芯片封裝燒結銀工藝
如何降低芯片封裝納米燒結銀的燒結溫度、減少燒結裂紋、降低燒結空洞率、提高燒結體的致密性和熱導率成為目前納米銀研究的重要內容。
芯片封裝納米燒結銀的燒結工藝流程就顯得尤為重要了。善仁新材研究院根據客戶的使用情況，總結出芯片封裝納米燒結銀的工藝流程供大家參考：
善仁新材的芯片封裝納米燒結銀包括AS9330系列和AS9375兩個系列，其中AS9330為半燒結銀膏，AS9375為全燒結銀膏。
芯片燒結銀的工藝流程如下：
1 清潔芯片和被粘結的界面
2 假設界面表面能太低，建議提高界面表面能
3 粘結尺寸過大時，建議一個界面開導氣槽
4 一個界面涂布燒結銀時，涂布的要均勻
5 芯片放到涂有燒結銀的界面上時，建議加一點壓力到上界面壓一下
6 燒結時需逐步階梯升溫到一定的溫度，比如3分鐘升高5度等
7 燒結結束時，建議在烘箱中逐步降溫到室溫再把器件拿出
8 燒結銀燒結時，要主要燒結溫度，燒結時間，燒結壓力”鐵三角“的調整問題。
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