6月26-27日，由NE時代主辦的2023第三屆全球xEV驅(qū)動系統(tǒng)技術暨產(chǎn)業(yè)大會在上海嘉定如期召開。本次大會圍繞“雙循環(huán) · 新格局”的主題，重點聚焦國內(nèi)外新能源汽車行業(yè)發(fā)展業(yè)態(tài)。大會吸引了來自新能源汽車電驅(qū)動整車廠、驅(qū)動系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈、相關材料、設備、測試等上下游應用廠商，以及行業(yè)機構(gòu)、科研院校、園區(qū)等的近千名嘉賓參與。業(yè)界大咖齊聚一堂，就“電驅(qū)產(chǎn)業(yè)‘雙循環(huán)，新格局’ ”、“電驅(qū)動系統(tǒng)和關鍵部件技術”、“電機控制和關鍵器件技術”、“驅(qū)動電機新技術和新工藝”等話題展開熱烈討論。

派恩杰半導體受邀并攜公司650V-1700V碳化硅器件及功率模塊亮相，引起與會技術專家和客戶的廣泛關注。憑借國際領先的技術水平和卓越的性能表現(xiàn)，贏得業(yè)內(nèi)專家和客戶的一致認可和高度贊譽。

HPD 封裝SiC模塊

派恩杰1200V/400A SiC 模塊PAAC12400CM，采用Press-fit技術與驅(qū)動板進行連接，使得裝配過程更加可靠，派恩杰HPD封裝SiC模塊最大持續(xù)工作電流為400A，采用Pin-Fin結(jié)構(gòu)利用水道進行散熱，顯著提高功率模塊散熱效率，提高模塊的功率密度。派恩杰HPD模塊專門為800V電機驅(qū)動系統(tǒng)開發(fā)，滿足車規(guī)級要求。

同時，派恩杰設計專用模塊測試評估板對模塊進行動態(tài)參數(shù)設計，通過外部控制信號對模塊進行雙脈沖測試，驅(qū)動能力高達±30A，該評估板可直接壓接在HPD封裝模塊上，板子尺寸為168mm*93mm，六路獨立的驅(qū)動電源和驅(qū)動芯片可以輕松驅(qū)動PAAC12400CM。

作為一家主營車規(guī)級碳化硅功率器件的半導體公司，派恩杰致力于為客戶提供穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，并提供優(yōu)質(zhì)的服務。派恩杰的碳化硅MOSFET，除通過AEC-Q101車規(guī)級測試認證外，還進行多個內(nèi)外部測試。

例如SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究，1000h的AC BTI試驗Rdson變化率結(jié)果顯示，派恩杰測試器件的Rdson變化率均小于1%，且不隨時間推移變化，性能穩(wěn)定，幾乎達到硅MOSFET可靠性水平。

馬拉松性能測試，派恩杰的P3M12080K3產(chǎn)品在柵壓條件Vgs = 25V，環(huán)境溫度175℃的條件下，能夠很好地消除SiC材料的失效風險，PPM為個位數(shù)，與國際競品廠商論文及報告中的器件可靠性接近。這也意味著派恩杰產(chǎn)品不僅能通過嚴苛的車規(guī)測試，也可以很好地適用于新能源和光伏等領域。

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告，在Vgs=-5V，Isd=5A的測試條件下，殼溫達到130℃左右，P3M12080K3體二極管經(jīng)過1000h直流可靠性測試，器件的性能退化均比較小，器件參數(shù)變化率遠低于20%的失效標準。

展會精彩瞬間

派恩杰半導體始終堅持自主研發(fā)，致力于推動碳化硅器件國產(chǎn)替代。截至目前，派恩杰半導體量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車、IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應用等領域廣泛使用，為各個應用領域頭部客戶持續(xù)穩(wěn)定供貨并廣受好評。面向未來，派恩杰期待以領先的技術以及對行業(yè)的深刻理解為客戶帶來質(zhì)量穩(wěn)定和安全可靠的功率芯片，為實現(xiàn)低碳節(jié)能、綠色可持續(xù)發(fā)展做出貢獻。

第三代寬禁帶半導體材料前沿技術探討交流平臺，幫助工程師了解SiC/GaN全球技術發(fā)展趨勢。所有內(nèi)容都是SiC/GaN功率器件供應商派恩杰半導體創(chuàng)始人黃興博士和派恩杰工程師原創(chuàng)。

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術總監(jiān)

美國北卡州立大學博士，師承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE終身會員，美國科學院院士，IGBT發(fā)明者，奧巴馬授予國家技術創(chuàng)新獎章）與Dr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 發(fā)射極關斷晶閘管（ETO）的發(fā)明者）。10余年碳化硅與氮化鎵功率器件經(jīng)驗，在世界頂尖碳化硅實驗室參與美國自然科學基金委FREEDM項目、美國能源部Power America項目，曾任職于Qorvo Inc.、聯(lián)合碳化硅。2018年成立派恩杰半導體，立志于幫助中國建立成熟的功率器件產(chǎn)業(yè)鏈。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導入國產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機驅(qū)動等領域。