最近，三星舉辦了題為“加快創新速度”的“三星先進代工生態系統論壇”，公布了在芯片代工制造領域的一系列重要技術創新和業務發展計劃。

在論壇上，三星詳細介紹了他們的2納米制造工藝量產計劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導體代工服務，以滿足人工智能技術的需求。這種半導體具有高性能低功耗的特點，在消費類電子、數據中心和汽車等領域將得到廣泛應用。

早在今年3月，就有報道指出三星計劃投資約2，000億韓元（約1.54億美元）用于生產碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導體，主要用于電源管理IC。現在的消息顯示，三星將采用8英寸晶圓來生產碳化硅和氮化鎵芯片，而不是像大多數廠商使用的6英寸晶圓。

此外，三星還計劃使用8英寸晶圓制造MicroLED。他們的先進技術研究院已經擁有相關的氮化鎵技術。

三星選擇使用8英寸晶圓進行功率半導體生產具有引人注目的意義，因為大多數廠商在碳化硅芯片方面使用的是4英寸和6英寸晶圓。而對于氮化鎵芯片來說，8英寸晶圓正變得越來越普遍。

碳化硅和氮化鎵相較于硅具有更高的耐用性和能源效率，因此被廣泛應用于最新的電源管理IC。汽車行業普遍青睞碳化硅，而氮化鎵則在無線通信領域獲得更多應用機會，主要因為其快速切換的特點。

編輯：黃飛