NSi6601M是單通道隔離式柵極驅動器，適用于驅動SiC，IGBT和MOSFET等功率管的多種應用場景。它具有很強的驅動能力，可以提供5A/5A的拉灌電流峰值電流。同時它具備了彌勒鉗位功能，可以抑制因為彌勒效應帶來的管子的誤開通，確保系統的可靠性。最低150kV/μs共模瞬變抗擾度（CMTI）確保了系統魯棒性。驅動器的最大電源電壓VCC2為32V，輸入側VCC1為3V至17V電源電壓供電。VCC1和VCC2都具有欠壓保護（UVLO）。NSi6601M具有高驅動電流，出色的耐用性，寬廣的電源電壓范圍和快速信號傳播，適用于高可靠性，高功率密度和高效率開關電源系統。

應用場景

- 汽車電源、OBC/DCDC

- 空調壓縮機、工業電機驅動

- 高效高密度工業、通信、服務器電源

- 光伏、儲能、UPS等

產品特性

1. 具有很強的驅動能力，可提供5A/5A的拉灌電流峰值電流

2. 集成彌勒鉗位功能，鉗位電流高達5A，有效抑制因為彌勒效應致使管子誤開通，確保了系統的可靠性

3. 超高的共模抗擾能力：150 kV/us

4. 驅動器側電源電壓VCC2最大為32V，輸入側VCC1為3.1V至17V電源電壓供電；VCC1和VCC2都具有欠壓保護（UVLO）

5. 符合 RoHS 標準的封裝類型：SOP8，SOW8

6. 工作環境溫度：-40℃ ~ 125℃

7. 符合 RoHS 標準的封裝類型：SOW16

NSi6601M：有效解決高壓高頻系統中高dv/dt

隨著第三代半導體SiC MOSFET的興起，更高壓、更高頻、更小體積、更大功率的系統正成為新的發展趨勢。然而在高壓高頻的應用中系統在運行過程中卻總是容易因為dv/dt過高，導致功率管子被燒壞。NSi6601M則能很好解決這一問題。

案例詳解

簡化應用電路圖

使用上圖電路圖作為例子說明。當下管Q2處于關閉狀態，這時上管Q1正在打開，此時SW處會產生dv/dt。在母線電壓(DC Bus)越高，開關頻率越快的系統中，SW處的dv/dt就會越大。由于下管Q2有寄生電容Cgd，也稱彌勒電容，通過I=Cgd * dv/dt，可以知道，系統產生dv/dt 通過Cgd 會產生一定的電流，電流方向從SW往下管Q2的gate 方向流入，由于gate 有一定阻抗，電流乘以阻抗就會在下管Q2的gate 產生電壓，當dv/dt 足夠大，gate產生電壓會高于管子的開通電壓，會導致下管Q2誤開通，因為此時上管正在開通，會造成上下管短路，燒毀管子。

所以在高頻、高壓的應用中，系統對驅動IC提出了新的挑戰。而使用NSi6601M很好解決上述的痛點。因為NSI66001MC集成彌勒鉗位功能，NSi6601M會檢測到gate電壓的變化，當gate產生的電壓高壓2V時，NSi6601M內部將彌勒鉗位功能開啟，將dv/dt 通過Cgd產生的電流以最小阻抗路徑釋放到VEE，在gate電壓鉗位到足夠低的電壓，防止下管Q2誤開通。

除此之外，NSi6601M隔離耐壓高，寬體SOW8封裝Vpk 高達2121V，同時CMTI抗干擾能力超過150kv/us。所以NSi6601M非常適合高頻、高壓、高可靠性的應用場景，符合電源行業發展的趨勢。同時，由于使用納芯微比較成熟的工藝和IP，NSi6601M具有非常好的性價比，廣受市場的歡迎。