半導體行業借助紫外高功率輻射（i 線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）在各種光刻、曝光和顯影工藝中生產IC、LCD、PCB以及MEMS 等復雜的微觀電路結構。得益于LED的技術優勢和成本優勢，半導體制造領域正在擺脫長期以來的傳統放電汞燈技術，進而選擇UVLED技術作為一種理想解決方案。虹科UVLED紫外光源提供穩定且超高功率的UV輻射輸出，最高輸出功率可達80W，具有長壽命和成本優勢，無需額外冷卻時間，即開即用，取代了傳統的燈箱結構，不再需要主光束折疊鏡、散熱器來吸收在快門和濾光片部件下超過450nm的輻射。

許多光刻應用依賴于包括 i、h 和 g 線 （365/405/435 nm） 輻射寬帶曝光。虹科UVLED紫外光源提供非常相似的寬帶光譜輸出，因此，將現有的光刻工藝升級到UVLED曝光系統不再需要過多調整和操作。除了寬帶UVLED曝光單元外，還提供單峰（365 nm）或雙峰波長（365/405 nm和405/435 nm）的輸出配置。虹科高功率UVLED波段選擇

01

掩膜對準系統

半導體、MEMS、LED芯片、功率器件和微流體行業中的后端光刻應用將會使用各種各樣的掩模對準系統。手動、半自動和全自動掩模對準器系統可滿足任何生產環境的要求。

虹科UVLED紫外光源解決方案（ALE/1、ALE/1C和ALE/2）已成功集成到各種掩模對準系統中，在接觸式曝光以及投影式曝光應用中都能產生出色的效果，已經在4、6、8和12英寸基板上看到了出色的均勻性、出色的準直特性 （<2°） 、低至0.7μm 的高分辨率以及較高的表面輻射功率。

晶圓曝光強度

虹科UVLED紫外光源解決方案提供卓越的吞吐量性能，取代了小型功率和中型功率汞弧燈。

1圓形曝光區域從 ?150 mm 開始2方形曝光區域從 200 X 200 mm 開始3標準模式，帶冷卻器的性能模式可提供額外的 20% 輸出

曝光光源系統集成

可以通過多種方式從汞弧燈升級到虹科UVLED曝光解決方案，所有解決方案均可定制，以完美貼合原有的掩膜版設備，還可以選擇改造更換傳統工具中的傳統燈箱。

一

原有曝光系統設計具有挑戰性，內部空間較為有限

選擇虹科ALE/1光纖耦合光源，該光源配備靈活的高透射率 LED 光導，可耦合到掩模對準器的集成光學元件中。

二

中等功率輸出曝光

選擇虹科ALE/1C曝光系統，采用分布式設計，控制子系統 （CSS） 和小尺寸暴露子系統 （ESS） 是獨立的組件，可以將ESS 直接集成到掩模對準器中。

三

超高功率輸出曝光

選擇虹科ALE/2曝光系統，在i-line和寬帶曝光中實現極端強度，并適合用于超大基板的曝光。該系統同樣遵循分布式設置，曝光子系統（ESS）將單獨安裝在曝光工具中。

02

寬帶步進系統

寬帶步進系統，在先進封裝應用中發揮著至關重要的作用，例如扇出晶圓級封裝（FOWLP），晶圓級芯片級封裝（WLCSP）或硅通孔（TSV）。MEMS或LED等復雜的微觀結構是在那些高度專業化的步進器件上制造的重要例子。

虹科寬帶 ALE/1 和ALE/1C 光源將i線、h線和g線周圍的單個LED模塊組合成一條光路，可以完全控制 350-450 nm范圍內的寬帶曝光的光譜組成，可以實現低至1μm 甚至亞微米范圍的分辨率，提供更高的輻射輸出。通過采用虹科光源解決方案，可以完全靈活地選擇工藝中可能需要應用的光敏先進封裝材料，更換或代替任何高達1kW 甚至更高的傳統大功率汞弧燈，提供卓越的系統吞吐量。

輻射功率比較

虹科UVLED紫外光源解決方案提供卓越的吞吐量性能，取代了小型功率和中型功率汞弧燈。ALE/1C 目前能夠提供高達 50 W寬帶曝光。光導耦合系統 ALE/1 可提供高達 30 W 的功率。

1標準模式;帶冷卻器的性能模式可提供額外的20%輸出

超精確曝光

虹科UVLED曝光解決方案的功率切換時間（0至100%）小于1毫秒，內部閉環反饋控制系統可在短周期和較長的曝光周期內保持輻射輸出恒定。結合這些功能，通過計時器即可在短時間內實現±2.50% 誤差的輸出精度。精度甚至隨著曝光周期的延長而提高。

曝光光源系統集成

可以通過多種方式將晶圓步進器的光源系統從汞弧燈升級到虹科UV-LED曝光解決方案，所有解決方案均可定制，以完美貼合原有的寬帶步進器，還可以選擇改造更換傳統工具中的傳統燈箱。

一

原有曝光系統設計具有挑戰性，內部空間較為有限

選擇虹科ALE/1光纖耦合光源，該光源配備靈活的高透射率 LED 光導，可耦合到步進器的集成光學元件中。

二

中等功率輸出曝光

選擇虹科ALE/1C曝光系統，采用分布式設計，控制子系統 （CSS） 和小尺寸暴露子系統 （ESS） 是獨立的組件，可以將ESS 直接集成到步進器中。