基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia (安世半導體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮。Nexperia在其龐大的產品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉換和電機驅動應用中的功率密度，包括工業電機驅動（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服電機）、機器人、電梯、機器操作手、工業自動化、功率逆變器、不間斷電源(UPS)、光伏(PV)串聯組件、EV充電以及感應加熱和焊接。

IGBT是一項相對成熟的技術。盡管如此，這些器件的市場預計將隨著太陽能面板和電動汽車(EV)充電器的日益普及而有所增長。Nexperia 的600 V IGBT采用穩健、經濟高效的載流子儲存溝槽柵場截止(FS)結構，在最高175℃的工作溫度下可提供超低導通和開關損耗性能與高耐用性。這可提高功率逆變器、感應加熱器、焊接設備和工業應用（如電機驅動和伺服、機器人、電梯、機器操作手和工業自動化等）的效率和可靠性。

設計人員可以在中速(M3)和高速(H3)系列IGBT之間自由選擇。這些IGBT采用非常緊密的參數分布設計，允許多個器件安全地并聯連接。此外，與競品器件相比其熱阻更低，因此能夠提供更高的輸出功率。這些IGBT還并聯了全電流反向軟快恢復二極管。這意味著它們適用于逆變器，整流器及雙向變換電路應用，在過流條件下更加穩健。

Nexperia絕緣柵雙極晶體管和模塊業務部門總經理Ke Jiang博士表示：“Nexperia通過發布IGBT，為設計人員提供了更多的電源開關器件選擇，以滿足廣泛的電源應用需求。IGBT是對Nexperia現有的CMOS和寬帶隙開關器件系列產品的理想補充，Nexperia由此可為功率電子設計師提供一站式服務?！?/p>

這些IGBT采用無鉛TO247-3L標準封裝，并通過嚴苛的HV-H3TRB質量標準，適合室外應用。Nexperia計劃在本次產品發布后將推出1200 V IGBT系列器件。

審核編輯 黃宇