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離線反激式轉換器的反饋控制設計指南

pecron ? 來源:電路一點通 ? 2023-08-07 09:15 ? 次閱讀

離線式反激轉換器 (off-line flyback converter) 的反饋控制經常困擾著電源工程師,因為牽涉到連續導通模式 (continuous conduction mode, CCM) 與非連續導通模式(discontinuous conduction mode, DCM)的小信號模型、TL431與光耦合器(opto-coupler)的特殊反饋補償模式,使得反饋參數的設計,還流于試誤(cut and try)模式。本設計指南提供完整的理論設計,從功率級的轉換函數到設計TL431與光耦補償器,使得系統獲得良好的相位裕度(phase margin),達到瞬時穩定度的要求。本文將利用Mathcad 軟件做理論計算,同時以Simplis 模擬做比較驗證。

一、適用范圍 : 次級穩壓反激轉換器

絕大部份反激轉換器都采用次級穩壓的峰值電流控制(peak current mode control)來完成調節輸出電壓的反饋方式,圖一為其簡圖。次級輸出電壓經過光耦與TL431電路,在初級側形成電壓VCOMP,這個電壓與初級峰值電流比較,決定開關晶體管Q的占空比,完成負反饋穩壓的作用。其中,RS 為初級電流檢測電阻,CTR 為光耦的電流傳遞比(current transfer ratio),GFB為小信號增益 (在RT773x IC內部設計為1/3),Se為消除次諧波振蕩(sub-harmonic oscillation) 所外加的斜率補償(slop compensation)。

為方便后續的推導與說明,電路做了基本的假設如下:

1.開關器件Q與次級二極管D為理想組件

2.變壓器視為理想器件

3.TL431的開回路增益為無限大 (常規的開路增益約50 ~ 60dB)

4.光耦的電流傳遞比為一常數

其中,光耦的電流傳遞比是一個極非線性的數值,隨著工作點(通過光耦二極管的電流)的變動,電流傳遞比也會隨著變化。但為了方便說明與推導起見,姑且將其視為定值。在常規的應用中,流過光耦二極管的電流很低,可能低于1mA,導致電流傳遞比可能小于20%。

其他名詞與符號定義如下:

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圖一、利用TL431與光耦反饋的反激轉換器

二、功率電路的小信號模型

在許多不同的參考文獻中可以找到不同的反激轉換器小信號模型[1-3],這些模型都是基于狀態平均(state averaging)法推導的,可能是因為簡化或假設條件不同而有些許差異。本文乃采用 Christophe Basso 的小信號模型作反饋補償設計[1]。從實用的角度而言,所有小信號模型都將得到近似的結果。

連續導通模式(CCM)的轉移函數(transfer function)

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這是一個一個極點(pole)、兩個零點(zero)的系統,如圖二所示。極點的位置與電路參數以及負載輕重有關,而第一個零點為輸出電容與其等效串聯電阻(ESR)所構成,為一固定不動的零點。另一個零點在s-平面的右半邊,稱為右半平面零點(RHP zero),這個右半平面零點的位置與輸入電壓、負載電流的高低有關。在一個設計良好的系統里,交越頻率 (cross-over frequency) 必須設計得遠低于右半平面零點頻率,才能有足夠的相位裕量(phase margin)。所以在補償電路設計時,這個高頻的零點將忽略不計。

3000a078-3451-11ee-9e74-dac502259ad0.png圖二、CCM 1P2Z 的轉移函數圖

非連續導通模式 (DCM)的轉移函數

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將(2)式的轉移函數繪制在波德圖(Bode Plot)上,如圖三。在DCM 模式下,功率電路小信號模型呈現兩極點與兩零點,不過其中有一個極點ωp2頻率極高(遠高于目標的交越頻率),在設計反饋時不需考慮。所以等效上,不論CCM 或是DCM,其功率級的轉移函數,均可視為一極點、兩零點(1P2Z)的形式,這非常有利于反饋組態電路的選定。從(1)與(2) 轉移函數來看,這些極點與零點,有些是固定不變的,如輸出電容等效串聯電阻ESR造成的零點。大部份的極零點與直流增益都與工作點(operating point)有關,所謂工作點即指某一個輸入電壓與某個負載電流工作條件。接下來,就用數值來說明這些極零點的變化。

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圖三、DCM 2P2Z 的轉移函數圖

工作點與極零點變化

舉一個常規的應用例子來說明:一個反激轉換器,輸入電壓范圍為90V 到360V,負載范為為0到3A,輸出電壓為12V。并有著下列的電路參數 : LP = 1.1mH, NP : NS = n = 7.7, CO = 1360μF, RESR = 30 mΩ, RS = 0.56Ω, fS = 65kHz, Se = 3.46 x 104 V/sec, GFB = 0.3333。(其中 Se 與GFB 必須由控制IC提供)根據反激轉換器的工作原理[4],在常規的設計里,高輸入電壓與輕載狀態總是讓轉換器傾向于非連續導通模式;反之,低輸入電壓與重載的條件下,轉換器會走向連續導通模式。其間存在著一條所謂 CCM與DCM 的邊界曲線,如圖四所示,在曲線上方為CCM 工作模式,曲線下方為DCM 工作模示。(3)式就是代表這條曲線的方程式。

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圖四、CCM 與DCM 邊界曲線

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不同工作點的零極點變化

表一為范例中的直流增益以及零極點位置的計算結果。圖五為輸入電壓與負載電流變化的波德示意圖。可以看出,當低輸入電壓與高負載時,增益曲線較低;反之,高輸入電壓與輕載時,增益曲線較高。這個事實關系到如何選擇工作點作為反饋設計的基準,很顯然,低輸入電壓與重載條件做為反饋設計點是比較恰當的。也就是說在這樣的條件下,如果擁有足夠的相位裕量,通常也能延伸到其他工作點有著更好的相對穩定裕量。

表一、不同工作點的直流增益與零極點位置

VIN (V) 90 180 270 360 90 90 90 360 360 360
IO (A) 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 2.0 1.0 3.0 2.0 1.0
Mode CCM CCM CCM DCM CCM CCM DCM DCM DCM DCM
G0 (dB) 13.1 16.5 17.0 17.1 13.1 15.6 17.0 17.1 18.8 21.8
fP1 (Hz) 59.0 53.0 57.0 58.5 59.0 44.0 19.5 58.5 39.0 19.5
fP2 (Hz) NA NA NA 21.7k NA NA 25k 21.7k 32.6k 65k
fZ1 (Hz) 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k
fZ2 (Hz) 16.5k 44.2k 75k 106k 16.5k 24.7k 49.5k 106k 160k 319k

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圖五、改變工作點的增益曲線變化

三、反饋補償電路設計

從前面的分析得知,不同的操作點有著不同的零極點位置以及不同的低頻直流增益,所以存在著許多設計補償電路的方法。基本上一個Type II 的補償器 (一個零頻率的極點,隨著一個低頻零點以及一個極點) 最適合做此類的補償。如果用一個低頻零點來補償功律電路的低頻極點,同時利用高頻極點來補償ESR零點,這樣將容易獲得較好的相位裕量。利用補償器的中頻段增益來設定適當的交越頻率,系統將有相當好的穩定度。

一種簡單實用的方法便是先設定好一個“目標回路增益”(target loop gain)為:

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這樣的回路增益在波德圖上就是一條 -20dB/dec 斜率的直線,如圖六,在低頻直流部分有著極高(相當于補償器的開路增益)的增益,所以整個電路的直流穩態電壓調整率理論值可為零。同時,其交越頻率fC為

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因為斜率近似 -20dB/dec,所以在交越頻率有著近90° 的相位裕量。對一個離線的反激轉換器而言,交越頻率設計在低壓輸入滿載時工作點為800Hz到3kHz為最恰當 (以65kHz 開關頻率而言)。

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圖六、功率電路轉移函數曲線(紅色)與目標回路增益(藍色)

設計步驟

有了以上的了解與認知后,很自然的一般補償器設計的方法就可以應用了,現將這些步驟整理如下:

1.選擇低壓輸入與滿載做為補償電路設計基準的功率電路。如前所述,采用這個工作點設計的補償器可以延伸涵蓋到其他工作點,并且有更好的相位裕量。

2.設定交越頻率 fC,其回路增益波德圖為 -20dB/dec 斜率。越高的交越頻率,雖然代表著更快的瞬時響應,但是別忘了反激轉換器固有的右半平面零點問題,這個零點無法用傳統的極點補償,所以交越頻率必須遠低于這個零點位置。實務上,離線反激轉換器的交越頻率多半設計在3kHz以下。

3.定義一個兩極點、一零點的補償電路,并設定補償電路的零點為功率電路的低頻極點;設定補償電路的高頻極點為功率電路的ESR零點。利用一組Type II 的補償電路,恰可以結合功率電路的轉移函數,成為目標回路增益。

4.根據功率電路在fC 的增益,算出補償器的中頻增益。

5.同時,相位裕量可以先預估。

6.補償電路的轉換函數可以確定了:

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也就是說 (6) 式的 A、ωcp1 與 ωcz1 都可以計算出來了。

補償電路的實現

1.選用最廣泛使用的TL431與光耦合器架構,如圖七。實現Type II 補償器的電路結構有許多種,不在此討論,僅提供最常用結合TL431與光耦的常規Type II電路計算與說明。

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圖七、實現反饋補償的電路結構

2.圖七補償電路的小信號轉換函數如下 [5]

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圖八為相應的補償器波德圖。

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圖八、Type II 補償器波德圖

3.從(7)式看,共有Ra、Rb、Rc3、Rd、Ca、Cb 及 CTR 等七個參數待定。而已知的只有前面算出的三個關系式。

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換句話說,有四個參數必須從其他條件獲得。

4.首先為電阻Rd,大部份新型的控制IC都已設定好,設計者可以從IC供貨商數據中獲得。

5.其次,TL431 的參考電壓也可從供貨商數據中得取,常規約為2.5V。為讓TL431正常運作,通過Rb 的電流(Ivd) 至少須125μA,一般加上余裕,可以設定成250μA。所以 Ra 與Rb 就可以很容易的計算出來。

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6.此外,光耦的電流傳遞比(CTR)可以從供貨商數據里估計。事實上如前所述,CTR 為一非線性值,隨通過光耦二極管電流大小而變。一般通過光耦二極管電流約為幾百μA,CTR 約在0.1 到0.5之間,確實的數值必須透過精密量測而得。此例將假設CTR 為0.5。

7.如此一來,七個參數已經決定了四個,其余的三個參數可藉由(8)、(9)及(10)三個關系式算出唯一解。

8.算出RC3 的數值后必須要檢討一下。從TL431 運行原理,其陰極電壓必須高于2.5V,同時流過陰極的電流必須大于1mA 才可以獲得正確的穩壓。通常會在光耦二極管上并聯一個1kΩ 左右的電阻以提供足夠的陰極電流。特別注意,這個并聯電阻并不會改變系統小信號特性。所以可以得到下列關系式:

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其中VF 為光耦二極管的順向壓降,常規約略為1.0V。RC3的最大值就可以估計出來了。

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代入前面的例子,同時假定最大陰極電流為1.5mA,則RC3必須小于5.6kΩ。太高的RC3會降低補償電路的中頻增益。如果計算出來的RC3大于上限值就表示必須降低設定交越頻率,或采用其他的補償計算方法。

9.光耦合器在先天上存在一個并聯于光耦三極管的等效電容,必須用電路量測的方法測得,常規約在2nF到5nF之間。補償器計算出來的Cb值必須減去這個雜散電容,才是要外加的電容值。如果算出來的Cb值比雜散電容小,那就不需要外加電容了,不過因為不能完全補償ESR零點(極點靠近低頻),所以相位裕量會變差一些。

設計工具與模擬驗證

為了讓上述計算可以快速進行,特別制作兩個Mathcad計算程序“Flyback CCM Type II Compensation” 與 “Flyback Loop Gain Analysis”,方便反饋的計算與分析。同時可藉由Simplis仿真來比較本文模型計算的誤差。圖九為Simplis仿真電路圖,圖十到圖十二為本文提供的設計方法用Mathcad 分析計算與Simplis 模擬結果比較。圖十為功率電路轉移函數波德圖,圖十一為補償器電路轉移函數波德圖,圖十二為回路增益波德圖。(a)為幅值,(b)為相位。圖中紅色實曲線為Mathcad依據小信號模型計算結果,藍色虛曲線為用Simplis直接仿真的結果。可以看出從低頻段到交越頻率,小信號模型有很好的準確度。高頻部份由于小信號模型的誤差,有比較大的誤差,不過因為回路增益已遠小于1,對于實際瞬時響應影響不大。圖十三為用Simplis仿真在輸入電壓為90V情況下階梯負載變化(負載自1A瞬變到3A)的輸出電壓瞬時響應圖,可以看出只有很小的過沖(overshoot)以及很快的回復時間(settling time)。

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圖九、Simplis 仿真電路圖

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圖十、功率電路轉移函數波德圖 (a) 幅值, (b) 相位

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圖十一、補償器電路轉移函數波德圖 (a) 幅值, (b) 相位

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圖十二、回路增益波德圖 (a) 幅值, (b) 相位

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圖十三、負載瞬變瞬態響應圖

審核編輯:湯梓紅
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原文標題:設計指南:離線反激式轉換器的反饋控制

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