;Rx V外= 112mVRMS;f裁判 = 40MHz; 低電平有效SHDN = 高電平; RXTX = 低電平; 低電平有效CS = 高電平; SCLK = D在 = 低電平。
參數 | 測試條件 | Meas。 | 單位 |
---|---|---|---|
頻率范圍 | 2.4 到 2.5 | 千兆赫 | |
發射功率 | 對于 EVM = 5.6%;符合 ACPR 規范 | 15.7 | 分貝/16兆赫 |
傳輸 EVM | P外= +15.7分貝 | 5.4% | |
相鄰通道功率比(適用于 54Mbps OFDM 信號) | 在 11MHz 偏移超過 100kHz RBW 時 | 參見圖3 | 分貝 |
在 20MHz 偏移超過 100kHz RBW 時 | |||
在 30MHz 偏移超過 100kHz RBW 時 |
工作特性
圖3. ACPR性能,Tx功率 = 15.7dBm,EVM < 5.6%。
圖4. Rx I/Q坐標圖,RF輸入 = -40dBm; 54Mbps 64QAM,EVM = 2.2%。
圖5. Rx I/Q坐標圖,Pin = -65dBm,54Mbps 64QAM。 EVM僅為4.2%,優于9%的靈敏度要求。
詳細說明
該參考設計適用于所有802.11g OFDM數據速率(6、9、12、18、24、36、48和54Mbps)以及802.11b QPSK數據速率(1、2、5.5和11Mbps),滿足相應的靈敏度要求。 使用MAX2830芯片組可以節省外圍器件,包括SAW濾波器、RF開關和PA。 只需配合RF濾波器、非平衡變壓器和少量無源元件即可構成完備的11b/g WLAN RF前端,并可提供較高性能,占用較小的PCB尺寸。
審核編輯:郭婷
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