前言
電池備份(VBAT)功能的實現方法,一般是使用 MCU 自帶的 VBAT 引腳,通過在該引腳連接鈕扣電池,當系統電源因故掉電時,保持 MCU 內部備份寄存器內容和 RTC 時間信息不會丟失。
本文檔介紹了如何基于 CW32 系列 MCU,通過增加簡單的外部電路配合軟件實現 VBAT 功能,在系統電源掉電后仍能保持 RTC 時鐘正常計時,以及如何降低系統功耗,從而延長后備電池的使用壽命。
1 電路設計
對于自帶 VBAT 引腳的 MCU,MCU 內部有對 VBAT 電源和系統電源的管理單元,保證在系統電源掉電后,及時切換 VBAT 引腳電源給備份域供電,保證 RTC 正常工作。
對于沒有 VBAT引腳的 CW32,要實現類似的功能,可以在外部進行后備帶電池和系統電源的切換,如下圖所示:
后備電池(B1)提供的備用電源 VBAT 和系統電源 VDDIN 通過 2 個肖特基二極管(D1)合路,合路后的電源 VDD 給 MCU 的數字域 DVCC 和模擬域 AVCC 進行供電。系統電源 VDDIN 通過 R3、R4 電阻分壓得到WAKEIO 信號,連接到 MCU 的 IO 引腳。注意遵循如下規則:
1. Vwakeio 要大于 MCU IO 口的 Vih;
2. VDDIN 必須高于 Vb1 在 0.4V 以上,否則如果 VDDIN 和 Vb1 相等,在系統電源正常時,后備電池也會有一定的泄放電流,不利于節省后備電池電量。
2 程序設計
程序啟動后正常初始化時鐘、IO、RTC 以及 OELD,循環中檢測系統電源是否存在,如存在則讀取 RTC 時間并顯示。
當系統電源 VDDIN 因故掉電,則關閉 OLED 電源,并進入 DeepSleep 低功耗睡眠模式。
當系統電源 VDDIN 恢復供電時,產生高電平中斷,喚醒 MCU,退出 DeepSleep 低功耗睡眠模式。
3 參考代碼
int32_t main(void)
{
RCC_Configuration();?????// 時鐘配置
GPIO_Configuration();????//GPIO配置
OLED_Init();?????????//OLED顯示屏初始化配置
dis_err("RTC_TestBoard");?? // 顯示
FirmwareDelay(5000000);??// 增加延時防止過早休眠影響程序燒寫
RTC_init();??????????//RTC時鐘初始化
//DeepSleep 喚醒時,保持原系統時鐘來源
RCC_WAKEUPCLK_Config(RCC_SYSCTRL_WAKEUPCLKDIS);
ShowTime();???????// 獲取時間數據
displaydatetime();????// 顯示當前時間
while(1)
{
if( 0==PB05_GETVALUE() )? // 循環檢測是否掉電
{
PA05_SETHIGH();???// 關 OLED 電源
SCB->SCR = 0X04;??//DeepSleep
__WFI();???????//MCU 進入DeepSleep模式以節省功耗
OLED_Init();?????// 外部電源接入后喚醒,重新初始化 OLED
}
else
{
ShowTime();??????// 獲取時間數據
displaydatetime();???// 顯示當前時間
}
}
}
void GPIO_Configuration(void)
{
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct= {0};
__RCC_GPIOB_CLK_ENABLE();???????? // 開 GPIOB 時鐘
GPIO_InitStruct.IT = GPIO_IT_RISING;????// 使能上升沿中斷
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_INPUT;??// 輸入模式
GPIO_InitStruct.Pins = GPIO_PIN_5 ;????//PB05,連接 WAKEIO 網絡
GPIO_Init(CW_GPIOB, &GPIO_InitStruct);??// 初始化 IO
GPIOB_INTFLAG_CLR(bv5);????????// 清除 PB05 中斷標志
NVIC_EnableIRQ(GPIOB_IRQn);??????// 使能 PB05 中斷
}
4 實際測試
使用 CW32L031C8T6 設計了用于測試后備電池功能的評估板,實物如下圖所示:
使用 3V 的 CR2032 鈕扣電池,實測電池電壓為 3.14V;VDDIN 使用可調節數字電源,設置為 3.54V,保證VDDIN >= Vb1 + 0.4V;D1 實測合路后的電源電壓為 3.21V。
4.1 測試數據
實際測試時,斷開 J4 跳線接入萬用表,設置萬用表為電流測試檔位。
1. 關閉 VDDIN 電源輸入,MCU 檢測到無外電輸入,關閉 OLED 顯示,進入 DeepSleep 模式,實測此時B1 電流為 +0.95μA。
2. 打開 VDDIN電源輸入,MCU被高電平中斷從 DeepSleep狀態喚醒到正常狀態,OLED正常顯示當前時間,實測此時 B1 電流為 -75nA(負電流是因為 D1 處于反向偏置狀態,有小的反向漏電流)。
測試結果符合電路設計預期,以 CR2032 電池容量為 200mAH 計算,則電池可用時間為 210526 小時,合計24 年(不考慮電池和產品壽命),可實現超長待機時間,完全滿足各種低功耗產品對 RTC 后備電池容量需求。
5 附件
5.1 RTC_TestBoard 單板原理圖
關于武漢芯源半導體
武漢芯源半導體有限公司,于2018年8月28日成立,是上市公司武漢力源信息技術股份有限公司全資子公司,專注芯片的設計、研發、銷售及技術服務。武漢芯源半導體CW品牌源于Creative Wisdom首字母CW,傳遞“創芯源于智慧”的品牌理念。
武漢芯源半導體為電子行業用戶提供微處理器MCU、小容量存儲芯片EEPROM、功率器件SJ-MOSFET等系列產品,具有產品質量保證、技術性能可靠、供貨能力穩定三大競爭優勢。
在MCU領域目前已推出通用高性能CW32F003/030系列、安全低功耗CW32L083/031/052系列、無線射頻CW32W031系列產品,廣泛應用于消費電子、智能家居、物聯網、工業控制、醫療電子以及汽車電子行業,未來將能夠滿足更多的市場需求。
武漢芯源半導體持續進行技術革新,確保穩定可靠的供應鏈能力,致力于成為***產業的領航者!
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