半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：6月30日，在2023上海國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì)（SEMICON China）上，中國(guó)電子科技集團(tuán)旗下中電科電子裝備集團(tuán)有限公司發(fā)布了最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備，成功突破關(guān)鍵技術(shù)及工藝，進(jìn)一步推進(jìn)碳化硅電力電子器件制造降本增效，牽引碳化硅行業(yè)向低成本、規(guī)模化方向發(fā)展，也標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體專用核心裝備邁進(jìn)“8英寸時(shí)代”。

據(jù)中國(guó)電科48所黨委書記王平透露，此次48所發(fā)布的8英寸碳化硅外延設(shè)備有三個(gè)突破性的指標(biāo)，分別是采用該設(shè)備生產(chǎn)的8英寸生長(zhǎng)厚度均勻性小于1.5%、摻雜濃度均勻性小于4%、表面致命缺陷小于0.4個(gè)/cm2。這些技術(shù)指標(biāo)的突破，標(biāo)志著電科裝備已成功掌握8吋SiC外延設(shè)備相關(guān)技術(shù)。據(jù)悉，目前該設(shè)備已完成首輪工藝驗(yàn)證。

此前，在6英寸碳化硅外延機(jī)型方面，48所收獲了國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體裝備行業(yè)的第一大訂單。該所研發(fā)的芯片制造關(guān)鍵裝備碳化硅高溫離子注入機(jī)已實(shí)現(xiàn)100%國(guó)產(chǎn)化，穩(wěn)居國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率第一。

據(jù)《中國(guó)電子報(bào)》報(bào)道，中國(guó)電科48所黨委書記王平向記者介紹，碳化硅晶圓面積從6英寸提升至8英寸，主要在兩個(gè)方面有明顯的提升：

■ 一是能夠讓單位芯片成本下降50%

■ 二是單個(gè)晶圓片的產(chǎn)出率能提高90%

但是，在提升晶圓面積的同時(shí)，如何保證良率是目前需要解決的難題，也是目前8英寸晶圓設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)之一。擴(kuò)大尺寸是產(chǎn)業(yè)鏈降本增效的有效路徑之一。但在擴(kuò)大尺寸的同時(shí)，還需要克服大尺寸外延生長(zhǎng)反應(yīng)源沿程損耗突出、溫流場(chǎng)分布不均等難題，這些困難均需要通過(guò)8英寸晶圓設(shè)備來(lái)解決。

雖然8英寸晶圓設(shè)備是目前國(guó)內(nèi)外都在積極布局的新技術(shù)，但如今市場(chǎng)仍處于相對(duì)藍(lán)海階段。因此，對(duì)于本土寬禁帶半導(dǎo)體企業(yè)而言，8英寸碳化硅設(shè)備的研發(fā)，也是一個(gè)絕佳的發(fā)展道路。

此外，王平介紹，48所著力在外延、注入、氧化、激活等專用核心裝備上發(fā)力突破，結(jié)合立式擴(kuò)散爐、物理氣相沉積等通用設(shè)備和半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線的建線經(jīng)驗(yàn)，成為國(guó)內(nèi)唯一具備提供碳化硅整線集成解決方案能力的單位。

展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，技術(shù)人員表示，自主研發(fā)的4-6英寸單晶生長(zhǎng)爐達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平；碳化硅高溫離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)完全自主創(chuàng)新，穩(wěn)居國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率第一；6英寸碳化硅外延設(shè)備，創(chuàng)造國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體裝備行業(yè)第一大訂單；國(guó)內(nèi)首臺(tái)SiC晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備成功研制，6英寸核心設(shè)備整線集成能力大幅躍升。