1 下圖為一個采用N阱CMOS工藝的版圖。

（1）從版圖中提取邏輯圖。

（2）此版圖中應用了哪幾種類型的設計規則？

設計規則：最小寬度，最小間距，最小包圍，最小延伸。

（3）畫出虛線處的剖面圖，并在圖中標出場氧和柵氧的位置。

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的。CMOS中的C表示“互補”，即將NMOS器件和PMOS器件同時制作在同一硅襯底上，制作CMOS集成電路。CMOS集成電路具有功耗低、速度快、抗干擾能力強、集成度高等眾多優點。CMOS工藝已成為當前大規模集成電路的主流工藝技術，絕大部分集成電路都是用CMOS工藝制造的。

CMOS中既包含NMOS晶體管也包含PMOS晶體管，NMOS晶體管是做在P型硅襯底上的，而PMOS晶體管是做在N型硅襯底上的，要將兩種晶體管都做在同一個硅襯底上，就需要在硅襯底上制作一塊反型區域，該區域被稱為“阱”。根據阱的不同，CMOS工藝分為P阱CMOS工藝、N阱CMOS工藝以及雙阱CMOS工藝。其中N阱CMOS工藝由于工藝簡單、電路性能較P阱CMOS工藝更優，從而獲得廣泛的應用。