上期和大家聊的電源PCB設(shè)計(jì)的重要性，那本篇內(nèi)容小編則給大家講講存儲器的PCB設(shè)計(jì)建議，同樣還是以大家最為熟悉的RK3588為例，詳細(xì)介紹一下DDR模塊電路的PCB設(shè)計(jì)要如何布局布線。

由于RK3588 DDR接口速率最高達(dá)4266Mbps，PCB設(shè)計(jì)難度大，所以強(qiáng)烈建議使用瑞芯微原廠提供的DDR模板和對應(yīng)的DDR固件，DDR模板是經(jīng)過嚴(yán)格的仿真和測試驗(yàn)證后發(fā)布的。

在單板PCB設(shè)計(jì)空間足夠的情況下，優(yōu)先考慮留出DDR電路模塊所需要的布局布線空間，拷貝瑞芯微原廠提供的DDR模板，包含芯片與DDR顆粒相對位置、電源濾波電容位置、鋪銅間距等完全保持一致。

如下8張圖（從左至右），分別為：L1-L8層DDR電路走線示意圖。

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如果自己設(shè)計(jì)PCB，請參考以下PCB設(shè)計(jì)建議，強(qiáng)烈建議進(jìn)行仿真優(yōu)化，然后與瑞芯微原廠FAE進(jìn)行確認(rèn)，確認(rèn)沒問題以后再進(jìn)行打樣調(diào)試。

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1

CPU管腳，對應(yīng)的GND過孔數(shù)量，建議嚴(yán)格參考模板設(shè)計(jì)，不能刪減GND過孔。8層通孔的PCB模板，CPU管腳GND過孔設(shè)計(jì)如下圖所示，黃色為DDR管腳信號，地管腳為紅色。

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2

信號換層前后，參考層都為GND平面時(shí)，在信號過孔25mil（過孔和過孔的中心間距）范圍內(nèi)需要添加GND回流過孔（黃色為DDR信號，紅色為GND信號），改善信號回流路徑，GND過孔需要把信號換層前后GND參考平面連接起來。

一個(gè)信號過孔，至少要有一個(gè)GND回流過孔，盡可能增加GND回流過孔數(shù)量，可以進(jìn)一步改善信號質(zhì)量，如下圖所示。

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3

GND過孔和信號過孔的位置會影響信號質(zhì)量，建議GND過孔和信號過孔交叉放置，如下圖所示，雖然同樣是4個(gè)GND回流過孔，4個(gè)信號過孔在一起的情況要避免，這種情況下過孔的串?dāng)_最大。

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4

8層板建議DDR信號走第一層、第六層、第八層，DQ、DQS、地址和控制信號、CLK信號都參考完整的GND平面，如果GND平面不完整，將會對信號質(zhì)量造成很大的影響。

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5

如下圖所示，當(dāng)過孔導(dǎo)致信號參考層破裂時(shí)，可以考慮用GND走線優(yōu)化下參考層，改善信號質(zhì)量。

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6

繞線自身的串?dāng)_會影響信號延時(shí)，走線繞等長時(shí)，注意按下圖所示。

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7

在做等長時(shí)，需要考慮過孔的延時(shí)，如下圖所示。

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8

非功能焊盤會破壞銅皮，以及增大過孔的寄生電容，需要刪除過孔的非功能焊盤，做無盤設(shè)計(jì)。

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9

走線距離過孔越近，參考平面越差，走線距離過孔鉆孔距離建議≧8mil，有空間的地方增大間距。

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10

調(diào)整過孔位置，優(yōu)化平面的裂縫，不要造成平面割裂，起到改善回流路徑的作用，如下圖所示。

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11

DQS、CLK、WCLK信號需要做包地處理，包地線或銅皮建議間隔≦400mil，打一個(gè)GND過孔，如下圖所示。

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對于VDD_DDR電源，DCDC區(qū)域電源換層時(shí)，建議打≧6個(gè)0503過孔。

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13

對于VDDQ_DDR電源，DCDC區(qū)域電源換層時(shí)，建議打≧6個(gè)0503過孔。

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14

對于VDD2_DDR電源，DCDC區(qū)域電源換層時(shí)，建議打≧6個(gè)0503過孔。

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15

對于VDD1_1V8_DDR電源，電源平面換層時(shí)，建議至少打≧2個(gè)0402過孔。

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16

每個(gè)電容焊盤建議至少一個(gè)過孔，對于0603或者0805封裝的電容建議一個(gè)焊盤對應(yīng)兩個(gè)過孔，過孔的位置要靠近管腳放置，減小回路電感。

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